I wafer
di germanio metallico
sono materiali di substrato a film sottile fabbricati da cristalli singoli di germanio di elevata purezza mediante taglio, molatura e lucidatura di precisione. Dotati di eccezionali proprietà semiconduttrici e caratteristiche ottiche uniche, fungono da materiali fondamentali per l’ottica a infrarossi moderna, il fotovoltaico ad alte prestazioni e i dispositivi semiconduttori avanzati. Come substrato chiave per componenti ottici a infrarossi di fascia alta e celle solari multigiunzione efficienti, fungono anche da piattaforma ideale per dispositivi integrati elettronici e optoelettronici ad alta velocità di nuova generazione.
Offriamo wafer di germanio in diverse specifiche, tra cui wafer lucidati standard, substrati epitassiali e wafer avanzati Ge-on-Insulator (Ge-on-Si). Sono disponibili opzioni di personalizzazione per l’orientamento dei cristalli, lo spessore e il trattamento superficiale. Contattate
il nostro team di vendita per ulteriori informazioni.
Purezza ultra elevata
Wafer di grande diametro
Densità di dislocazione estremamente bassa (monocristalli privi di dislocazioni)
Qualità superficiale superiore
Disponibili diverse opzioni di orientamento dei cristalli e resistività
Fornisce trattamenti superficiali pronti per l’epitassia
Ottica a infrarossi: utilizzati nella produzione di lenti, finestre e filtri a infrarossi ad alte prestazioni per sistemi di imaging termico e dispositivi di visione notturna.
Fotovoltaico ed energia: fungono da substrato per celle solari multigiunzione ad alta efficienza in composti III-V (ad es. GaAs), consentendo la massima efficienza di conversione fotovoltaica.
Dispositivi a semiconduttori
avanzati: funge da materiale di substrato per transistor nanometrici ad alta velocità e bassa potenza (ad esempio MOSFET GeOI), migliorando le prestazioni dei chip. Funziona come fotorilevatore e materiale modulatore nell’integrazione optoelettronica basata sul silicio, consentendo la conversione dei dati da ottici
a elettrici.
Epitassia eterogenea e scienza dei materiali: funge da modello ideale per la crescita epitassiale di semiconduttori composti III-V di alta qualità (ad esempio GaAs) utilizzati nei dispositivi optoelettronici.
D1: Qual è la differenza principale tra i wafer di germanio e quelli di silicio?
R1: La differenza fondamentale risiede nelle prestazioni. I wafer di germanio offrono un’elevata mobilità degli elettroni e trasparenza alla luce infrarossa, rendendoli adatti per dispositivi infrarossi e speciali di fascia alta. I wafer di silicio sono economici e hanno processi maturi, rimanendo il mainstream assoluto per i circuiti integrati.
D2: Qual è il livello di purezza richiesto per la produzione di semiconduttori?
R2: Estremamente alto. Per la produzione di dispositivi come i transistor, la purezza del germanio deve tipicamente raggiungere 8N (99,999999%) o superiore.
D3: Cosa distingue i wafer di germanio standard dai wafer GeOI?
R3: Le differenze strutturali. GeOI sta per “germanio su isolante” e combina l’elevata mobilità del germanio con le proprietà di isolamento elettrico superiori degli strati isolanti. Ciò consente la fabbricazione di dispositivi con prestazioni migliorate e un consumo energetico inferiore.
D4: Quali precauzioni sono necessarie per la manipolazione e lo stoccaggio dei wafer di germanio?
R4: La protezione dall’umidità è essenziale. Conservare in scatole dedicate per wafer in un ambiente pulito. Data la loro natura fragile, maneggiare con estrema cura durante la rimozione e il posizionamento per evitare urti sui bordi che potrebbero causarne la rottura.
Ogni lotto viene fornito con:
Certificato di analisi (COA)
Scheda di sicurezza (MSDS)
Rapporti di test di terze parti disponibili su richiesta
Sfruttando la nostra profonda competenza tecnica nella crescita dei cristalli di germanio e nella lavorazione dei wafer, forniamo soluzioni complete per substrati che spaziano dalle applicazioni a livello di materiale a quelle a livello di sistema.
Formula molecolare: Ge
Peso molecolare: 72,61
Aspetto: Fiocchi grigio-argento con una lucentezza metallica
Densità: 5,323 – 5,35 g/cm³
Punto di fusione: 937,4 °C
Punto di ebollizione: 2830 °C
Struttura cristallina: Struttura cristallina cubica di tipo diamantato
Imballaggio interno: sacchetti sottovuoto e scatole per prevenire la contaminazione e l’umidità.
Imballaggio esterno: cartoni o casse di legno selezionati in base alle dimensioni e al peso.
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