I target di sputtering
in siliciuro di cobalto
sono target in siliciuro di cobalto ad alta purezza con eccellente conduttività e stabilità termica, ampiamente utilizzati nella deposizione di film sottili semiconduttori, dispositivi microelettronici e strati conduttivi ad alta temperatura.
Offriamo target di sputtering CoSi2 in varie dimensioni, forme cristalline e gradi di purezza e forniamo assistenza per test su campioni e consulenza tecnica. Contattateci
per informazioni dettagliate e soluzioni di processo.
Struttura cristallina densa e uniforme
Conduttività stabile
Eccellente stabilità termica
Resistenza alla corrosione e all’usura
Adatto a vari processi di sputtering
Dimensioni e forma cristallina personalizzabili
Backplane e incollaggio personalizzabili
Supporta esperimenti di ricerca scientifica e verifica dei processi
Preparazione di film sottili semiconduttori:
i target in siliciuro di cobalto sono adatti alla deposizione di film sottili semiconduttori, garantendo film densi e uniformi e migliorando la conduttività dei dispositivi.
Deposizione di dispositivi microelettronici:
utilizzati per la deposizione di strati di metallizzazione in dispositivi microelettronici, migliorano la stabilità e l’affidabilità delle prestazioni dei dispositivi.
Strati conduttivi ad alta temperatura:
i film sottili conduttivi possono essere depositati ad alte temperature, mostrando una buona stabilità termica e conduttività.
Ricerca e sviluppo dei materiali:
ampiamente utilizzati negli istituti di ricerca e nei dipartimenti di ricerca e sviluppo aziendali per i test sulle prestazioni dei materiali e l’ottimizzazione dei parametri di processo.
D1: Per quali metodi di sputtering è adatto il target di sputtering al siliciuro di cobalto?
A1: Può essere utilizzato in processi a film sottile come la polverizzazione magnetronica, la polverizzazione RF e la deposizione chimica da vapore per soddisfare le esigenze di deposizione microelettronica.
D2: La forma cristallina del target può essere personalizzata?
A2: Sì, possiamo fornire diverse forme cristalline dei target in base alle esigenze dei clienti per ottimizzare le prestazioni dei film sottili.
D3: Il target è soggetto a crepe durante la polverizzazione?
A3: Preparato utilizzando un processo metallurgico ad alta densità, i grani sono uniformi, il che riduce efficacemente il rischio di crepe e vuoti.
Q4: Quali precauzioni devono essere prese durante la conservazione del bersaglio?
A4: Si consiglia di conservarlo in un ambiente sigillato, asciutto e ventilato, evitando l’umidità e la contaminazione per mantenere la stabilità delle prestazioni.
Ogni lotto viene fornito con:
Certificato di analisi (COA)
Scheda tecnica (TDS)
Scheda di sicurezza dei materiali (MSDS)
Rapporto di ispezione delle dimensioni
Rapporti di test di terze parti disponibili su richiesta
Siamo specializzati nella ricerca e sviluppo e nella fornitura stabile di target di sputtering in siliciuro di cobalto ad alta purezza
. Grazie a un sistema di gestione della qualità maturo e a capacità di personalizzazione flessibili, siamo in grado di fornire ai clienti soluzioni affidabili e tracciabili adatte alla ricerca scientifica e alle applicazioni industriali, contribuendo al progresso efficiente dei progetti.
Formula molecolare: CoSi₂
Peso molecolare: 115,11 g/mol
Aspetto: Da grigio-argento a nero metallico
Densità: 6,00 g/cm³
Punto di fusione: 1.400 ℃
Struttura cristallina: Cubica a facce centrate
Imballaggio interno: sacchetti sottovuoto e scatole per prevenire la contaminazione e l’umidità.
Imballaggio esterno: cartoni o casse di legno selezionati in base alle dimensioni e al peso.
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