Carburo di titanio e silicio

 Target di sputtering in carburo di titanio e silicio Panoramica

I target di sputtering
in carburo di titanio e silicio
sono target ceramici funzionali basati su una struttura in fase MAX, che combinano la conduttività dei metalli con la resistenza alle alte temperature della ceramica. Questi target vengono utilizzati principalmente per preparare film sottili funzionali che richiedono resistenza alle alte temperature, conduttività e stabilità strutturale.

Offriamo target per sputtering Ti3SiC2 con composizione uniforme e struttura stabile, adatti per processi di sputtering con magnetron DC o RF. Sono disponibili diverse dimensioni e forme strutturali per soddisfare i requisiti delle apparecchiature. Contattateci
per i parametri tecnici e i suggerimenti di applicazione.

Caratteristiche principali del prodotto

Struttura cristallina a strati
in fase MAX

Buona conduttività elettrica, adatta per lo sputtering con magnetron
Eccellente stabilità termica e resistenza agli shock termici
Composizione stabile e buona ripetibilità durante la sputtering
Adatto per ambienti di deposizione ad alta temperatura e sottovuoto
Può essere utilizzato per preparare film sottili funzionali e strutturali

Applicazioni dei target di sputtering in carburo di titanio e silicio

Deposizione di film sottili funzionali:
utilizzati per preparare film sottili funzionali con conduttività e resistenza alle alte temperature, adatti per applicazioni in dispositivi funzionali di fascia alta.
Resistenza alle alte temperature e rivestimenti protettivi:
i film sottili Ti₃SiC₂ mostrano una buona stabilità strutturale in condizioni di alta temperatura e possono essere utilizzati per la protezione dalle alte temperature e per rivestimenti strutturali.
Ricerca sui semiconduttori e la microelettronica:
adatto per la deposizione di strati funzionali in dispositivi a semiconduttori, MEMS e ricerca sui materiali correlati.
Ricerca scientifica e sviluppo dei materiali:
ampiamente utilizzato nella ricerca sui film sottili in fase MAX, sui meccanismi di crescita e sui nuovi materiali stratificati.

Domande frequenti

D1: A quale metodo di sputtering è adatto il target di sputtering Ti3SiC2?
A1: Questo target ha una buona conduttività e può essere utilizzato per lo sputtering con magnetron a corrente continua, nonché per i sistemi di sputtering con magnetron a radiofrequenza.

D2: La composizione del target Ti3SiC2 è stabile durante lo sputtering?
A2: Con parametri di processo ragionevoli, questo target di sputtering può mantenere una buona consistenza compositiva, rendendolo adatto alla deposizione di film sottili con elevati requisiti di ripetibilità.

D3: Il target di sputtering Ti3SiC2 è adatto ai processi di deposizione ad alta temperatura?
A3: Sì, questo materiale target possiede un’eccellente stabilità termica e resistenza agli shock termici, rendendolo adatto a condizioni di sputtering ad alta temperatura o a lungo termine.

D4: In quali aree di ricerca viene tipicamente utilizzato il film sottile Ti3SiC2?
A4: Utilizzato principalmente nei film sottili MAX Phase, nella ricerca sui materiali biocompatibili, nei rivestimenti resistenti all’usura e alle alte temperature e nei film sottili ceramici conduttivi.

Rapporto

Ogni lotto viene fornito con:
Certificato di analisi (COA)

Scheda tecnica (TDS)

Scheda di sicurezza (MSDS)
Rapporto di ispezione delle dimensioni
Rapporti di test di terze parti disponibili su richiesta

Perché scegliere noi?

Siamo specializzati nella ricerca e nella fornitura di ceramiche funzionali e materiali target avanzati, fornendo soluzioni stabili e affidabili per il controllo della struttura dei materiali, la densificazione dei target e l’adattamento delle applicazioni, supportando la ricerca e le esigenze di deposizione di film sottili di livello industriale.