ULPMAT

銅インジウム合金

Chemical Name:
銅インジウム合金
Formula:
CuIn
Product No.:
294900
CAS No.:
EINECS No.:
Form:
スパッタリングターゲット
HazMat:
Product ID Formula Purity Dimension Inquiry
294900ST001 CuIn (80:20 wt%) 99.99% Ø 50.8 mm x 6.35 mm Inquire
294900ST002 CuIn (80:20 wt%) 99.99% Ø 76.2 mm x 6.35 mm Inquire
Product ID
294900ST001
Formula
CuIn (80:20 wt%)
Purity
99.99%
Dimension
Ø 50.8 mm x 6.35 mm
Product ID
294900ST002
Formula
CuIn (80:20 wt%)
Purity
99.99%
Dimension
Ø 76.2 mm x 6.35 mm

銅インジウムスパッタリングターゲット概要

銅インジウム
スパッタリングターゲットは、主に組成調整可能な機能性薄膜の作製に使用され、光電子材料および薄膜材料研究において重要な応用価値を有します。

装置やプロセス要件に応じた様々な組成比・仕様のターゲットを提供可能で、カスタマイズ加工にも対応します。ソリューションについてはお問い合わせ
ください。

製品特長

均一な合金組成分布
高ターゲット密度
安定したスパッタリングレート
良好な薄膜再現性
各種真空スパッタリングシステムに対応
ボンディング・バックプレーンオプション選択可能
薄膜組成の精密制御を容易化

銅インジウムスパッタリングターゲットの応用分野

薄膜太陽
エネルギー研究:関連吸収層の作製において、前駆体金属薄膜の堆積に本ターゲットが頻繁に使用され、後続反応プロセスへの安定した基盤を提供。
光電子
機能薄膜:スパッタリングにより均一な合金薄膜が得られ、光電子性能の変調や構造最適化の研究に適しています。
半導体
材料開発:新規半導体システムのプロセス探索に利用可能で、異なる元素比率が電気特性に与える影響の検証に役立ちます。

よくある質問

Q1:銅とインジウムの比率を要求に応じて調整できますか?
A1: はい、ターゲット組成は特定の用途に応じてカスタマイズ可能です。

Q2: このターゲットはDCスパッタリングとRFスパッタリングのどちらに適していますか?
A2: 一般的に複数のスパッタリング方法に対応可能ですが、具体的な選択は装置構成とプロセスパラメータに依存します。

Q3: スパッタリング中の膜組成は安定していますか?
A3: 適切なプロセス条件下では、ターゲット組成は良好な一貫性を示し、安定した膜の形成に寄与します。

Q4: ターゲットの輸送・保管時の注意点は?
A4: 湿潤環境への長期暴露を避けるため、真空または不活性ガス包装の使用を推奨します。

報告書

各バッチには以下が付属:
分析証明書(COA)
技術データシート(TDS)
安全データシート(MSDS)
第三者試験報告書

ご要望に応じて提供

)当社を選ぶ理由

当社は合金スパッタリングターゲットの安定した調製と品質管理を専門としています。組成設計と加工における豊富な経験により、お客様に信頼性の高い材料の一貫性、柔軟なカスタマイズ能力、継続的かつ安定した供給サポートを提供し、科学研究や産業プロジェクトの効率的な推進を支援します。

化学式CuIn
分子量: 178.37 g/mol
外観銀灰色~暗灰色の緻密なスパッタリングターゲット
結晶構造正方晶

内包装:汚染や湿気を防ぐため、真空パック袋に入れ、箱詰めします。

外包装:サイズと重量に基づき、カートンまたは木製クレートを選択します。

資料

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