Siliciure de cobalt

Cible de pulvérisation en siliciure de cobalt Présentation

Les cibles de pulvérisation
en siliciure de cobalt
sont des cibles en siliciure de cobalt de haute pureté qui présentent une excellente conductivité et une excellente stabilité thermique. Elles sont largement utilisées dans les couches minces de semi-conducteurs, les dispositifs microélectroniques et le dépôt de couches conductrices à haute température.

Nous proposons des cibles de pulvérisation en CoSi2 de différentes tailles, formes cristallines et degrés de pureté, et nous proposons des tests d’échantillons et des consultations techniques. Veuillez nous contacter
pour obtenir des informations détaillées et des solutions de processus.

Points forts du produit

Structure cristalline dense et uniforme

Conductivité stable

Excellente stabilité thermique

Résistance à la corrosion et à l’usure

Convient à divers procédés de pulvérisation

Taille et forme cristalline personnalisables

Backplane et liaison personnalisables

Prise en charge des expériences de recherche scientifique et de la vérification des processus

Applications des cibles de pulvérisation en siliciure de cobalt

Préparation de films minces semi-conducteurs :
les cibles en siliciure de cobalt conviennent au dépôt de films minces semi-conducteurs, garantissant des films denses et uniformes et améliorant la conductivité des dispositifs.

Dépôt de dispositifs microélectroniques :
utilisé pour le dépôt de couches de métallisation dans les dispositifs microélectroniques, améliorant la stabilité et la fiabilité des performances des dispositifs.

Couches conductrices à haute température :
les films minces conducteurs peuvent être déposés à haute température, présentant une bonne stabilité thermique et une bonne conductivité.

Recherche et développement de matériaux :
largement utilisées dans les instituts de recherche et les départements de R&D des entreprises pour les tests de performance des matériaux et l’optimisation des paramètres de processus.

FAQ

Q1 : À quelles méthodes de pulvérisation la cible de pulvérisation en siliciure de cobalt est-elle adaptée ?
R1 : Elle peut être utilisée dans des procédés de couche mince tels que la pulvérisation magnétron, la pulvérisation RF et le dépôt chimique en phase vapeur pour répondre aux besoins du dépôt microélectronique.

Q2 : La forme cristalline de la cible peut-elle être personnalisée ?
R2 : Oui, nous pouvons fournir différentes formes cristallines de cibles en fonction des besoins des clients afin d’optimiser les performances des couches minces.

Q3 : La cible est-elle susceptible de se fissurer pendant la pulvérisation ?
R3 : Préparée à l’aide d’un procédé métallurgique à haute densité, les grains sont uniformes, ce qui réduit efficacement le risque de fissures et de vides.

Q4 : Quelles précautions faut-il prendre lors du stockage de la cible ?
R4 : Il est recommandé de la stocker dans un environnement hermétique, sec et ventilé, en évitant l’humidité et la contamination afin de maintenir la stabilité des performances.

Rapports

Chaque lot est fourni avec :

Certificat d’analyse (COA)

Fiche technique (TDS)

Fiche de données de sécurité (MSDS)

Rapport d’inspection des dimensions

Rapports d’essais effectués par des tiers disponibles sur demande

Pourquoi nous choisir ?

Nous sommes spécialisés dans la R&D et la fourniture stable de cibles de pulvérisation en siliciure de cobalt de haute pureté
. Grâce à un système de gestion de la qualité éprouvé et à des capacités de personnalisation flexibles, nous pouvons fournir à nos clients des solutions fiables et traçables adaptées à la recherche scientifique et aux applications industrielles, contribuant ainsi à l’avancement efficace des projets.