| Product ID | Formula | Purity | Dimension | Inquiry |
|---|---|---|---|---|
| 730800ST001 | Ta2O5 | 99.95% | Ø 50.8 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 730800ST002 | Ta2O5 | 99.95% | Ø 76.2 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 730800ST003 | Ta2O5 | 99.95% | Ø 101.6 mm x 6.35 mm | Inquire |
| 730800ST004 | Ta2O5 | 99.995% | Ø 25.4 mm x 6.35 mm | Inquire |
| 730800ST005 | Ta2O5 | 99.995% | Ø 50.8 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 730800ST006 | Ta2O5 | 99.995% | Ø 50.8 mm x 6.35 mm | Inquire |
| 730800ST007 | Ta2O5 | 99.995% | Ø 76.2 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 730800ST008 | Ta2O5 | 99.995% | Ø 101.6 mm x 6.35 mm | Inquire |
| 730800ST009 | Ta2O5 | 99.995% | Ø 203.2 mm x 6.35 mm | Inquire |
I bersagli sputtering in pentossido di tantalio sono un materiale chiave ampiamente utilizzato nella microelettronica, nell’optoelettronica e nell’ottica di precisione. La loro elevata costante dielettrica, l’eccellente trasparenza ottica e la stabilità termica consentono di dimostrare prestazioni eccezionali nei dispositivi elettronici di prossima generazione.
Offriamo una varietà di target di sputtering in pentossido di tantalio di varie dimensioni e forme, tra cui forme rotonde e rettangolari, che possono essere personalizzate per soddisfare i requisiti applicativi dei clienti. Forniamo inoltre un supporto tecnico completo e servizio post-vendita per garantire un uso efficiente e affidabile del materiale.
Purezza: dal 99,95% al 99,995%
Elevate proprietà dielettriche per dispositivi elettronici avanzati
Eccellente stabilità chimica per ambienti difficili
Dimensioni e specifiche personalizzabili per adattarsi a una varietà di apparecchiature di sputtering
Incollaggio del target servizi disponibili
Basso tasso di dispersione delle particelle per una migliore qualità del film
Semiconduttori Dispositivi: Utilizzato come materiale per l’ossido di gate ad alto valore k per dispositivi CMOS e condensatori DRAM.
Ottica Film sottili: Utilizzato come materiale ad alto indice di rifrazione in componenti ottici come filtri di interferenza e rivestimenti antiriflesso.
Memorizzazione dei dati: Utilizzato come strato di ossido funzionale nelle memorie resistive ad accesso casuale (RRAM). Celle solari: Serve come strato antiriflesso o strato tampone, migliorando l’efficienza di assorbimento della luce e la stabilità del dispositivo.
Forniamo un dettagliato Certificato di analisi (COA), scheda di sicurezza dei materiali (MSDS) e relazioni tecniche pertinenti per ogni lotto di target sputtering Ta₂O₅. Supportiamo anche servizi di test indipendenti da parte di istituzioni terze per migliorare ulteriormente la garanzia di qualità.
Formula molecolare: Ta₂O₅
Peso molecolare: 441,89 g/mol
Aspetto: Bersaglio ceramico bianco e denso con superficie liscia
Densità: Circa 8,2 g/cm³ (vicina alla densità teorica)
Punto di fusione: Circa 1.880°C
Struttura cristallina: Monoclino
Imballaggio interno: Sacchetti sigillati sottovuoto e imballati per evitare la contaminazione e l’umidità.
Imballaggio esterno: Cartoni o casse di legno selezionati in base alle dimensioni e al peso.
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