I target di sputtering
in vanadio-tungsteno
sono target in lega composti principalmente da vanadio e tungsteno, che possiedono un alto punto di fusione, una buona conduttività e un’eccellente stabilità del film sottile. Questi target sono ampiamente utilizzati nei processi di deposizione fisica da vapore per dispositivi a semiconduttori, rivestimenti funzionali e film sottili resistenti alle alte temperature.
Siamo in grado di personalizzare i target di sputtering in vanadio-tungsteno con diversi rapporti di composizione, dimensioni e metodi di incollaggio del backplane in base alle specifiche attrezzature di sputtering e ai requisiti di processo. Non esitate a contattarci
direttamente per discutere i dettagli tecnici.
Sistema di leghe ad alto punto di fusione
Formazione di film densi e struttura stabile
Adatto per sputtering DC e magnetron
Purezza e rapporto di composizione controllabili
Adatto per la lavorazione di incollaggio del backplane
Buona uniformità dei lotti, adatto per la produzione di massa
Film sottili di metallo per semiconduttori:
possono essere utilizzati per preparare film sottili di metallo o lega altamente stabili, che fungono da strati conduttivi o funzionali nei dispositivi microelettronici.
Rivestimenti funzionali ad alta temperatura:
grazie all’alto punto di fusione del tungsteno, questo materiale è adatto per rivestimenti a film sottile che operano in ambienti ad alta temperatura, migliorando la resistenza al calore e la durata dei dispositivi.
Materiale per strati barriera di diffusione:
nelle strutture dei circuiti integrati, i film sottili di vanadio-tungsteno possono fungere da strati barriera di diffusione per sopprimere la migrazione degli elementi e migliorare l’affidabilità dei dispositivi.
Ricerca scientifica e sviluppo di nuovi materiali:
questo bersaglio di sputtering è comunemente utilizzato nelle università e negli istituti di ricerca per la ricerca su nuovi film sottili in lega, proprietà elettriche o stabilità termica.
D1: Quale piastra di supporto viene tipicamente utilizzata per i bersagli di sputtering in vanadio-tungsteno?
R1: Le piastre di supporto in rame sono tipicamente utilizzate per il bonding al fine di migliorare la conduttività termica e garantire la stabilità termica durante lo sputtering.
D2. Quali metodi di sputtering sono adatti per i target di sputtering in vanadio-tungsteno?
R2: Questo target può essere utilizzato sia per lo sputtering DC che per lo sputtering magnetron, a seconda della configurazione dell’apparecchiatura e dei requisiti di progettazione del film sottile.
D3: È possibile regolare il rapporto di composizione?
R3: Sì, il rapporto tra vanadio e tungsteno può essere regolato in base alle diverse esigenze applicative per soddisfare i requisiti di prestazione elettrica o strutturale.
Q4: Il bersaglio è soggetto a crepe durante l’uso?
A4: Con un incollaggio del backplate e parametri di processo ragionevoli, i bersagli di sputtering in vanadio-tungsteno mostrano una buona stabilità strutturale e non sono soggetti a crepe.
Ogni lotto viene fornito con:
Certificato di analisi (COA)
Scheda di sicurezza (MSDS)
Rapporto di ispezione delle dimensioni
Rapporti di test di terze parti disponibili su richiesta
Siamo specializzati nella preparazione e nella lavorazione di target di sputtering in lega, abbiamo familiarità con vari sistemi di materiali a base di vanadio e tungsteno e siamo in grado di fornire un supporto tecnico stabile e affidabile dalla selezione dei materiali e dall’incollaggio
della piastra posteriore all’applicazione finale, aiutando i clienti a ridurre i costi di prova ed errore e a migliorare la coerenza del processo di film sottile.
Formula molecolare: VW
Aspetto: Lucentezza metallica grigio-argentea, si presenta in forma solida e metallica.
Imballaggio interno: sacchetti sottovuoto e scatole per prevenire la contaminazione e l’umidità.
Imballaggio esterno: cartoni o casse di legno selezionati in base alle dimensioni e al peso.
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