{"id":42954,"date":"2026-01-23T13:27:58","date_gmt":"2026-01-23T05:27:58","guid":{"rendered":"https:\/\/ulpmat.com\/product\/siliciure-de-titane\/"},"modified":"2026-01-23T13:27:58","modified_gmt":"2026-01-23T05:27:58","slug":"siliciure-de-titane","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/ulpmat.com\/fr\/produit\/siliciure-de-titane\/","title":{"rendered":"Siliciure de titane"},"content":{"rendered":"

Pr\u00e9sentation des cibles de pulv\u00e9risation en siliciure de titane<\/span><\/h2>\n

Les cibles de pulv\u00e9risation
\nen siliciure de titane<\/a><\/span>
\nsont des cibles c\u00e9ramiques m\u00e9talliques \u00e0 haute performance principalement utilis\u00e9es pour le d\u00e9p\u00f4t de films de siliciure de titane \u00e0 faible r\u00e9sistance et \u00e0 haute stabilit\u00e9 thermique. Ce produit est largement utilis\u00e9 dans la fabrication de vias de contact, d’interconnexions et de grilles pour les circuits int\u00e9gr\u00e9s \u00e0 semi-conducteurs<\/a><\/span>
\n, et constitue un mat\u00e9riau cl\u00e9 indispensable dans la fabrication de puces de pointe.<\/p>\n

Nous proposons des cibles de pulv\u00e9risation en TiSi\u2082 dans plusieurs sp\u00e9cifications, avec une puret\u00e9 et une densit\u00e9 \u00e9lev\u00e9es. Des services de liaison<\/a><\/span>
\nprofessionnels \u00e0 divers mat\u00e9riaux de substrat (par exemple, cuivre, aluminium, molybd\u00e8ne) sont disponibles en fonction des exigences de votre \u00e9quipement.<\/p>\n

Points forts du produit<\/span><\/h2>\n

Haute puret\u00e9
\nDensit\u00e9 exceptionnellement \u00e9lev\u00e9e
\nRapport st\u0153chiom\u00e9trique Si\/Ti pr\u00e9cis
\nMicrostructure uniforme avec des performances de pulv\u00e9risation stables
\nCaract\u00e9ristiques de film \u00e0 faible r\u00e9sistivit\u00e9<\/p>\n

Applications des cibles de pulv\u00e9risation en siliciure de titane<\/span><\/h2>\n

Contacts et interconnexions de semi-conducteurs<\/a><\/span> :<\/strong>
\nD\u00e9pose des films de siliciure de titane \u00e0 faible r\u00e9sistance (phase C54 TiSi\u2082) sur des plaquettes de silicium pour former des contacts ohmiques pour les bornes source\/drain et grille des transistors, ainsi que des interconnexions locales, r\u00e9duisant consid\u00e9rablement le retard des circuits.
\nCouches barri\u00e8res<\/a> <\/span>et adh\u00e9sives :<\/strong>
\ndans les structures d’interconnexion multicouches, les films TiSi\u2082 servent de couches barri\u00e8res et adh\u00e9sives efficaces, emp\u00eachant l’interdiffusion entre les interconnexions m\u00e9talliques et le substrat en silicium afin d’am\u00e9liorer la fiabilit\u00e9 des dispositifs.
\nCellules solaires<\/a><\/span> \u00e0 base de silicium :<\/strong>
\nutilis\u00e9 pour la fabrication d’\u00e9lectrodes arri\u00e8re et de couches de contact dans les cellules solaires en silicium cristallin \u00e0 haut rendement, am\u00e9liorant l’efficacit\u00e9 de la collecte des porteurs.
\nRev\u00eatements fonctionnels sp\u00e9cialis\u00e9s :<\/strong>
\nen raison de sa grande duret\u00e9 et de son excellente inertie chimique, il peut \u00eatre utilis\u00e9 pour des rev\u00eatements r\u00e9sistants \u00e0 l’usure et \u00e0 la corrosion sur les surfaces d’outils et de moules.<\/p>\n

FAQ<\/span><\/a><\/span><\/h2>\n

Q1 : Comment la cible de siliciure de titane garantit-elle la composition de phase et la faible r\u00e9sistivit\u00e9 lors de la pulv\u00e9risation ?
\nR1 : Nous obtenons une composition de phase quasi id\u00e9ale en contr\u00f4lant pr\u00e9cis\u00e9ment la composition chimique de la cible et en garantissant une microstructure dense et uniforme. Le recuit thermique rapide (RTA) qui suit facilite la transformation de phase du C49 \u00e0 haute r\u00e9sistance en C54 \u00e0 faible r\u00e9sistance, offrant ainsi les propri\u00e9t\u00e9s souhait\u00e9es.<\/p>\n

Q2 : Quelle est la principale diff\u00e9rence entre les films TiSi\u2082 de phase C49 et de phase C54 ?
\nR2 : La phase C49 pr\u00e9sente une r\u00e9sistivit\u00e9 plus \u00e9lev\u00e9e et constitue la phase initiale apr\u00e8s le d\u00e9p\u00f4t du film. Apr\u00e8s un traitement de recuit appropri\u00e9, elle se transforme en phase C54 avec une r\u00e9sistivit\u00e9 extr\u00eamement faible, qui est la phase fonctionnelle r\u00e9ellement utilis\u00e9e dans les dispositifs.<\/p>\n

Q3 : Pourquoi la densit\u00e9 de la cible est-elle si importante ?
\nA3 : Une densit\u00e9 \u00e9lev\u00e9e emp\u00eache efficacement les projections de particules et les d\u00e9charges anormales pendant la pulv\u00e9risation, garantissant ainsi la stabilit\u00e9 du d\u00e9p\u00f4t. Cela permet d’obtenir des films uniformes et denses avec moins de d\u00e9fauts, tout en prolongeant la dur\u00e9e de vie de la cible.<\/p>\n

Q4 : \u00c0 quels \u00e9quipements de pulv\u00e9risation le mat\u00e9riau cible en siliciure de titane est-il adapt\u00e9 ?
\nA4 : Il convient aux \u00e9quipements de pulv\u00e9risation magn\u00e9tron \u00e0 courant continu et \u00e0 courant radiofr\u00e9quence. Nous proposons des tailles circulaires et rectangulaires standard, avec des dimensions personnalis\u00e9es disponibles pour s’adapter \u00e0 diff\u00e9rents mod\u00e8les de cathodes de pulv\u00e9risation.<\/p>\n

Rapport<\/span><\/h2>\n

Chaque lot est fourni avec :
\nCertificat d’analyse (COA)<\/u><\/a><\/span><\/p>\n

Fiche technique (TDS)<\/u><\/a><\/span><\/p>\n

Fiche de donn\u00e9es de s\u00e9curit\u00e9 (MSDS)<\/u><\/a><\/span>
\nRapport d’inspection des dimensions
\nRapports d’essais effectu\u00e9s par des tiers disponibles sur demande<\/p>\n

Pourquoi nous choisir ?<\/span><\/h2>\n

En tant que fournisseur sp\u00e9cialis\u00e9 dans les mat\u00e9riaux \u00e9lectroniques avanc\u00e9s, nous comprenons parfaitement le r\u00f4le essentiel des cibles TiSi\u2082 dans la micro\/nanofabrication. Nous fournissons non seulement des cibles de haute qualit\u00e9 conformes aux normes SEMI, mais nous accordons \u00e9galement la priorit\u00e9 \u00e0 la coh\u00e9rence des lots et \u00e0 une large fen\u00eatre de traitement.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

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