Ossido di gallio

Panoramica sui granuli di ossido di gallio

L’ossido di gallio è un materiale semiconduttore emergente a banda proibita ultra larga con formula chimica Ga₂O₃, che si presenta tipicamente come una polvere cristallina bianca. Con un bandgap ultra-ampio di circa 4,8-4,9 eV, un’intensità di campo di rottura teorica eccezionalmente elevata e un fattore Baliga eccezionale, dimostra un immenso potenziale nell’elettronica di potenza ad altissima tensione di nuova generazione e nei dispositivi optoelettronici a ultravioletti profondi. È considerato uno dei materiali rappresentativi dei “semiconduttori di quarta generazione”.

Offriamo granuli e polveri di β-Ga2O3 ad alta purezza, supportando la personalizzazione per diversi livelli di purezza, dimensioni delle particelle e fasi cristalline (principalmente fase β). Contattateci per richiedere campioni.

Caratteristiche principali del prodotto

Semiconduttore a banda proibita ultra ampia (~4,9 eV)
Resistenza al campo elettrico di rottura eccezionalmente elevata (~8 MV/cm)
Eccellente indice di Baliga
Polimorfismi selezionabili (prevalentemente fase β, fase stabile)
Elevata purezza e dimensione delle particelle controllabile

Applicazioni dei granuli di ossido di gallio

Elettronica di potenza ad altissima tensione: utilizzati nella produzione di diodi a barriera Schottky, transistor ad effetto di campo, ecc., per applicazioni ad altissima tensione in veicoli a nuova energia e reti intelligenti.
Fotodeteczione nell’ultravioletto profondo: utilizzati nella produzione di fotorilevatori nell’ultravioletto profondo per la banda solare cieca, applicati nell’allerta missilistica, nel rilevamento di fiamme e nelle comunicazioni nell’ultravioletto.
Materiali di substrato ed epitassiali: funge da substrato monocristallino o materiale a film sottile per la crescita epitassiale omogenea o eterogenea di GaO di alta qualità.
Sensori di gas: sfrutta l’attività superficiale per fabbricare sensori di gas altamente sensibili per il rilevamento di ossigeno, gas combustibili e altro ancora.

Domande frequenti

D1: Quali vantaggi offre l’ossido di gallio rispetto al carburo di silicio e al nitruro di gallio?
A1: Potenziale di costo inferiore e limite teorico di prestazioni più elevato. È promettente per ottenere perdite di conduzione inferiori e tensione di rottura più elevata in applicazioni ad altissima tensione (>1,2 kV). Inoltre, è possibile far crescere cristalli singoli di grandi dimensioni dalla fusione, riducendo potenzialmente i costi.

D2: Che cos’è la “fase β” dell’ossido di gallio?
R2: La fase cristallina più stabile. Il β-Ga₂O₃ è la forma cristallina più stabile dal punto di vista termodinamico e la fase primaria attualmente utilizzata nella ricerca e nelle applicazioni dei dispositivi di potenza, che presenta eccellenti proprietà elettriche.

D3: È sicuro utilizzare i granuli di ossido di gallio?
R3: Maneggiare secondo i protocolli di sicurezza chimica. Trattandosi di una polvere di ossido inorganico, evitare l’inalazione e il contatto con gli occhi. Indossare dispositivi di protezione durante la manipolazione. Fare riferimento alla scheda di sicurezza (MSDS) per informazioni specifiche sulla sicurezza.

D4: Perché l’ossido di gallio è attualmente relativamente costoso?
R4: Si trova nelle prime fasi di industrializzazione. Attualmente, la preparazione di materiali ad alta purezza, la crescita di cristalli singoli e i processi di fabbricazione dei dispositivi non hanno ancora raggiunto la produzione su larga scala. La catena di approvvigionamento è agli inizi, il che comporta costi più elevati. Tuttavia, con il progresso della tecnologia, si prevede una diminuzione dei costi.

Rapporto

Ogni lotto viene fornito con:
Certificato di analisi (COA)

Scheda tecnica (TDS)

Scheda di sicurezza (MSDS)
Rapporti di test di terze parti disponibili su richiesta

Perché scegliere noi?

Siamo specializzati in materiali semiconduttori all’avanguardia e forniamo materie prime di ossido di gallio di alta qualità e approfondimenti tecnici professionali per aiutarti a cogliere le opportunità offerte dallo sviluppo dei semiconduttori di quarta generazione.