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Carburo di silicio

Chemical Name:
Carburo di silicio
Formula:
SiC
Product No.:
140600
CAS No.:
409-21-2
EINECS No.:
206-991-8
Form:
Bersaglio di sputtering
HazMat:
Product ID Formula Purity Dimension Inquiry
140600ST001 SiC 99.5% 299.6mm x 129mm x 5mm Inquire
140600ST002 SiC 99.5% Ø 25.4mm x 3.175 mm Inquire
140600ST003 SiC 99.5% Ø 25.4mm x 6.35 mm Inquire
140600ST004 SiC 99.5% Ø 50.8mm x 3.175 mm Inquire
140600ST005 SiC 99.5% Ø 50.8mm x 6.35 mm Inquire
140600ST006 SiC 99.5% Ø 101.6mm x 3.175 mm Inquire
140600ST007 SiC 99.9% Ø 76.2mm x 3.175mm Inquire
140600ST008 SiC 99.9% Ø 76.2mm x 6.35mm Inquire
140600ST009 SiC 99.95% Ø 200mm x 6mm Inquire
140600ST010 SiC 99.99% Ø 25.4mm x 3.175 mm Inquire
Product ID
140600ST001
Formula
SiC
Purity
99.5%
Dimension
299.6mm x 129mm x 5mm
Product ID
140600ST002
Formula
SiC
Purity
99.5%
Dimension
Ø 25.4mm x 3.175 mm
Product ID
140600ST003
Formula
SiC
Purity
99.5%
Dimension
Ø 25.4mm x 6.35 mm
Product ID
140600ST004
Formula
SiC
Purity
99.5%
Dimension
Ø 50.8mm x 3.175 mm
Product ID
140600ST005
Formula
SiC
Purity
99.5%
Dimension
Ø 50.8mm x 6.35 mm
Product ID
140600ST006
Formula
SiC
Purity
99.5%
Dimension
Ø 101.6mm x 3.175 mm
Product ID
140600ST007
Formula
SiC
Purity
99.9%
Dimension
Ø 76.2mm x 3.175mm
Product ID
140600ST008
Formula
SiC
Purity
99.9%
Dimension
Ø 76.2mm x 6.35mm
Product ID
140600ST009
Formula
SiC
Purity
99.95%
Dimension
Ø 200mm x 6mm
Product ID
140600ST010
Formula
SiC
Purity
99.99%
Dimension
Ø 25.4mm x 3.175 mm

Panoramica sui target di sputtering in carburo di silicio

I target di sputtering
in carburo di silicio
sono target ceramici adatti alla preparazione di film sottili altamente stabili, che possiedono un’eccellente resistenza alle alte temperature, all’usura e una stabilità chimica. Sono utilizzati principalmente per la preparazione di rivestimenti protettivi, film sottili funzionali e strutture a film sottile relative ai dispositivi elettronici.

Siamo in grado di fornire target di sputtering in carburo di silicio compatibili con il processo e supportare
l’integrazione tecnica
tra le strutture dei target e le condizioni di deposizione. Contattateci
subito!

Caratteristiche principali del prodotto

Composizione stabile del film
Forte adattabilità alle condizioni di alta temperatura
Eccellente resistenza all’usura e alla corrosione
Buona stabilità del processo di sputtering
Adatto a vari processi di deposizione

Applicazioni dei target di sputtering in carburo di silicio

Rivestimenti protettivi e resistenti all’usura:
i target in carburo di silicio sono comunemente utilizzati per preparare film sottili protettivi ad alta durezza, migliorando la resistenza all’usura superficiale e la durata.
Film sottili elettronici e funzionali:
adatti per la deposizione di dispositivi elettronici e film sottili funzionali, soddisfano i requisiti delle applicazioni ad alta temperatura e ad alta potenza.
Ingegneria ottica e funzionale delle superfici:
nell’ingegneria funzionale delle superfici, i film sottili in carburo di silicio forniscono proprietà fisiche e chimiche stabili.
Ricerca e sviluppo di processi:
ampiamente utilizzati nelle fasi di ricerca e sviluppo in laboratorio e di convalida dei processi, supportano l’ottimizzazione dei parametri di processo.

Domande frequenti

D1: Quali processi di deposizione sono adatti per i target di sputtering in carburo di silicio?
R1: Comunemente utilizzati nei processi di deposizione di film sottili come lo sputtering magnetronico, soddisfano vari requisiti di processo.

D2: Come si comportano i target in carburo di silicio nella deposizione ad alta temperatura?
R2: Mantengono una buona stabilità strutturale e uniformità di sputtering anche in condizioni di alta temperatura.

D3: Quali sono i principali vantaggi dei film sottili in SiC?
R3: Si riflettono principalmente nell’elevata durezza, resistenza all’usura, resistenza alla corrosione e buona stabilità termica.

D4: La struttura del bersaglio influisce sulla stabilità della polverizzazione?
R4: Una struttura del bersaglio ben progettata contribuisce a migliorare la stabilità del processo di polverizzazione e l’uniformità del film sottile.

Rapporto

Ogni lotto viene fornito con:
Certificato di analisi (COA)

Scheda tecnica (TDS)

Scheda di sicurezza (MSDS)
Rapporto di controllo delle dimensioni
Rapporti di test di terze parti disponibili su richiesta

Perché scegliere noi?

Possediamo capacità di fornitura continua e comprensione dei processi nel campo dei target di sputtering ceramici, che ci consentono di fornire target di sputtering in carburo di silicio stabili e tracciabili, supportando i clienti nel raggiungimento di risultati affidabili nella deposizione di film sottili durante le fasi di ricerca e sviluppo e applicazione.

Formula molecolare: SiC
Peso molecolare: 52,11 g/mol
Aspetto: Blocco nero e denso
Densità: 3,21-3,22 g/cm³ (target sinterizzato)
Punto di fusione: 2730 °C (si decompone)
Struttura cristallina: Esagonale (α-SiC); Cubica (β-SiC)

Imballaggio interno: sacchetti sottovuoto e scatole per prevenire la contaminazione e l’umidità.

Imballaggio esterno: cartoni o casse di legno selezionati in base alle dimensioni e al peso.

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