| Product ID | Formula | Purity | Dimension | Inquiry |
|---|---|---|---|---|
| 721400ST001 | HfSi2 | 99.8% (Zr< 0.5wt%) | Ø 50.8 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 721400ST002 | HfSi2 | 99.8% (Zr< 0.5wt%) | Ø 76.2 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 721400ST003 | HfSi2 | 99.8% (Zr< 0.5wt%) | Ø 101.6 mm x 6.35 mm | Inquire |
I bersagli sputtering in siliciuro di afnio sono materiali ad alte prestazioni sviluppati specificamente per i processi di deposizione di film sottili per dispositivi elettronici ad alta temperatura, gate metallici di semiconduttori, strati tampone di elettrodi e altre applicazioni. Con una purezza del 99,8%, offrono un’eccellente densità e stabilità strutturale, consentendo una deposizione uniforme del film sottile e un’eccellente adesione, rendendoli adatti alla fabbricazione di film sottili funzionali in condizioni difficili.
Offriamo target di afnio siliciuro in una varietà di forme e dimensioni e possiamo personalizzarli per soddisfare i vostri requisiti specifici. Forniamo inoltre un supporto tecnico completo e un’assistenza post-vendita. Non esitate a contattarci per qualsiasi domanda sul loro utilizzo.
Purezza: 99,8%
Materiale ad alto punto di fusione, adatto ai processi di deposizione ad alta temperatura
Eccellente densità e conduttività, per migliorare la qualità del film
Dimensioni e forme personalizzabili, compresa la saldatura back-target
Adatto per gate metallici, barriere di diffusione e materiali a film sottile resistenti alle alte temperature
Dispositivi a semiconduttore dispositivi: Ampiamente utilizzato nelle strutture di gate in metallo ad alto K, negli strati di interconnessione e nei materiali per elettrodi di contatto.
Materiale dello strato barriera: HfSi₂ agisce come una barriera di diffusione stabile, impedendo efficacemente la migrazione del metallo. Film strutturali resistenti alle alte temperature: Offrono un’eccellente stabilità termica e inerzia chimica in ambienti ad alta temperatura.
MEMS e sistemi microelettronici: Adatti alla produzione di microsensori, elettrodi e strati protettivi.
Forniamo un Certificato di analisi (COA), Scheda di sicurezza dei materiali (MSDS) e rapporti sui parametri fisici rilevanti per ogni lotto di target HfSi₂. Supportiamo anche servizi di analisi di terze parti per soddisfare standard di controllo della qualità più elevati.
Formula molecolare: HfSi₂
Peso molecolare: 234,65 g/mol
Aspetto: Bersaglio grigio-nero con lucentezza metallica e superficie densa e liscia.
Densità: Circa 8,0 g/cm³ (vicina alla densità teorica)
Punto di fusione: Circa 1.830°C (punto di fusione elevato, adatto per processi a film sottile ad alta temperatura)
Struttura cristallina: Ortorombica (struttura di tipo C49)
Imballaggio interno: Sacchetti sigillati sottovuoto e imballati per evitare la contaminazione e l’umidità.
Imballaggio esterno: Cartoni o casse di legno selezionati in base alle dimensioni e al peso.
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