Nitruro di gallio

Panoramica sui wafer di nitruro di gallio

I wafer
di nitruro di gallio
sono dischi di substrato standardizzati prodotti mediante taglio, molatura e lucidatura di precisione di cristalli singoli di nitruro di gallio ad alta purezza. Essendo il materiale fondamentale per i semiconduttori a banda larga di terza generazione, eredita perfettamente le caratteristiche di alta frequenza, alta efficienza, alta tensione e alta temperatura del GaN. Forniscono un modello cristallino ideale per la crescita di film epitassiali GaN di alta qualità e costituiscono la base fisica per la produzione di tutti i dispositivi optoelettronici e di potenza GaN di fascia alta.

Offriamo substrati monocristallini GaN e wafer epitassiali in varie dimensioni, orientamenti cristallini, spessori e tipi di conduttività. Contattateci
per soluzioni personalizzate.

Caratteristiche principali del prodotto

Substrato semiconduttore a banda larga di terza generazione
Densità di difetti di dislocazione estremamente bassa
Elevata conduttività termica ed eccellente stabilità chimica
Tecnologia dei wafer di grandi dimensioni
Disponibili diversi orientamenti cristallini e opzioni di resistività

Applicazioni dei wafer GaN

Optoelettronica e display: funge da substrato epitassiale per la crescita dello strato epitassiale centrale nei LED blu/verdi/bianchi, nei diodi laser (LD) e nei chip per display Micro-LED.
Comunicazioni RF e microonde: utilizzati per la produzione di chip RF ad alta frequenza e alta potenza e amplificatori di potenza per stazioni base di comunicazione 5G/6G, comunicazioni satellitari e sistemi radar.
Elettronica di potenza: come substrati per la produzione di dispositivi elettronici di potenza ad alta efficienza e alta densità di potenza utilizzati nei veicoli a nuova energia, nei data center e nelle applicazioni di ricarica rapida.
Campi emergenti e di frontiera: per lo sviluppo di rilevatori UV, sensori ad alta temperatura, dispositivi di comunicazione quantistica e circuiti integrati di potenza ad alta efficienza di nuova generazione.

Domande frequenti

D1: Cosa distingue i wafer GaN dai wafer SiC?
A1: Si differenziano per i sistemi di materiali e il focus applicativo. I wafer GaN offrono una maggiore mobilità degli elettroni, rendendoli ideali per dispositivi RF e optoelettronici ad alta frequenza; i wafer SiC forniscono una conduttività termica superiore, privilegiando i dispositivi di potenza ad altissima tensione.

D2: Perché i wafer epitassiali GaN-on-Si sono più comuni?
A2: I motivi principali sono i vantaggi in termini di costo e dimensioni. La crescita epitassiale del GaN su substrati di silicio economici consente la fabbricazione di dispositivi su larga scala e a basso costo, anche se la qualità dei cristalli è inferiore rispetto all’omoepitassia GaN su GaN.

D3: Perché i wafer GaN sono così costosi?
A3: Principalmente a causa delle estreme difficoltà di fabbricazione. I cristalli singoli di GaN di alta qualità richiedono una crescita ad alta temperatura e pressione, il che comporta notevoli ostacoli tecnici, un elevato consumo energetico e bassi tassi di rendimento, con costi che superano di gran lunga quelli dei substrati di silicio.

D4: Come devono essere conservati e manipolati i wafer?
R4: Devono essere conservati e manipolati in appositi contenitori per wafer in ambienti ultra puliti. La manipolazione richiede estrema cura per evitare danni ai bordi e contaminazione della superficie, poiché sono fragili e richiedono standard di pulizia eccezionalmente elevati.

Rapporto

Ogni lotto viene fornito con:
Certificato di analisi (COA)

Scheda tecnica (TDS)

Scheda di sicurezza (MSDS)
Rapporti di test di terze parti disponibili su richiesta

Perché scegliere noi?

Sfruttando la nostra profonda competenza tecnica nei materiali semiconduttori a banda larga, forniamo prodotti di substrato GaN di alta qualità e ad alte prestazioni e soluzioni epitassiali professionali e affidabili.