Les cibles de pulvérisation
en phosphure de gallium
sont des cibles céramiques fonctionnelles fabriquées à partir de phosphure de gallium de haute pureté via des procédés avancés de métallurgie des poudres ou de fusion. En tant que semi-conducteur composé III-V classique, le phosphure de gallium possède une bande interdite indirecte d’environ 2,26 eV. Spécialement conçu pour les procédés de dépôt physique en phase vapeur (PVD), ce matériau cible permet le dépôt de films GaP de haute qualité. Il sert de matériau de base pour la fabrication de dispositifs optoélectroniques à longueur d’onde spécifique, de composants électroniques à haute vitesse et de revêtements fonctionnels spécialisés.
Nous proposons des cibles de pulvérisation céramiques GaP de haute qualité dans plusieurs puretés et dimensions, avec des services de collage en option. Contactez-nous.
Haute pureté et stœchiométrie précise
Matériau semi-conducteur III-V classique
Excellente uniformité de dépôt du film
Haute densité et faible porosité
Services de collage professionnels disponibles
Dispositifs optoélectroniques spécialisés : utilisés pour le dépôt de couches minces afin de fabriquer des diodes électroluminescentes (LED) rouges et jaune-vert ou des photodétecteurs à longueur d’onde spécifique.
Dispositifs électroniques à haute vitesse : sert de matériau de film mince pour les couches fonctionnelles ou tampons dans certains composants électroniques à haute fréquence.
Revêtements optiques et protecteurs : tire parti de sa stabilité physico-chimique pour déposer des revêtements fonctionnels ou des films optiques résistants à l’usure et à la corrosion.
Recherche sur les matériaux de pointe : sert de source de dépôt de couches minces de GaP pour la recherche fondamentale et appliquée sur les nouvelles hétérojonctions, les matériaux de faible dimension et la physique des dispositifs.
Q1 : Quelles sont les principales applications des matériaux cibles GaP ?
A1 : Principalement utilisés pour le dépôt de couches minces de GaP afin de fabriquer des émetteurs de lumière visible à des longueurs d’onde spécifiques et certains dispositifs électroniques à haute vitesse.
Q2 : Quelles sont les exigences de pureté applicables aux matériaux cibles ?
R2 : Afin de garantir les performances du film, une pureté de 99,99 % (4N) ou plus est généralement requise, en fonction des spécifications de performance du dispositif.
Q3 : Que faut-il prendre en compte lors du choix des matériaux cibles GaP ?
R3 : Concentrez-vous sur la précision des rapports stœchiométriques, la densité du matériau cible et la disponibilité de services de liaison compatibles avec votre équipement.
Q4 : Comment les cibles doivent-elles être entretenues et stockées ?
R4 : Conservez-les dans un environnement sec et propre, dans un emballage hermétique. Manipulez-les avec précaution pour éviter tout choc. Veillez à ce que la surface de la cible reste propre après utilisation.
Chaque lot est fourni avec :
Certificat d’analyse (COA)
Fiche de données de sécurité (MSDS)
Rapports d’essais effectués par des tiers disponibles sur demande
Forts de notre expertise dans le domaine des cibles en semi-conducteurs composés, nous fournissons des cibles GaP stables, fiables et de haute qualité, ainsi que des solutions personnalisées.
Formule moléculaire : GaP
Poids moléculaire : 145,21 g/mol
Aspect : Cible céramique grise à gris foncé
Densité : 4,138 g/cm³ : 4,138 g/cm³
Point de fusion : Environ 1 470 °C
Structure cristalline : Cubique
Emballage intérieur : sacs sous vide et boîtes pour éviter toute contamination et humidité.
Emballage extérieur : cartons ou caisses en bois sélectionnés en fonction de la taille et du poids.
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