| Product ID | Formula | Purity | Dimension | Inquiry |
|---|---|---|---|---|
| 721400ST001 | HfSi2 | 99.8% (Zr< 0.5wt%) | Ø 50.8 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 721400ST002 | HfSi2 | 99.8% (Zr< 0.5wt%) | Ø 76.2 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 721400ST003 | HfSi2 | 99.8% (Zr< 0.5wt%) | Ø 101.6 mm x 6.35 mm | Inquire |
Les cibles de pulvérisation du siliciure de hafnium sont des matériaux de haute performance développés spécifiquement pour les processus de dépôt de couches minces pour les appareils électroniques à haute température, les grilles métalliques des semi-conducteurs, les couches tampons des électrodes et d’autres applications. D’une pureté de 99,8 %, elles offrent une densité et une stabilité structurelle excellentes, permettant un dépôt uniforme de couches minces et une excellente adhérence, ce qui les rend adaptées à la fabrication de couches minces fonctionnelles dans des conditions exigeantes.
Nous proposons des cibles de siliciure d’hafnium dans une variété de formes et de tailles, et nous pouvons les personnaliser pour répondre à vos besoins spécifiques. Nous fournissons également une assistance technique complète et un service après-vente. N’hésitez pas à nous n’hésitez pas à nous contacter pour toute question concernant leur utilisation.
Pureté : 99,8
Matériau à point de fusion élevé, adapté aux processus de dépôt à haute température
Densité et conductivité excellentes, améliorant la qualité du film
Tailles et formes personnalisables, y compris le soudage de la cible arrière
Convient pour les portes métalliques, les barrières de diffusion et les matériaux en couches minces résistants aux températures élevées
Dispositifs dispositifs : Largement utilisée dans les structures de grille en métal à haute température, les couches d’interconnexion et les matériaux d’électrodes de contact.
Matériau de la couche barrière : HfSi₂ agit comme une barrière de diffusion stable, empêchant efficacement la migration des métaux. Films structurels résistants aux températures élevées : Ils offrent une excellente stabilité thermique et une inertie chimique dans les environnements à haute température.
MEMS et systèmes microélectroniques : Convient à la fabrication de microcapteurs, d’électrodes et de couches protectrices.
Nous fournissons un Certificat d’analyse (COA) Une fiche de données de sécurité (MSDS) et des rapports sur les paramètres physiques pertinents pour chaque lot de cibles HfSi₂. Nous prenons également en charge les services d’essai de tiers pour répondre à des normes de contrôle de qualité plus élevées.
Formule moléculaire : HfSi₂
Poids moléculaire : 234,65 g/mol
Aspect : Cible gris-noir avec un éclat métallique et une surface dense et lisse.
Densité : Environ 8,0 g/cm³ (proche de la densité théorique)
Point de fusion : Environ 1 830 °C (point de fusion élevé, adapté aux procédés de fabrication de couches minces à haute température)
Structure cristalline : Orthorhombique (structure de type C49)
Emballage intérieur : Sacs scellés sous vide et emballage pour éviter la contamination et l’humidité.
Emballage extérieur : Cartons ou caisses en bois sélectionnés en fonction de la taille et du poids.
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