| Product ID | Formula | Purity | Dimension | Inquiry |
|---|---|---|---|---|
| 490800ST001 | In2O3 | 99.99% | Ø 50.8 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 490800ST002 | In2O3 | 99.99% | Ø 50.8 mm x 6.35 mm | Inquire |
| 490800ST003 | In2O3 | 99.99% | Ø 76.2 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 490800ST004 | In2O3 | 99.99% | Ø 101.6 mm x 4 mm | Inquire |
| 490800ST005 | In2O3 | 99.99% | Ø 101.6 mm x 6.35 mm | Inquire |
| 490800ST006 | In2O3 | 99.99% | Ø 152.4 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 490800ST007 | In2O3 | 99.99% | Ø 152.4 mm x 6.35 mm | Inquire |
| 490800ST008 | In2O3 | 99.99% | Ø 203.2 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 490800ST009 | In2O3 | 99.995% | Ø 50.8 mm x 6.35 mm | Inquire |
| 490800ST010 | In2O3 | 99.995% | Ø 76.2 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 490800ST011 | In2O3 | 99.995% | Ø 101.6 mm x 4 mm | Inquire |
| 490800ST012 | In2O3 | 99.995% | Ø 101.6 mm x 6.35 mm | Inquire |
| 490800ST013 | In2O3 | 99.995% | Ø 152.4 mm x 3.175 mm | Inquire |
L’ossido di indio (In2O3) è un materiale ceramico di elevata purezza ampiamente utilizzato nei film conduttivi trasparenti, nei dispositivi optoelettronici e nella ricerca avanzata sui semiconduttori. Grazie all’eccellente trasparenza ottica, alla conducibilità controllabile e alle proprietà chimiche stabili, il target di sputtering In₂O₃ è ideale per la deposizione di film sottili in display, celle solari e rivestimenti funzionali.
I nostri target sputtering In2O3 sono prodotti con una purezza del 99,995% (4N5) o superiore, caratterizzati da alta densità, microstruttura uniforme e prestazioni stabili per garantire una qualità riproducibile del film sottile sia per la produzione industriale che per la ricerca accademica.
Elevata purezza: 99,995% (4N5) o superiore per garantire prestazioni affidabili del film sottile.
Eccellente trasparenza: Elevata trasmissione ottica nel campo del visibile.
Proprietà elettriche stabili: Resistività regolabile adatta alle applicazioni optoelettroniche.
Microstruttura densa: L’elevata densità di sinterizzazione migliora l’efficienza dello sputtering.
Opzioni flessibili: Forme personalizzate, incollaggio e piastre di supporto disponibili.
Film conduttivi trasparenti: Utilizzati in display, OLED e pannelli tattili.
Dispositivi optoelettronici Dispositivi: Applicati in fotorivelatori, sensori e film sottili funzionali.
Celle solari a film sottile: Adatti per strati elettrodici e tampone.
Semiconduttori: Per transistor a film sottile e dispositivi integrati.
Ricerca e sviluppo: Ampiamente utilizzato nei laboratori per l’elettronica dell’ossido.
Fornitore professionale: Specializzato in target trasparenti conduttivi e semiconduttori per sputtering.
Supporto alla personalizzazione: Personalizzazione flessibile di dimensioni, purezza e composizione.
Controllo di qualità rigoroso: L’analisi delle impurità ICP-MS garantisce livelli di impurità bassissimi.
Consegna globale: Imballaggio sicuro, spedizione rapida, supporto ai clienti internazionali.
Documentazione completa: Fornitura di COA, TDS, MSDS e rapporti sulle impurità
F1. Qual è la purezza dei vostri target di sputtering In2O3?
A1. La purezza standard è del 99,99% (4N). Purezza più elevata è disponibile su richiesta.
F2. Potete fornire dimensioni e forme personalizzate?
A2. Sì, sono disponibili forme rotonde, rettangolari e personalizzate.
F3. Quali piastre di supporto fornite?
A3. Sono disponibili piastre in rame (Cu), molibdeno (Mo) e alluminio (Al).
F4. Quali sono le principali applicazioni degli obiettivi all’ossido di indio?
A4. Film conduttivi trasparenti, celle solari, sensori, TFT e progetti di R&S.
F5. Come vengono confezionati i target per la spedizione?
A5. Gli obiettivi sono sigillati sottovuoto e protetti con imballaggi antiurto per una consegna sicura.
Ogni lotto viene fornito con:
Certificato di analisi (COA)
Scheda tecnica (TDS)
Scheda di sicurezza dei materiali (MSDS)
I rapporti di analisi di terze parti sono disponibili su richiesta.
Formula molecolare: In₂O₃
Peso molecolare: 277,64 g/mol
Aspetto: Bersaglio ceramico bianco sporco o giallo pallido
Densità: ≥ 7,18 g/cm³ (vicina alla densità teorica)
Punto di fusione: 1910°C
Punto di ebollizione: ~2000°C
Struttura cristallina: Cubica (struttura bixbyite)
Metodo di legame: Nessun legame / In₂ saldatura / Fissaggio meccanico
Opzioni della piastra di supporto: Rame (Cu), molibdeno (Mo), alluminio (Al), opzioni personalizzate disponibili
Imballaggio interno: Sacchetti sigillati sottovuoto e inscatolati per evitare contaminazioni e umidità.
Imballaggio esterno: Cartoni o casse di legno selezionati in base alle dimensioni e al peso.
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