I target di sputtering
in tellururo di rame
sono un materiale fondamentale per il deposito di film funzionali semiconduttori e termoelettrici.
Forniamo target ad alta purezza con rapporti stechiometrici precisi. Sono benvenute richieste di informazioni relative alle specifiche tecniche
e ai requisiti personalizzati.
Elevata efficienza di conversione termoelettrica
Proprietà chimiche stabili del film
Elevato grado di purezza del materiale
Prestazioni di sputtering superiori e affidabili
Dispositivi termoelettrici: utilizzati per fabbricare strati critici di film sottile in moduli termoelettrici ad alte prestazioni, convertendo direttamente il calore residuo in energia elettrica utilizzabile.
Strato assorbente fotovoltaico: funge da materiale assorbente alternativo per le nuove celle solari a film sottile, mostrando caratteristiche di risposta fotoelettrica uniche.
Materiale per memorie a cambiamento di fase: utilizzato in dispositivi avanzati di memoria a cambiamento di fase (PCM), sfrutta le sue transizioni cristalline-amorfe rapide e stabili per l’archiviazione dei dati.
Rilevamento e sensori a infrarossi: i film depositati consentono la fabbricazione di fotorilevatori ed elementi sensibili a specifiche bande di lunghezza d’onda infrarossa.
D1: Quali sono le caratteristiche principali dei film sottili di tellururo di rame?
R1: Presentano eccellenti proprietà termoelettriche, un bandgap stretto e sensibilità alla luce infrarossa, che li rendono adatti per applicazioni di conversione e rilevamento dell’energia.
D2: Il rapporto stechiometrico (Cu:Te) del materiale target è regolabile?
R2: Sì, possiamo preparare materiali target con diversi rapporti stechiometrici, come CuTe o Cu₂Te, in base alle vostre esigenze di ricerca o di processo.
D3: Quali sono i requisiti per l’ambiente di sputtering quando si utilizza questo materiale target?
A3: In genere è necessaria un’atmosfera controllata, soprattutto durante lo sputtering reattivo, dove è essenziale un controllo preciso delle pressioni parziali dei gas di reazione (ad esempio azoto, ossigeno) per ottenere il film target.
D4: Come viene valutata la sua prestazione termoelettrica?
A4: Principalmente misurando il coefficiente di Seebeck, la conduttività elettrica e la conduttività termica del film depositato, calcolando infine il suo fattore di merito (valore ZT).
Ogni lotto viene fornito con:
Certificato di analisi (COA)
Scheda di sicurezza (MSDS)
Rapporti di test di terze parti disponibili su richiesta
Siamo specializzati in target per semiconduttori
composti. Grazie a tecniche di fabbricazione avanzate e a rigorosi sistemi di gestione della qualità, garantiamo prestazioni eccezionali in termini di uniformità e affidabilità in ogni target. Impegnati a fornire un supporto tecnico professionale e soluzioni personalizzate, siamo il vostro partner affidabile per la ricerca e le applicazioni pionieristiche nel campo della tecnologia a film sottile.
Formula chimica: CuTe
Peso molecolare: 159,56 g/mol
Aspetto: Materiale bersaglio nero e denso
Densità: 6,2 g/cm³
Punto di fusione: 1.050 °C (prima della decomposizione)
Struttura cristallina: Esagonale
Imballaggio interno: sacchetti sottovuoto e scatole per prevenire la contaminazione e l’umidità.
Imballaggio esterno: cartoni o casse di legno selezionati in base alle dimensioni e al peso.
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