| Product ID | Formula | Purity | Dimension | Inquiry |
|---|---|---|---|---|
| 140600ST001 | SiC | 99.5% | 299.6mm x 129mm x 5mm | Inquire |
| 140600ST002 | SiC | 99.5% | Ø 25.4mm x 3.175 mm | Inquire |
| 140600ST003 | SiC | 99.5% | Ø 25.4mm x 6.35 mm | Inquire |
| 140600ST004 | SiC | 99.5% | Ø 50.8mm x 3.175 mm | Inquire |
| 140600ST005 | SiC | 99.5% | Ø 50.8mm x 6.35 mm | Inquire |
| 140600ST006 | SiC | 99.5% | Ø 101.6mm x 3.175 mm | Inquire |
| 140600ST007 | SiC | 99.9% | Ø 76.2mm x 3.175mm | Inquire |
| 140600ST008 | SiC | 99.9% | Ø 76.2mm x 6.35mm | Inquire |
| 140600ST009 | SiC | 99.95% | Ø 200mm x 6mm | Inquire |
| 140600ST010 | SiC | 99.99% | Ø 25.4mm x 3.175 mm | Inquire |
炭化ケイ素
スパッタリングターゲットは、優れた耐熱性、耐摩耗性、化学的安定性を備えた、高安定薄膜の作製に適したセラミックターゲットです。主に保護コーティング、機能性薄膜、電子デバイス関連の薄膜構造の作製に使用されます。
当社はプロセス適合性のある炭化ケイ素スパッタリングターゲットを提供し、ターゲット構造と成膜条件の技術的
統合をサポートします
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安定した膜組成
高温条件への高い適応性
優れた耐摩耗性・耐食性
良好なスパッタリングプロセス安定性
様々な成膜プロセスに対応
用途保護・耐摩耗性コーティング:
高硬度保護薄膜の形成に広く使用され、表面耐摩耗性と耐用年数を向上させます。
電子・機能性薄膜:
電子デバイスや機能性薄膜の成膜に適し、高温・高電力用途の要求を満たします。
光学・機能性表面処理:
機能性表面処理において、炭化ケイ素薄膜は安定した物理的・化学的特性を提供する。
研究開発・プロセス開発:
実験室での研究開発やプロセス検証段階で広く使用され、プロセスパラメータの最適化を支援する。
質問Q1: 炭化ケイ素スパッタターゲットに適した成膜プロセスは?
A1: マグネトロンスパッタリングなどの薄膜成膜プロセスで一般的に使用され、様々なプロセス要件を満たします。
Q2: 高温成膜時における炭化ケイ素ターゲットの性能は?
A2: 高温条件下でも優れた構造安定性とスパッタリング均一性を維持します。
Q3: SiC薄膜の主な利点は?
A3: 高硬度、耐摩耗性、耐食性、優れた熱安定性に主に表れます。
Q4: ターゲット構造はスパッタリング安定性に影響しますか?
A4: 適切に設計されたターゲット構造は、スパッタリングプロセスの安定性と薄膜の均一性を向上させます。
各ロットに付属:
分析証明書(COA)
技術データシート(TDS)
安全データシート(MSDS)
寸法検査報告書
第三者試験報告書はご要望に応じて提供可能
セラミックスパッタリングターゲット分野における継続的な供給能力とプロセス理解力を有し、安定かつトレーサブルな炭化ケイ素スパッタリングターゲットを提供。お客様の研究開発段階および応用段階における信頼性の高い薄膜成膜結果の達成を支援します。
分子式SiC
分子量:52.11 g/mol
外観黒色、緻密なターゲットブロック
密度3.21-3.22 g/cm³(焼結ターゲット)
融点:2730 °C(分解する)
結晶構造六方晶 (α-SiC)、立方晶 (β-SiC)
内包装:汚染や湿気を防ぐため、真空パック袋に入れ、箱詰めします。
外包装:サイズと重量に基づき、カートンまたは木箱を選択します。