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Ossido di bismuto e germanio (BGO)

Chemical Name:
Ossido di bismuto e germanio (BGO)
Formula:
Bi4Ge3O12
Product No.:
83320800
CAS No.:
12233-56-6
EINECS No.:
235-457-7
Form:
Bersaglio di sputtering
HazMat:
Product ID Formula Purity Dimension Inquiry
83320800ST001 Bi4Ge3O12 99.99% Ø 50.8 mm x 3.175 mm Inquire
83320800ST002 Bi4Ge3O12 99.99% Ø 50.8 mm x 6.35 mm Inquire
83320800ST003 Bi4Ge3O12 99.99% Ø 76.2 mm x 3.175 mm Inquire
83320800ST004 Bi4Ge3O12 99.99% Ø 101.6 mm x 3.175 mm Inquire
Product ID
83320800ST001
Formula
Bi4Ge3O12
Purity
99.99%
Dimension
Ø 50.8 mm x 3.175 mm
Product ID
83320800ST002
Formula
Bi4Ge3O12
Purity
99.99%
Dimension
Ø 50.8 mm x 6.35 mm
Product ID
83320800ST003
Formula
Bi4Ge3O12
Purity
99.99%
Dimension
Ø 76.2 mm x 3.175 mm
Product ID
83320800ST004
Formula
Bi4Ge3O12
Purity
99.99%
Dimension
Ø 101.6 mm x 3.175 mm

Panoramica dei target di sputtering all’ossido di bismuto e germanio

L’ossido di bismuto e germanio sono materiali ad alte prestazioni progettati per processi di deposizione di film sottili ferroelettrici, optoelettronici e funzionali. Il materiale è strutturalmente stabile, chimicamente uniforme e presenta densità e purezza eccellenti, che garantiscono una composizione coerente del film, una forte adesione e un’elevata qualità del film.

Offriamo target di sputtering all’ossido di bismuto e germanio in varie forme e dimensioni, comprese quelle rotonde e rettangolari, che possono essere personalizzate in base ai vostri requisiti specifici. Forniamo inoltre un’assistenza post-vendita completa. Se avete domande sull’utilizzo, non esitate a contattarci.

Caratteristiche del prodotto

Purezza: 99,99%
Struttura ceramica ad alta densità per una deposizione stabile
Personalizzabile dimensione e forma
Servizio di legatura del target disponibile
Eccellente uniformità e adesione del film
Applicabile a una varietà di campi di preparazione di film sottili funzionali

Applicazioni del target di sputtering all’ossido di germanio e bismuto

Memoria ferroelettrica: Bi₄Ti₃O₁₂ è un classico materiale ferroelettrico che può essere utilizzato per la deposizione di strati ferroelettrici nella memoria non volatile (FeRAM).
Dispositivi optoelettronici: Utilizzato per preparare film di ossido multifunzionali con caratteristiche fotoresponsive per la conversione fotoelettrica e i sensori.
Materiali piezoelettrici e dielettrici: possono essere utilizzati come strati funzionali nei condensatori ceramici e nei componenti multistrato dei chip, con buone proprietà dielettriche.
Film per dispositivi integrati: film funzionali utilizzati nei circuiti integrati, come i condensatori ferroelettrici autopolarizzati.

Rapporti

Forniamo un certificato di analisi (COA) completo, una scheda di sicurezza dei materiali (MSDS) e i relativi rapporti di prova dei componenti per ogni lotto di target di sputtering all’ossido di germanio bismuto. Possiamo anche fornire rapporti di test di terze parti su richiesta del cliente per aumentare la fiducia nella qualità del materiale.

Formula molecolare: Bi₄Ge₃O₁₂
Peso molecolare: 1.017,8 g/mol
Aspetto: Bersaglio ceramico di colore bianco sporco o giallo chiaro, con superficie piatta e densa.
Densità: Circa 7,1 g/cm³ (vicina alla densità teorica)
Punto di fusione: Circa 930 °C (relativamente basso, adatto per applicazioni termosensibili)
Struttura cristallina: sistema cubico (struttura centrata sul corpo, buona isotropia)

Imballaggio interno: Sacchetti sigillati sottovuoto e imballati per evitare la contaminazione e l’umidità.

Imballaggio esterno: Cartoni o casse di legno selezionati in base alle dimensioni e al peso.

COD 83320800ST Categoria Marchio:

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