ULPMAT

酸化ガリウム

Chemical Name:
酸化ガリウム
Formula:
Ga2O3
Product No.:
310800
CAS No.:
12024-21-4
EINECS No.:
234-691-7
Form:
スパッタリングターゲット
HazMat:
Product ID Formula Purity Dimension Inquiry
310800ST001 Ga2O3 99.99% Ø 25.4 mm x 3.175 mm Inquire
310800ST002 Ga2O3 99.999% Ø 25.4 mm x 3.175 mm Inquire
310800ST003 Ga2O3 99.99% Ø 50.8 mm x 6.35 mm Inquire
310800ST004 Ga2O3 99.999% Ø 50.8 mm x 6.35 mm Inquire
310800ST005 Ga2O3 99.99% Ø 76.2 mm x 6.35 mm Inquire
310800ST006 Ga2O3 99.999% Ø 76.2 mm x 6.35 mm Inquire
310800ST007 Ga2O3 99.99% Ø 101.6 mm x 3.175 mm Inquire
310800ST008 Ga2O3 99.999% Ø 101.6 mm x 3.175 mm Inquire
310800ST009 Ga2O3 99.99% Ø 152.4 mm x 6.35 mm Inquire
310800ST010 Ga2O3 99.999% Ø 152.4 mm x 6.35 mm Inquire
Product ID
310800ST001
Formula
Ga2O3
Purity
99.99%
Dimension
Ø 25.4 mm x 3.175 mm
Product ID
310800ST002
Formula
Ga2O3
Purity
99.999%
Dimension
Ø 25.4 mm x 3.175 mm
Product ID
310800ST003
Formula
Ga2O3
Purity
99.99%
Dimension
Ø 50.8 mm x 6.35 mm
Product ID
310800ST004
Formula
Ga2O3
Purity
99.999%
Dimension
Ø 50.8 mm x 6.35 mm
Product ID
310800ST005
Formula
Ga2O3
Purity
99.99%
Dimension
Ø 76.2 mm x 6.35 mm
Product ID
310800ST006
Formula
Ga2O3
Purity
99.999%
Dimension
Ø 76.2 mm x 6.35 mm
Product ID
310800ST007
Formula
Ga2O3
Purity
99.99%
Dimension
Ø 101.6 mm x 3.175 mm
Product ID
310800ST008
Formula
Ga2O3
Purity
99.999%
Dimension
Ø 101.6 mm x 3.175 mm
Product ID
310800ST009
Formula
Ga2O3
Purity
99.99%
Dimension
Ø 152.4 mm x 6.35 mm
Product ID
310800ST010
Formula
Ga2O3
Purity
99.999%
Dimension
Ø 152.4 mm x 6.35 mm

酸化ガリウムスパッタリングターゲット概要酸化

ガリウム
スパッタリングターゲット

、高純度酸化ガリウム粉末を高度な成形・焼結プロセスで製造した高密度セラミックターゲットです。最も安定なβ相を主成分とし、物理的気相成長プロセスにおける酸化ガリウム薄膜成膜の基幹原料として機能します。 次世代の超広帯域ギャップ半導体として、このターゲットを使用して成膜した薄膜は、次世代の超高電圧パワーエレクトロニクスデバイスおよび深紫外光電子デバイスの製造の基礎を形成しています。

当社は、主にβ相を特徴とする、複数のサイズの高純度 Ga2O3 セラミックスパッタリングターゲットを提供しています。専門的なボンディング
サービスもご利用いただけます。仕様リストおよびカスタマイズされたソリューションについては、お問い合わせください

製品のハイライト

超高純度
高密度、低気孔率
安定したβ相構造
優れた微細構造の均一性
精密な寸法管理
ボンディング
サービスも提供

Ga2O3 スパッタリングターゲットの用途

パワー半導体デバイス:新エネルギー車やスマートグリッドに使用される超高電圧ショットキーダイオードや電界効果トランジスタの製造に Ga₂O₃ 膜を堆積。
深紫外光電子デバイス: 昼盲性紫外線光検出器、および紫外線通信、早期警報システム、センシング用途向けの透明導電膜の製造に使用されます。
保護および機能性コーティング: 精密工具や電子部品表面の耐摩耗性、耐食性ハードコーティング、または絶縁層として採用されています。

よくある質問

Q1: SiC および GaN ターゲットと比較した場合、GaO ターゲットの利点は何ですか?
A1: より広いバンドギャップとより高い理論的破壊電圧。超高電圧(1200V 以上)のパワーデバイスの製造に優れた可能性を提供し、エネルギー損失の低減が期待できます。

Q2: どの程度の純度レベルが必要ですか?
A2: 用途によって異なります。研究開発およびハイエンドデバイスでは、通常、薄膜の最適な電気的性能を確保するために 99.99% (4N) 以上の純度が必要です。

Q3:ボンディングサービスは提供していますか?なぜそれが必要なのですか?
A3:はい。金属製のバッキングプレート(銅など)にボンディングすることで、効率的な放熱と確実な取り付けが可能になり、スパッタリング中に脆いセラミックターゲットが割れるのを防ぎます。

Q4:ターゲットはどのように保管、保守すべきですか?
A4:乾燥した清潔な環境で、密閉された防湿容器に保管してください。 使用後は、汚染や物理的衝撃を防ぐため、ターゲット表面を清掃してください。

レポート

各バッチには、以下が付属しています。
分析証明書 (COA)

技術データシート (TDS)

物質安全データシート (MSDS)
ご要望に応じて

第三者機関による試験報告書もご用意いたします

。当社を選ぶ理由

高純度粉末から精密ターゲットの製造、ボンディング試験まで、ワンストップソリューションを提供し、第 4 世代半導体技術の開発における信頼できるパートナーとしてお客様をサポートいたします。

分子式Ga₂O₃
分子量:187.44
外観白色ターゲット材
密度約6.44 g/cm³
結晶構造単斜晶

内包装:汚染や湿気を防ぐため、真空パック袋に入れ、箱詰めします。

外包装:サイズと重量に基づき、カートンまたは木製クレートを選択します。

資料

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