Ossido di gallio

Panoramica sui target di sputtering in ossido di gallio

I target di sputtering
in ossido di gallio
sono target ceramici densi fabbricati con polvere di ossido di gallio ad alta purezza attraverso processi avanzati di formatura e sinterizzazione. Composti principalmente dalla fase β più stabile, fungono da materiale di base per il deposito di film sottili di ossido di gallio nei processi di deposizione fisica da vapore. Essendo un semiconduttore di nuova generazione con banda proibita ultra ampia, i film depositati utilizzando questo bersaglio costituiscono la base per la produzione di dispositivi elettronici di potenza ad altissima tensione di nuova generazione e dispositivi optoelettronici a ultravioletto profondo.

Offriamo bersagli di sputtering in ceramica Ga2O3 ad alta purezza in diverse dimensioni, caratterizzati prevalentemente dalla fase β. Sono disponibili anche servizi di incollaggio
professionali. Contattateci
per gli elenchi delle specifiche e le soluzioni personalizzate.

Caratteristiche principali del prodotto

Purezza elevatissima
Alta densità e bassa porosità
Struttura in fase β stabile
Eccellente uniformità microstrutturale
Controllo dimensionale preciso Servizi
di incollaggio
disponibili

Applicazioni dei target di sputtering Ga2O3

Dispositivi a semiconduttori di potenza: deposita film di Ga₂O₃ per la produzione di diodi Schottky ad altissima tensione e transistor ad effetto di campo, utilizzati nei veicoli a nuova energia e nelle reti intelligenti.
Dispositivi optoelettronici a ultravioletto profondo: utilizzati per fabbricare fotorilevatori UV day-blind e film conduttivi trasparenti per comunicazioni UV, sistemi di allarme preventivo e applicazioni di rilevamento.
Rivestimenti protettivi e funzionali: impiegati come rivestimenti duri resistenti all’usura e alla corrosione o strati isolanti per strumenti di precisione e superfici di componenti elettronici.

Domande frequenti

D1: Quali sono i vantaggi dei target GaO rispetto ai target SiC e GaN?
A1: Bandgap più ampio e tensione di rottura teorica più elevata. Offrono un maggiore potenziale per la produzione di dispositivi di potenza ad altissima tensione (>1200 V), promettendo minori perdite di energia.

D2: Qual è il livello di purezza richiesto?
A2: Dipende dall’applicazione. La ricerca e lo sviluppo e i dispositivi di fascia alta richiedono in genere una purezza del 99,99% (4N) o superiore per garantire prestazioni elettriche ottimali del film sottile.

D3: Offrite servizi di incollaggio? Perché è necessario?
R3: Sì. L’incollaggio su una piastra di supporto metallica (ad esempio in rame) consente un’efficiente dissipazione del calore e un montaggio sicuro, evitando che i target ceramici fragili si rompano durante la polverizzazione.

D4: Come devono essere conservati e mantenuti i target?
R4: Conservare in contenitori sigillati e resistenti all’umidità in un ambiente asciutto e pulito. Pulire la superficie del bersaglio dopo l’uso per evitare contaminazioni e impatti fisici.

Rapporto

Ogni lotto viene fornito con:
Certificato di analisi (COA)

Scheda tecnica (TDS)

Scheda di sicurezza (MSDS)
Rapporti di test di terze parti disponibili su richiesta

Perché scegliere noi?

Forniamo una soluzione completa, dalle polveri ad alta purezza alla produzione di bersagli di precisione e ai test di incollaggio, fungendo da partner affidabile nello sviluppo di tecnologie di semiconduttori di quarta generazione.