ULPMAT

ガリウム・テルル

Chemical Name:
ガリウム・テルル
Formula:
Ga2Te3
Product No.:
315201
CAS No.:
12024-27-0
EINECS No.:
234-694-3
Form:
スパッタリングターゲット
HazMat:
Product ID Formula Purity Dimension Inquiry
315201ST001 Ga2Te3 99.999% Ø 50.8 mm x 6.35 mm Inquire
Product ID
315201ST001
Formula
Ga2Te3
Purity
99.999%
Dimension
Ø 50.8 mm x 6.35 mm

ガリウムテルル化物スパッタリングターゲット概要ガリ

ウム

テルル化物スパ

リング
ターゲット

は、

高純度ガリウムテルル化物粉末を高度な成形・焼結プロセスで製造した機能性セラミックターゲットである。 狭バンドギャップ半導体の赤外線光電子特性と優れた薄膜堆積能力を兼ね備え、物理蒸着(PVD)プロセスにおけるガリウムテルライド薄膜堆積の基幹原料として機能します。先進的な赤外線検出、熱電変換、最先端電子デバイスにおいて幅広い用途があります。

当社は、複数の純度、仕様、ボンディングオプションを備えた高品質Ga₂Te₃セラミックスパッタリングターゲットを提供しています。カスタマイズソリューションについてはお問い合わせください

製品の特徴

高純度かつ正確な化学量論組成
高密度、低気孔率
優れた薄膜堆積均一性
プロフェッショナルなバッキングプレートボンディング対応
カスタム寸法・仕様対応

ガリウムテルル化物スパッタリングターゲットの応用分野

赤外線技術・検出:赤外線光検出器や熱画像センサーの核心感応層を成膜。
熱電変換デバイス:小型熱電発電モジュールや冷却モジュール製造における薄膜熱電材料の成膜源として機能。
相変化メモリ材料:結晶状態と非晶質状態の高速可逆転移特性を活かし、相変化ランダムアクセスメモリ(PCRAM)の機能性膜成膜に利用。
フロンティアデバイス・研究:新規電子デバイス、センサー、基礎材料特性研究向けの狭バンドギャップ半導体薄膜源として機能。

よくある質問

Q1: Ga₂Te₃とGeSbTeターゲットの違いは?
A1: 組成と用途の重点が異なります。Ga₂Te₃は赤外線・熱電応用に重点を置いた二元化合物です。GeSbTeはデータ保存用に設計された成熟した三元相変化メモリ材料です。

Q2: ターゲットにはテルルが含まれますが安全ですか?
A2: 固体ターゲットは安定していますが、適切な取り扱いが必要です。 加工時の粉塵を吸い込まないようにし、作業中は保護具を着用し、物質安全データシート(MSDS)のガイドラインに従ってください。

Q3:ターゲットの純度はどのように選択すべきですか?
A3:必要な薄膜の性能によって異なります。4N(99.99%)グレードは基本的な研究開発に適しています。高性能デバイスの製造には、5N(99.999%)以上の純度をお勧めします。

Q4:ボンディングサービスが必要な理由は何ですか?
A4:放熱と確実な取り付けを確保するためです。金属製のバッキングプレート(銅など)にボンディングすることで、スパッタリングの熱を効果的に放散し、セラミックターゲットの熱応力亀裂を防止し、取り付けを容易にします。

Rレポート

各バッチには以下が付属しています。
分析証明書 (COA)

技術データシート (TDS)

物質安全データシート (MSDS)
ご要望に応じて

第三者機関による試験報告書もご用意いたします

。当社を選ぶ理由

当社は

安定性の高い、カスタマイズ可能な特殊セラミックターゲットの提供を専門としており、最先端技術分野におけるお客様の材料ニーズを、専門的なソリューションでサポートいたします。

分子式Ga₂Te₃
分子量:583.92 g/mol
外観暗灰色の緻密なターゲット材料
密度約5.57 g/cm³
融点約 824 °C
結晶構造欠陥のある閃亜鉛鉱、立方晶系

内包装:汚染や湿気を防ぐため、真空パック袋に入れ、箱詰めします。

外包装:サイズと重量に基づき、カートンまたは木箱を選択します。

資料

No PDF files found.

お問い合わせ

何かサービスが必要な場合は、ご連絡ください。

詳細情報

その他の製品

お問い合わせ

お問い合わせ

サーマルスプレー

ウェブサイトが全面的にアップグレードされました