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インジウム-ガリウム-亜鉛酸化物(IGZO)

Chemical Name:
インジウム-ガリウム-亜鉛酸化物(IGZO)
Formula:
In2O3-Ga2O3-ZnO
Product No.:
49083108300800
CAS No.:
EINECS No.:
Form:
スパッタリングターゲット
HazMat:
Product ID Formula Purity Dimension Inquiry
49083108300800ST001 In2O3-Ga2O3-ZnO 99.99% Ø 50.8 mm x 3.175 mm Inquire
49083108300800ST002 In2O3-Ga2O3-ZnO 99.99% Ø 50.8 mm x 6.35 mm Inquire
49083108300800ST003 In2O3-Ga2O3-ZnO 99.99% Ø 76.2 mm x 3.175 mm Inquire
49083108300800ST004 In2O3-Ga2O3-ZnO 99.99% Ø 101.6 mm x 4 mm Inquire
49083108300800ST005 In2O3-Ga2O3-ZnO 99.99% Ø 101.6 mm x 6.35 mm Inquire
49083108300800ST006 In2O3-Ga2O3-ZnO 99.99% Ø 152.4 mm x 3.175 mm Inquire
49083108300800ST007 In2O3-Ga2O3-ZnO 99.99% Ø 152.4 mm x 6.35 mm Inquire
49083108300800ST008 In2O3-Ga2O3-ZnO 99.99% Ø 203.2 mm x 3.175 mm Inquire
Product ID
49083108300800ST001
Formula
In2O3-Ga2O3-ZnO
Purity
99.99%
Dimension
Ø 50.8 mm x 3.175 mm
Product ID
49083108300800ST002
Formula
In2O3-Ga2O3-ZnO
Purity
99.99%
Dimension
Ø 50.8 mm x 6.35 mm
Product ID
49083108300800ST003
Formula
In2O3-Ga2O3-ZnO
Purity
99.99%
Dimension
Ø 76.2 mm x 3.175 mm
Product ID
49083108300800ST004
Formula
In2O3-Ga2O3-ZnO
Purity
99.99%
Dimension
Ø 101.6 mm x 4 mm
Product ID
49083108300800ST005
Formula
In2O3-Ga2O3-ZnO
Purity
99.99%
Dimension
Ø 101.6 mm x 6.35 mm
Product ID
49083108300800ST006
Formula
In2O3-Ga2O3-ZnO
Purity
99.99%
Dimension
Ø 152.4 mm x 3.175 mm
Product ID
49083108300800ST007
Formula
In2O3-Ga2O3-ZnO
Purity
99.99%
Dimension
Ø 152.4 mm x 6.35 mm
Product ID
49083108300800ST008
Formula
In2O3-Ga2O3-ZnO
Purity
99.99%
Dimension
Ø 203.2 mm x 3.175 mm

インジウム-ガリウム-酸化亜鉛スパッタリングターゲットの概要

インジウム-ガリウム-酸化亜鉛(In2O3-Ga2O3-ZnO)スパッタリングターゲットは、薄膜トランジスタ(TFT)、フラットパネルディスプレイ、光電子デバイスに広く使用されている高純度透明酸化物半導体材料です。優れた電気性能、高移動度、均一な組成を持つIGZOスパッタリングターゲットは、OLEDやLCDなどの先端ディスプレイ技術や半導体デバイスの研究に不可欠です。当社のターゲットは、純度99.99%(4N)、緻密な構造、安定した性能を確保し、産業用および研究用として使用されています。

弊社は、メーカーや研究機関向けに高品質のインジウム-ガリウム-酸化亜鉛スパッタリングターゲットを供給しています。 お問い合わせ最高の価格と テクニカルサポートまでお問い合わせください。

In2O3-Ga2O3-ZnOスパッタリングターゲットの製品ハイライト

優れた純度:99.99% (4N)の純度は、酸化物半導体および薄膜デバイスの厳しい要件を満たします。
高性能:優れた導電性、電子移動度、光学的透明性。
安定した材料:緻密な構造、不純物の少なさ、均一な組成により、再現性の高い薄膜が得られます。
柔軟なサイズ:様々な蒸着システムに対応するため、様々な寸法をご用意しています。

高品質IGZOスパッタリングターゲットの用途

薄膜トランジスタ(TFT):高性能アクティブマトリクスOLEDおよびLCDディスプレイへの応用。
フラットパネルディスプレイバックプレーン、タッチパネル、フレキシブルディスプレイに使用。
オプトエレクトロニクス デバイス:受光素子、赤外線センサー、透明エレクトロニクスに適している。
研究開発:材料科学やデバイス研究の研究所で広く使用されている。
エネルギーデバイス:エネルギー変換・貯蔵用途の透明導電膜に応用。

当社を選ぶ理由

業界の専門知識:高純度酸化物半導体スパッタリングターゲットに特化しています。
カスタマイズされたソリューション:組成、寸法、バッキングプレートの選択に柔軟に対応。
信頼できる品質:厳格な不純物管理、緻密な構造、均一な組成により、安定した性能を保証します。
グローバル配送:保護梱包により、迅速かつ安全に世界中に配送。
技術サポート:専門チームが完全な技術文書とコンサルティングを提供します。

よくある質問

F1.In2O3-Ga2O3-ZnOスパッタリングターゲットの純度は?
A1.当社のIGZOターゲットの標準純度は99.99%(4N)であり、TFTおよび薄膜アプリケーションの信頼できる性能を保証します。

F2.In:Ga:Znの比率やターゲットサイズはカスタマイズできますか?
A2.はい。お客様の成膜システム要件に応じて、柔軟な組成比とターゲット寸法を提供いたします。

F3.IGZOターゲットはどのように保管、取り扱えばよいですか?
A3.密閉容器に入れ、涼しく乾燥した環境で保管してください。取り扱い中は湿気、ほこり、汚染を避けてください。

F4.どのような産業でIGZOスパッタリングターゲットが使用されていますか?
A4.TFTバックプレーン、OLED/LCDディスプレイ、タッチパネル、オプトエレクトロニクスデバイス、研究所などで広く使用されています。

F5.工業用または研究用の技術報告書はありますか?
A5.はい、各バッチにはCOA、TDS、MSDS、ICP-MS不純物レポートが付属しています。ご要望があれば、第三者機関による試験報告書も入手可能です。

レポート

各バッチの製品には以下のものが添付されています:
分析証明書(COA)
技術データシート(TDS)
製品安全データシート(MSDS)
ご要望に応じて、工業規格および研究規格に準拠した第三者試験報告書をご提供いたします。

化学式In₂O₃-Ga₂O₃-ZnO
外観オフホワイトまたはシルバーグレーの緻密なターゲット
結晶構造アモルファス/微結晶
結合方法カスタマイズ可能
バッキングプレートの選択カスタマイズ可能
スパッタリング方法RF/DCマグネトロンスパッタリング

包装:真空シールされた袋で、汚染や湿気を防ぐために箱詰めされている。

外箱梱包:サイズと重量に応じて選択されたカートンまたは木枠。

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