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酸化バナジウム – ホウ素

Chemical Name:
酸化バナジウム - ホウ素
Formula:
V2O5-B
Product No.:
23080500
CAS No.:
EINECS No.:
Form:
スパッタリングターゲット
HazMat:
Product ID Formula Purity Dimension Inquiry
23080500ST001 V2O5-B 99.9% Ø 120mm x 6.35mm Inquire
Product ID
23080500ST001
Formula
V2O5-B
Purity
99.9%
Dimension
Ø 120mm x 6.35mm

酸化バナジウム – ホウ素スパッタリングターゲット概要酸化

バナジウム – ホウ素
スパッタリングターゲットは、酸化バナジウム基材にホウ素をドープした機能性ターゲットであり、薄膜の電気的・光学的特性を制御する能力を有します。本材料は、エレクトロクロミック薄膜、機能性デバイス、および科学研究における高性能薄膜の作製に広く利用されています。

各種仕様のV2O5-Bスパッタリングターゲットを提供し、カスタマイズプロセスや装置適応をサポートします。詳細なソリューションについてはお問い合わせ
ください。

製品の特徴

均一なホウ素ドーピング
調整可能な薄膜特性
安定したスパッタリングプロセス
緻密なターゲット構造
RFスパッタリングプロセス対応
バックプレーン接合対応

酸化バナジウム-ホウ素スパッタリングターゲットの応用電

色薄膜作製:
電色薄膜の作製に利用可能。ホウ素ドーピングにより応答速度の高速化と優れた光学制御性を実現。
機能性デバイス薄膜:
本ターゲットで作成した薄膜はセンサーやマイクロエレクトロニクスデバイスに応用可能。薄膜の導電性と安定性を向上。
新規エネルギー材料研究:
V₂O₅-B薄膜はエネルギー貯蔵デバイスにおけるイオン輸送性能を向上させ、本スパッタリングターゲットは高性能薄膜作製のための信頼性の高い供給源を提供する。
科学研究・プロセス探索:
大学や研究機関において薄膜構造、プロセスパラメータ最適化、機能検証に広く活用されている。

よくある

質問Q1: V₂O₅-Bスパッタリングターゲットと通常のV₂O₅ターゲットの違いは何ですか?
A1: ホウ素をドープすることで、薄膜の導電性と光応答性を調整可能となり、同時に膜密度と均一性も向上します。

Q2: 酸化バナジウム-ホウ素薄膜の成膜におけるスパッタリングプロセスの要件は何ですか?
A2: 通常は高周波スパッタリングが用いられます。理想的な膜特性を得るため、膜厚やドーピング比率に応じて電力と雰囲気を調整する必要があります。

Q3: 酸化バナジウム-ホウ素ターゲットはバックプレーンボンディングに対応していますか?
A3: はい、装置要件に応じて金属バックプレーンへのボンディングが可能で、ターゲットの安定性と放熱効率を向上させます。

Q4: 酸化バナジウム-ホウ素薄膜は研究用途または生産用途に適していますか?
A4: このスパッタリングターゲットは研究実験や機能性薄膜開発に適しており、小ロット生産やプロセス検証にも使用可能です。

報告書

各ロットに付属:
分析証明書(COA)
技術データシート(TDS)
物質安全データシート(MSDS)
寸法検査報告書
第三者機関による試験報告書はご要望に応じて提供可能

当社を選ぶ理由

当社は機能性酸化物およびドーピングスパッタリングターゲットの研究・供給を専門としています。V2O5-Bの研究用・産業用薄膜における応用特性を熟知しており、安定したターゲット品質、柔軟な仕様カスタマイズ、包括的な技術サポートを提供し、お客様の薄膜作製と性能検証の成功を支援します。

分子式V₂O₅-B
外観金属光沢のある暗褐色または黒色の粉末

内包装:汚染や湿気を防ぐため、真空パック袋に入れ、箱詰めします。

外包装:サイズと重量に基づき、カートンまたは木箱を選択します。

資料

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