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Ossido di afnio

Chemical Name:
Ossido di afnio
Formula:
HfO2
Product No.:
720800
CAS No.:
12055-23-1
EINECS No.:
235-013-2
Form:
Bersaglio di sputtering
HazMat:
Product ID Formula Purity Dimension Inquiry
720800ST001 HfO2 99.9% (Zr< 0.5wt%) Ø 76.2 mm x 3.175 mm Inquire
720800ST002 HfO2 99.9% (Zr< 0.5wt%) Ø 76.2 mm x 6.35 mm Inquire
720800ST003 HfO2 99.9% (Zr< 0.5wt%) Ø 101.6 mm x 6.35 mm Inquire
Product ID
720800ST001
Formula
HfO2
Purity
99.9% (Zr< 0.5wt%)
Dimension
Ø 76.2 mm x 3.175 mm
Product ID
720800ST002
Formula
HfO2
Purity
99.9% (Zr< 0.5wt%)
Dimension
Ø 76.2 mm x 6.35 mm
Product ID
720800ST003
Formula
HfO2
Purity
99.9% (Zr< 0.5wt%)
Dimension
Ø 101.6 mm x 6.35 mm

Obiettivi per sputtering all’ossido di afnio Panoramica

I bersagli sputtering in ossido di afnio sono materiali ceramici avanzati progettati specificamente per processi di deposizione di film sottili ad alte prestazioni. La loro purezza estremamente elevata e la struttura densa assicurano una deposizione uniforme e stabile di film sottili, un’adesione eccellente e un contenuto di impurità estremamente basso, soddisfacendo i severi requisiti delle industrie dei semiconduttori e dell’optoelettronica.

Offriamo una varietà di target per sputtering di ossido di afnio in varie dimensioni e forme, personalizzabili per soddisfare le esigenze specifiche dei clienti. Forniamo inoltre un’assistenza assistenza post-vendita per garantire un utilizzo senza preoccupazioni.

Punti salienti del prodotto

Purezza: 99,9%
L’alta densità garantisce una deposizione uniforme del film sottile
Dimensioni, forma e confezione personalizzabili
Incollaggio mirato servizi disponibili
Adatto per semiconduttori, film ad alta costante dielettrica k, rivestimenti ottici e altre applicazioni

Applicazioni dei target di ossido di afnio per sputtering

Semiconduttori: Come materiale dielettrico ad alta costante dielettrica, è ampiamente utilizzato negli strati dielettrici di gate dei circuiti integrati di nuova generazione, migliorando le prestazioni e la stabilità dei dispositivi.
Optoelettronica: Utilizzato nella fabbricazione di film sottili ottici con elevata trasmittanza e alto indice di rifrazione.
Dispositivi di memoria: Utilizzato per la deposizione di film sottili in applicazioni di memoria non volatile.
Rivestimenti ottici rivestimenti ottici: Utilizzati per la deposizione di film funzionali ad alte prestazioni in lenti, display e dispositivi laser.

Rapporti

Forniamo un completo Certificato di analisi (COA), scheda di sicurezza dei materiali (MSDS) e altri rapporti tecnici pertinenti per ogni lotto di target di sputtering HfO₂. Supportiamo test di terze parti per garantire che la qualità del prodotto sia conforme agli standard internazionali e ai requisiti dei clienti.

Formula molecolare: HfO₂
Peso molecolare: 210,49 g/mol
Aspetto: Bersaglio ceramico bianco e denso con superficie liscia
Densità: Circa 9,68 g/cm³ (vicina alla densità teorica)
Punto di fusione: Circa 2.758 °C
Struttura cristallina: Monoclino, tetragonale o cubico

Imballaggio interno: Sacchetti sigillati sottovuoto e imballati per evitare la contaminazione e l’umidità.

Imballaggio esterno: Cartoni o casse di legno selezionati in base alle dimensioni e al peso.

COD 720800ST Categoria Marchio:

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