| Product ID | Formula | Purity | Dimension | Inquiry |
|---|---|---|---|---|
| 5000ST001 | Sn | 99.99% | Ø 50.8 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 5000ST002 | Sn | 99.99% | Ø 50.8 mm x 6.35 mm | Inquire |
| 5000ST003 | Sn | 99.99% | Ø 76.2 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 5000ST004 | Sn | 99.99% | Ø 76.2 mm x 6.35 mm | Inquire |
| 5000ST005 | Sn | 99.99% | Ø 101.6 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 5000ST006 | Sn | 99.99% | Ø 101.6 mm x 6.35 mm | Inquire |
La cible de pulvérisation Est une cible métallique de haute pureté utilisée dans les processus de dépôt par pulvérisation cathodique pour les applications électroniques, les semi-conducteurs et les couches minces. L’étain est largement apprécié pour son excellente conductivité, sa résistance à la corrosion et sa stabilité, ce qui en fait un matériau idéal pour les applications électroniques, le stockage de l’énergie et les revêtements optiques.
Nous proposons des cibles de pulvérisation métallique d’étain dans différents degrés de pureté et différentes tailles, adaptées aux exigences spécifiques des différents systèmes de pulvérisation et applications. Notre équipe technique est à votre disposition pour vous aider dans la sélection des matériaux, l’évaluation des performances et le développement des applications. Pour toute demande de renseignements ou support technique, n’hésitez pas à nous contacter.
Pureté : 99,99 %
Excellente conductivité électrique : Idéal pour le dépôt de couches minces dans les semi-conducteurs et les dispositifs électroniques
Résistance à la corrosion : Offre des performances fiables dans diverses conditions environnementales
Stabilité thermique : Convient aux processus de pulvérisation à haute température
Dimensions et formes personnalisables : Les tailles et les formes des cibles peuvent être personnalisées pour répondre aux besoins spécifiques des systèmes de pulvérisation
Fabrication de semi-conducteurs fabrication de semi-conducteurs : Utilisée pour le dépôt de couches minces d’étain dans la fabrication de semi-conducteurs, par exemple pour les interconnexions, les condensateurs et les dispositifs de mémoire
Cellules solaires : Idéal pour le dépôt de couches de contact arrière et de revêtements conducteurs dans les dispositifs photovoltaïques
Revêtements optiques: Appliqué dans le dépôt de films d’étain pour les revêtements optiques, y compris les miroirs et les filtres
Composants électroniques : Utilisé dans la production de films minces pour des composants tels que les résistances, les condensateurs et les capteurs
Catalyse : Employé dans les revêtements de catalyseurs pour divers processus chimiques
Chaque envoi de cibles de pulvérisation d’étain métal est accompagné d’un certificat d’analyse :
Un certificat d’analyse (COA)
Fiche de données de sécurité (MSDS)
Rapports d’essais de tiers facultatifs pour une meilleure assurance de la qualité
Q1 : Quels sont les degrés de pureté disponibles pour les cibles de pulvérisation d’étain métal ?
R1 : Nous fournissons des cibles d’une pureté de 99,9 % et plus, garantissant des films minces de haute qualité avec une conductivité et une stabilité excellentes.
Q2 : Les cibles de pulvérisation d’étain métal peuvent-elles être utilisées dans les processus de pulvérisation à haute température ?
R2 : Oui, les cibles de pulvérisation d’étain présentent une excellente stabilité thermique, ce qui les rend adaptées aux applications de pulvérisation à haute température.
Q3 : Comment l’étain est-il utilisé dans la fabrication des semi-conducteurs ?
R3 : L’étain est utilisé pour le dépôt de couches minces conductrices dans les dispositifs à semi-conducteurs, notamment pour les interconnexions et les condensateurs, ce qui permet d’obtenir des performances électriques fiables.
Q4 : Pouvez-vous personnaliser la taille et la forme des cibles de pulvérisation d’étain métal ?
A4 : Oui, nous proposons des tailles et des formes personnalisées pour les cibles de pulvérisation d’étain afin de répondre aux exigences spécifiques de votre système de pulvérisation et de votre application.
Formule chimique:Sn
Aspect:Métallique, brillant, gris à argenté
Densité : 7,3 g/cm³
Point de fusion : 231.9°C
Point d’ébullition : 2270°C
Structure cristalline:Cubique centré sur le corps (BCC)
Emballage intérieur : Sacs scellés sous vide et boîtes pour éviter la contamination et l’humidité.
Emballage extérieur : Cartons ou caisses en bois sélectionnés en fonction de la taille et du poids.
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