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Biossido di silicio

Chemical Name:
Biossido di silicio
Formula:
SiO2
Product No.:
140801
CAS No.:
14808-60-7
EINECS No.:
238-878-4
Form:
Wafer
HazMat:
Product ID Formula Purity Dimension Inquiry
140801WF001 SiO2 99.99% Dia 2 inch x 285μm Inquire
140801WF002 SiO2 99.99% Dia 4 inch x 285μm Inquire
140801WF003 SiO2 99.99% Dia 4 inch x 285μm Inquire
Product ID
140801WF001
Formula
SiO2
Purity
99.99%
Dimension
Dia 2 inch x 285μm
Product ID
140801WF002
Formula
SiO2
Purity
99.99%
Dimension
Dia 4 inch x 285μm
Product ID
140801WF003
Formula
SiO2
Purity
99.99%
Dimension
Dia 4 inch x 285μm

Panoramica sui wafer di biossido di silicio

I wafer
di biossido di silicio
sono fogli di ossido di silicio ad alta purezza con eccellente stabilità termica, inerzia chimica e planarità superficiale. Sono ampiamente utilizzati nella produzione di semiconduttori, dispositivi microelettronici e deposizione di film sottili ottici
.

Offriamo wafer di SiO2 in varie specifiche e supportiamo l’integrazione tecnica per dimensioni, spessore e corrispondenza dei processi. Contattateci
subito!

Caratteristiche principali del prodotto

Elevata stabilità termica e inerzia chimica
Superficie liscia con elevata planarità
Dimensioni e spessore personalizzabili
Adatto per processi di semiconduttori e film sottili ottici
Elevata compatibilità di processo

Applicazioni del wafer di biossido di silicio

Produzione di dispositivi a semiconduttori:
i wafer di SiO₂ possono essere utilizzati come substrati o materiali isolanti per dispositivi elettronici, migliorando le prestazioni e l’affidabilità dei dispositivi.
Deposizione di film sottili microelettronici:
utilizzati per la preparazione di film sottili microelettronici, garantiscono l’adesione del film e l’uniformità dello spessore.
Applicazioni di film sottili ottici:
adatti alla preparazione di film funzionali ottici, film antiriflesso e film conduttivi trasparenti.
Ricerca e convalida dei processi:
supportano la ricerca su nuovi materiali e processi di film sottili, convalidando i parametri di deposizione e gli effetti dei processi.

Domande frequenti

D1: In quali processi possono essere utilizzati i wafer di SiO₂?
R1: Utilizzati principalmente nella produzione di dispositivi a semiconduttori, nella deposizione di film sottili microelettronici e nella fabbricazione di film sottili ottici.

D2: I wafer di ossido di silicio sono stabili nei processi ad alta temperatura?
A2: I wafer di SiO₂ hanno un’elevata stabilità termica e possono mantenere la loro struttura e le loro prestazioni nei processi ad alta temperatura.

D3: La planarità della superficie del wafer influisce sull’applicazione?
A3: L’elevata planarità garantisce una deposizione uniforme del film sottile e prestazioni costanti del dispositivo.

D4: I wafer di SiO₂ possono essere utilizzati direttamente per la deposizione di film sottili?
A4: Sì, sono adatti per substrati utilizzati nella deposizione di film sottili funzionali ottici e semiconduttori.

Rapporti

Ogni lotto viene fornito con:
Certificato di analisi (COA)

Scheda tecnica (TDS)

Scheda di sicurezza dei materiali (MSDS)
Rapporto di ispezione delle dimensioni
Rapporti di test di terze parti disponibili su richiesta

Perché scegliere noi?

Abbiamo una vasta esperienza nel campo della fornitura di wafer di ossido di silicio e siamo in grado di fornire wafer di SiO₂ altamente stabili e tracciabili per supportare i clienti nel raggiungimento di coerenza e affidabilità nella deposizione di film sottili e nella produzione di dispositivi durante le fasi di ricerca e sviluppo e applicazione.

Formula molecolare: SiO2
Peso molecolare: 60,08 g/mol
Aspetto: Cialda bianca
Densità: 2,65 g/cm³
Punto di fusione: 1710 °C
Punto di ebollizione: 2230 °C
Struttura cristallina: Tetragonale/esagonale (quarzo)

Imballaggio interno: sacchetti sottovuoto e scatole per prevenire la contaminazione e l’umidità.

Imballaggio esterno: cartoni o casse di legno selezionati in base alle dimensioni e al peso.

COD 140801WF Categoria Tags: Marchio:

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