ULPMAT

ケイ化バナジウム

Chemical Name:
ケイ化バナジウム
Formula:
VSi2
Product No.:
231400
CAS No.:
12039-87-1
EINECS No.:
234-908-5
Form:
スパッタリングターゲット
HazMat:
Product ID Formula Purity Dimension Inquiry
231400ST001 VSi2 99.5% Ø 50.8mm x 3.175mm Inquire
231400ST002 VSi2 99.5% Ø 76.2mm x 3.175mm Inquire
231400ST003 VSi2 99.5% Ø 101.6mm x 6.35mm Inquire
Product ID
231400ST001
Formula
VSi2
Purity
99.5%
Dimension
Ø 50.8mm x 3.175mm
Product ID
231400ST002
Formula
VSi2
Purity
99.5%
Dimension
Ø 76.2mm x 3.175mm
Product ID
231400ST003
Formula
VSi2
Purity
99.5%
Dimension
Ø 101.6mm x 6.35mm

バナジウムシリサイドスパッタリングターゲット概要

バナジウムシリサイドスパ
ッタリングターゲット

、優れた導電性と高温安定性を兼ね備えた機能性ターゲットであり、様々な物理的蒸着プロセスに適しています。これらのターゲットは、均一な構造と安定した性能を持つシリサイド薄膜の作製に使用できます。

当社は、様々なサイズ、形状、および制御された密度のバナジウムシリサイドスパッタリングターゲットを提供しています。 カスタマイズソリューションや技術サポート
についてはお問い合わせ
ください

製品の特長

高いスパッタリング安定性
緻密で均一なターゲット
良好な膜導電性
高温用途での信頼性
構造・サイズのカスタマイズ対応
安定したロット間均一性

バナジウムシリサイドスパッタリングターゲットの用途

導電性機能薄膜の作製:
電子デバイスや関連機能層の成膜に用いられる導電性機能薄膜の作製に適しています。
高温電子材料コーティング:
優れた熱安定性を活かし、高温環境下でも安定した機能性コーティングを形成可能。高温電子用途の要求を満たします。
デバイス表面改質:
スパッタリングで形成されたケイ化バナジウム薄膜は、デバイス表面の電気特性と動作安定性を向上させます。
科学研究および薄膜プロセス研究:
本ターゲットはシリサイド薄膜および成膜プロセス研究で広く使用され、実験室およびパイロットスケール応用に適しています。

よくある質問

Q1: バナジウムシリサイドスパッタリングターゲットに適したスパッタリング法は?
A1: DCまたはRFスパッタリングプロセスに適し、良好な膜均一性と安定性を提供します。

Q2: ターゲット密度は膜性能にどう影響しますか?
A2: 高密度化により膜の密着性と電気的均一性が向上します。

Q3: 本ターゲットは連続スパッタリングに適していますか?
A3: 適切な冷却・プロセス条件下では、長期連続スパッタリングの要求を満たせます。

Q4: 使用時の注意事項は?
A4: ターゲット表面を清潔かつ乾燥状態に保つこと、装置条件に応じてスパッタリングパラメータを適切に制御することを推奨します。

報告書

各ロットに付属:
分析証明書(COA)
技術データシート(TDS)
物質安全データシート(MSDS)
寸法検査報告書
第三者試験報告書はご要望に応じて提供可能

当社を選ぶ理由

シリサイドスパッタリングターゲットの製造において豊富な経験を有し、安定した性能のバナジウムシリサイドスパッタリングターゲットを確実に提供します。また、お客様のプロセス要件に基づいたターゲットサポートを提供し、高品質な薄膜成膜の実現を支援します。

分子式VSi₂
分子量:86.95 g/mol
外観銀灰色金属光沢、金属質感
密度4.76 g/cm³
融点:1890
結晶構造:六方晶

内包装:汚染や湿気を防ぐため、真空パック袋に入れ、箱詰めします。

外包装:サイズと重量に基づき、カートンまたは木製クレートを選択します。

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