Fosfuro di gallio

Panoramica sui target di sputtering in fosfuro di gallio

I target di sputtering
in fosfuro di gallio
sono target ceramici funzionali fabbricati con materiale in fosfuro di gallio ad alta purezza tramite processi avanzati di metallurgia delle polveri o fusione. Essendo un classico semiconduttore composto III-V, il fosfuro di gallio possiede un bandgap indiretto di circa 2,26 eV. Progettato specificamente per i processi di deposizione fisica da vapore (PVD), questo materiale target consente la deposizione di film GaP di alta qualità. Funge da materiale di base per la produzione di dispositivi optoelettronici a lunghezza d’onda specifica, componenti elettronici ad alta velocità e rivestimenti funzionali specializzati.

Offriamo target di sputtering in ceramica GaP di alta qualità in diverse purezze e dimensioni, con servizi di incollaggio opzionali. Contattateci.

Caratteristiche principali del prodotto

Elevata purezza e stechiometria precisa
Classico materiale semiconduttore III-V
Eccellente uniformità di deposizione del film
Alta densità e bassa porosità
Servizi di incollaggio professionali disponibili

Applicazioni dei target di sputtering in fosfuro di gallio

Dispositivi optoelettronici specializzati: utilizzati per la deposizione di film sottili per la produzione di diodi a emissione luminosa (LED) rossi e giallo-verdi o fotorilevatori a lunghezza d’onda specifica.
Dispositivi elettronici ad alta velocità: fungono da materiale per film sottili per strati funzionali o tampone in alcuni componenti elettronici ad alta frequenza.
Rivestimenti ottici e protettivi: sfruttano la loro stabilità fisico-chimica per depositare rivestimenti funzionali resistenti all’usura e alla corrosione o film ottici.
Ricerca sui materiali di frontiera: funge da fonte di deposizione di film sottili di GaP per la ricerca fondamentale e applicata su eterogiunzioni innovative, materiali a bassa dimensionalità e fisica dei dispositivi.

Domande frequenti

D1: Quali sono le principali applicazioni dei materiali target GaP?
R1: Utilizzati principalmente per la deposizione di film sottili di GaP per la produzione di emettitori di luce visibile a lunghezze d’onda specifiche e determinati dispositivi elettronici ad alta velocità.

D2: Quali requisiti di purezza si applicano ai materiali target?
A2: Per garantire le prestazioni del film, la purezza richiesta è in genere del 99,99% (4N) o superiore, a seconda delle specifiche di prestazione del dispositivo.

D3: Cosa bisogna considerare nella scelta dei materiali target GaP?
A3: Concentrarsi sulla precisione dei rapporti stechiometrici, sulla densità del materiale target e sulla disponibilità di servizi di legame compatibili con le proprie apparecchiature.

D4: Come devono essere conservati e immagazzinati i target?
A4: Conservare sigillati in un ambiente asciutto e pulito. Maneggiare con cura per evitare urti. Mantenere pulita la superficie del target dopo l’uso.

Segnalare

Ogni lotto viene fornito con:
Certificato di analisi (COA)

Scheda tecnica (TDS)

Scheda di sicurezza (MSDS)
Rapporti di test di terze parti disponibili su richiesta

Perché scegliere noi?

Sfruttando la nostra esperienza nei target per semiconduttori composti, forniamo target GaP stabili, affidabili e di alta qualità e soluzioni personalizzate.