| Product ID | Formula | Purity | Dimension | Inquiry |
|---|---|---|---|---|
| 1400ST001 | Si | 99.999% | Ø 50.8mm x 3.175 mm | Inquire |
| 1400ST002 | Si | 99.999% | Ø 50.8mm x 3.175 mm | Inquire |
| 1400ST003 | Si | 99.999% | Ø 50.8mm x 6.3 mm | Inquire |
| 1400ST004 | Si | 99.999% | Ø 76.2mm x 3.175 mm | Inquire |
| 1400ST005 | Si | 99.999% | Ø 76.2mm x 3.175 mm | Inquire |
| 1400ST006 | Si | 99.999% | Ø 76.2mm x 6.35 mm | Inquire |
| 1400ST007 | Si | 99.999% | Ø 76.2mm x 6.35 mm | Inquire |
| 1400ST008 | Si | 99.999% | Ø 76.2mm x 6.35 mm | Inquire |
| 1400ST009 | Si | 99.999% | Ø 101.6mm x 3.175 mm | Inquire |
| 1400ST010 | Si | 99.999% | Ø 101.6mm x 3.175 mm | Inquire |
| 1400ST011 | Si | 99.999% | Ø 101.6mm x 6.35 mm | Inquire |
| 1400ST012 | Si | 99.999% | Ø 101.6mm x 6.35 mm | Inquire |
| 1400ST013 | Si | 99.999% | Ø 152.4mm x 3.175 mm | Inquire |
| 1400ST014 | Si | 99.999% | Ø 152.4mm x 6.35 mm | Inquire |
| 1400ST015 | Si | 99.999% | Ø 203.2mm x 6.35 mm | Inquire |
| 1400ST016 | Si | 99.999% | 127mm x 787.4mm x 6mm | Inquire |
| 1400ST017 | Si | 99.999% | 151 mm x 113 mm x 7mm | Inquire |
| 1400ST018 | Si | 99.999% | 300 mm x 100 mm x 6mm | Inquire |
| 1400ST019 | Si | 99.99% | 350mm x 75mm x 6mm | Inquire |
シリコンスパッタリング
ターゲットは、薄膜成膜プロセスで使用される基本的なターゲット材料であり、優れたスパッタリング安定性と膜均一性を示します。半導体
デバイス、太陽光発電用薄膜、ディスプレイパネル、機能性コーティングなど幅広い用途で使用されています。
当社は様々な仕様と構造のシリコンスパッタリングターゲットを提供し、用途適合とプロセスコミュニケーションをサポートします。 ソリューションや見積もりについては直接お問い合わせ
ください。
安定したスパッタリングプロセス
良好な膜均一性
各種スパッタリング装置との互換性
緻密な構造、高い制御性サイズ・形状
のカスタマイズ対応
連続生産プロセスへの適応性
半導体薄膜成膜:
半導体プロセスでシリコン系機能薄膜の作製に広く使用され、デバイス製造の膜安定性要求を満たします。
太陽光発電・太陽電池薄膜:
薄膜太陽電池及び関連研究において、シリコンターゲットは活性層や補助機能層の成膜に使用可能。
ディスプレイ・光学デバイス:
ディスプレイパネル、光学窓、関連デバイス向け機能性薄膜の作製に適し、大面積成膜ニーズに対応。
研究・プロセス開発:
実験室用スパッタリング装置やパイロットラインで広く使用され、新規プロセスや新構造薄膜の開発に安定した材料基盤を提供します。
Q1: シリコンスパッタリングターゲットはどのスパッタリング法に適していますか?
A1: 装置構成やプロセスパラメータに応じて、DCスパッタリングやRFスパッタリングなどの一般的な物理気相成長プロセスで使用可能です。
Q2: シリコンターゲット上でのスパッタリング成膜は均一ですか?
A2: 適切なプロセス条件下では、シリコンターゲットは良好なスパッタリング速度安定性を示し、厚みが均一な薄膜の形成に寄与します。
Q3: シリコンスパッタリングターゲットは通常バックプレーンが必要ですか?
A3: バックプレーンの必要性は、ターゲットサイズ、装置構造、放熱要件によって異なります。一部の用途では金属バックプレーン構造が使用されます。
Q4: シリコンターゲットは研究開発と量産のどちらに適していますか?
A4: シリコンスパッタリングターゲットは研究開発とプロセス開発の両方に適しており、工業生産の安定性と再現性の要件も満たせます。
各ロットに付属:
寸法検査報告書
第三者試験報告書
ご要望に応じて提供
当社はスパッタリングターゲット及び関連材料の用途特化型供給を専門とし、実稼働装置におけるターゲットの適合性と安定性を重視しています。明確なパラメータ、確実な納期、効率的な技術サポート
を提供します。
分子式Si
分子量:28.09 g/mol
外観銀灰色の緻密なターゲット
密度: 2.33 g/cm³
融点: 1414 °C
沸点:3265 °C
結晶構造ダイヤモンド立方晶系
内包装:汚染や湿気を防ぐため、真空パック袋に入れ、箱詰めします。
外包装:サイズと重量に基づき、カートンまたは木箱を選択します。