ガリウム・テルル

ガリウムテルル化物顆粒の概要

ガリウムテルル化物は
重要なIII-VI族層状化合物半導体材料である。本品は高純度粒子からなり、通常灰色から黒色を呈し、単斜晶系または六方晶系の結晶構造を有する。 狭い直接バンドギャップ（約1.0～1.8 eV）を有し、近赤外光に対する感度を示し、優れた光電子特性と熱電特性を発揮するとともに、相変化材料としての可能性も秘めています。これらの特性により、赤外線検出、新エネルギー変換、最先端電子デバイス研究における重要材料となっています。

当社は高品質なガリウムテルル顆粒を、複数の純度・粒子サイズオプションで提供し、専門的なカスタム包装にも対応可能です。カスタマイズソリューションについてはお問い合わせください
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製品特長

・狭直接バンドギャップ半導体
・独自の層状結晶構造
・優れた光電子特性と熱電特性
・良好な化学的安定性
・相変化材料としての応用

可能性ガリウムテルル微粒子の応用分野

赤外光電子工学：特定赤外波長に感応する高性能近赤外光検出器・発光デバイスの製造に使用。
熱電変換：廃熱を直接電力に変換する高効率熱電モジュール開発用の熱電材料として機能。
フロンティア2次元材料：二次元GaTeナノシート調製の前駆体として作用し、新規物理特性研究や新規デバイス応用を可能に。
相変化メモリ研究：高速可逆結晶相転移特性を活かし、次世代相変化メモリの候補材料として利用。

よくある質問

Q1: GaTeとGa₂Te₃の違いは何ですか？
A1: 主な違いは化学組成とバンドギャップにあります。GaTeは1:1の化合物でバンドギャップが狭く、光電子デバイスに適しています。Ga₂Te₃はテルル過多化合物でバンドギャップがさらに狭く、熱電特性が顕著です。

Q2: 製品の保管方法は？
A2: 密封容器に入れ、光を避けて保管してください。性能に影響を与える酸化や湿気による損傷を防ぐため、乾燥した不活性ガス環境が理想的です。

Q3: 使用は安全ですか？
A3: テルル化物には一定の毒性があります。取り扱い時の粉塵吸入を避けてください。換気の良い場所で作業し、適切な個人用保護具を着用してください。

Q4: GaTeの主な利点は？
A4: 適切な狭帯域の直接バンドギャップと層状構造が最大の強みです。赤外線検出や新規二次元電子デバイスに独自の可能性を提供します。
各バッチには以下を同梱：

分析証明書（COA）

技術データシート（TDS）

安全データシート（MSDS）

第三者試験報告書（要請求）

当社を選ぶ理由

当社は高純度・安定性能の特殊半導体材料の提供を専門とし、専門的な技術サポートにより、新素材・デバイス開発におけるお客様の最先端研究を支えます。