Ossido di indio-ossido di gallio (In2O3-Ga2O3) è un materiale ceramico di elevata purezza ampiamente applicato nell’elettronica trasparente, nei dispositivi optoelettronici e nella ricerca avanzata sui semiconduttori. Grazie all’eccellente trasparenza ottica, alla conducibilità elettrica stabile e alle proprietà termiche superiori, il target In2O3-Ga2O3 è ideale per la deposizione di film sottili nelle tecnologie di visualizzazione, nell’elettronica di potenza e nei componenti optoelettronici di prossima generazione.
I nostri target di sputtering In2O3-Ga2O3 sono prodotti con una purezza del 99,99% (4N), un’elevata densità e una microstruttura uniforme, che assicurano prestazioni e riproducibilità costanti dei film sottili per applicazioni industriali e accademiche.
Elevata purezza: 99,99% (4N) per garantire prestazioni ottiche ed elettroniche affidabili.
Microstruttura stabile: Densa e uniforme per una migliore efficienza di sputtering.
Eccellente trasparenza: Adatto per film sottili trasparenti conduttivi e funzionali.
Stabilità termica: Resiste ai processi di deposizione di film sottili ad alta temperatura.
Specifiche flessibili: Sono disponibili forme rotonde, rettangolari o personalizzate.
Elettronica trasparente: Utilizzato in strati conduttivi trasparenti e dispositivi a film sottile.
Dispositivi optoelettronici Dispositivi optoelettronici: Applicati in sensori, rivelatori e rivestimenti ottici avanzati.
Transistor a film sottile (TFT): Strati funzionali per i backplane dei display.
Elettronica di potenza: Il Ga₂O₃ migliora le prestazioni ad alta tensione e ad alta frequenza.
Materiali per R&S: Ampiamente utilizzato nei laboratori per la ricerca sui semiconduttori e sulla scienza dei materiali.
Produzione professionale: Si concentra sulla fornitura di target di ossido e semiconduttori ad alta purezza per lo sputtering.
Personalizzati Specifiche: Supporto alla personalizzazione delle dimensioni, della purezza e dei rapporti di composizione dei target.
Controllo di qualità rigoroso: Utilizzando l’analisi delle impurità ICP-MS per garantire bassi livelli di impurità.
Consegna globale: Fornendo un imballaggio sicuro e servizi logistici rapidi.
Assistenza tecnica: Ogni lotto di prodotti viene fornito con un rapporto completo di COA, TDS, MSDS e analisi delle impurità.
F1. Quale livello di purezza offrite per i target di sputtering all’ossido di indio e gallio?
A1. La purezza standard è del 99,99% (4N). Purezza più elevata è disponibile su richiesta.
F2. Potete fornire forme e dimensioni diverse?
A2. Sì, forniamo obiettivi circolari, rettangolari e di forma personalizzata in base alle esigenze del cliente.
F3. Quali opzioni di piastra di supporto sono disponibili?
A3. Offriamo piastre di supporto in Cu, Mo e Al a seconda dei requisiti di deposizione.
F4. Come sono confezionati gli obiettivi?
A4. Sigillati sotto vuoto e protetti con un imballaggio antiurto per garantire una consegna sicura.
F5. Quali industrie utilizzano principalmente i target In2O3-Ga2O3?
A5. Sono utilizzati nei film conduttivi trasparenti, nell’optoelettronica, nei display TFT e nella ricerca sull’elettronica di potenza.
Ogni lotto viene fornito con:
Certificato di analisi (COA)
Scheda tecnica (TDS)
Scheda di sicurezza dei materiali (MSDS)
I rapporti di analisi di terze parti sono disponibili su richiesta.
Formula molecolare: In₂O₃-Ga₂O₃
Aspetto: Obiettivo ceramico denso di colore bianco sporco o grigio chiaro
Struttura cristallina: Cubica (fase primaria In₂O₃), Monoclino/Ortorombica (fase Ga₂O₃)
Metodo di legame: Disponibile in versione non incollata, con incollaggio In₂O₃ o fissata meccanicamente
Opzioni della piastra di supporto: Rame (Cu), molibdeno (Mo), alluminio (Al), personalizzabile su richiesta
Imballaggio interno: Sacchetti sigillati sottovuoto e inscatolati per evitare contaminazioni e umidità.
Imballaggio esterno: Cartoni o casse di legno selezionati in base alle dimensioni e al peso.
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