ケイ化コバルト

コバルトシリサイドスパッタリングターゲット概要

コバルトシリサイドスパッタリング
ターゲット
は
、優れた導電性と熱安定性を備えた高純度コバルトシリサイドターゲットであり、半導体薄膜、マイクロエレクトロニクスデバイス、高温導電層成膜に広く使用されています。

当社は様々なサイズ、結晶形態、純度グレードのCoSi2スパッタリングターゲットを提供し、サンプルテストと技術相談をサポートします。詳細情報とプロセスソリューションについてはお問い合わせ
ください。

製品特長

緻密で均一な結晶構造
安定した導電性
優れた熱安定性
耐食性・耐摩耗性
各種スパッタリングプロセスに対応

カスタマイズ可能なサイズと結晶形状

カスタマイズ可能なバックプレーンとボンディング

科学研究実験およびプロセス検証をサポート

コバルトシリサイドスパッタリングターゲットの応用

半導体薄膜作製：
半導体薄膜成膜に適し、緻密で均一な膜を形成し、デバイスの導電性を向上させます。

マイクロエレクトロニクスデバイス成膜：
マイクロエレクトロニクスデバイスにおける金属化層の成膜に使用され、デバイスの性能安定性と信頼性を向上させます。

高温導電層：
高温下での導電性薄膜成膜が可能で、優れた熱安定性と導電性を示す。

研究・材料開発：
研究機関や企業の研究開発部門で、材料性能試験やプロセスパラメータ最適化に広く利用される。

よくある質問

Q1: コバルトシリサイドスパッタリングターゲットはどのスパッタリング法に適していますか？
A1: マグネトロンスパッタリング、RFスパッタリング、化学気相成長（CVD）などの薄膜プロセスで使用可能で、マイクロエレクトロニクス成膜のニーズに対応します。

Q2: ターゲットの結晶形はカスタマイズ可能ですか？
A2: はい、お客様のニーズに応じて異なる結晶形のターゲットを提供し、薄膜性能を最適化します。

Q3: スパッタリング中にターゲットは割れやすいですか？
A3: 高密度冶金プロセスで製造され、結晶粒が均一であるため、割れやボイドの発生リスクを効果的に低減します。

Q4: ターゲット保管時の注意点は？
A4: 性能安定性を維持するため、密閉・乾燥・換気された環境で保管し、湿気や汚染を避けてください。

報告書各

ロットに付属：

分析証明書（COA）

技術データシート（TDS）

安全データシート（MSDS）

サイズ検査報告書

第三者試験報告書

（

ご要望に応じて提供

）当社を選ぶ理由

当社は高純度コバルトシリサイドスパッタリングターゲット
の研究開発と安定供給を専門としています。成熟した品質管理システムと柔軟なカスタマイズ能力により、科学研究から産業応用まで対応可能な信頼性・トレーサビリティに優れたターゲットソリューションを提供し、プロジェクトの効率的な推進を支援します。