ULPMAT

Carbure de silicium

Chemical Name:
Carbure de silicium
Formula:
SiC
Product No.:
140600
CAS No.:
409-21-2
EINECS No.:
206-991-8
Form:
Cible de pulvérisation
HazMat:
Product ID Formula Purity Dimension Inquiry
140600ST001 SiC 99.5% 299.6mm x 129mm x 5mm Inquire
140600ST002 SiC 99.5% Ø 25.4mm x 3.175 mm Inquire
140600ST003 SiC 99.5% Ø 25.4mm x 6.35 mm Inquire
140600ST004 SiC 99.5% Ø 50.8mm x 3.175 mm Inquire
140600ST005 SiC 99.5% Ø 50.8mm x 6.35 mm Inquire
140600ST006 SiC 99.5% Ø 101.6mm x 3.175 mm Inquire
140600ST007 SiC 99.9% Ø 76.2mm x 3.175mm Inquire
140600ST008 SiC 99.9% Ø 76.2mm x 6.35mm Inquire
140600ST009 SiC 99.95% Ø 200mm x 6mm Inquire
140600ST010 SiC 99.99% Ø 25.4mm x 3.175 mm Inquire
Product ID
140600ST001
Formula
SiC
Purity
99.5%
Dimension
299.6mm x 129mm x 5mm
Product ID
140600ST002
Formula
SiC
Purity
99.5%
Dimension
Ø 25.4mm x 3.175 mm
Product ID
140600ST003
Formula
SiC
Purity
99.5%
Dimension
Ø 25.4mm x 6.35 mm
Product ID
140600ST004
Formula
SiC
Purity
99.5%
Dimension
Ø 50.8mm x 3.175 mm
Product ID
140600ST005
Formula
SiC
Purity
99.5%
Dimension
Ø 50.8mm x 6.35 mm
Product ID
140600ST006
Formula
SiC
Purity
99.5%
Dimension
Ø 101.6mm x 3.175 mm
Product ID
140600ST007
Formula
SiC
Purity
99.9%
Dimension
Ø 76.2mm x 3.175mm
Product ID
140600ST008
Formula
SiC
Purity
99.9%
Dimension
Ø 76.2mm x 6.35mm
Product ID
140600ST009
Formula
SiC
Purity
99.95%
Dimension
Ø 200mm x 6mm
Product ID
140600ST010
Formula
SiC
Purity
99.99%
Dimension
Ø 25.4mm x 3.175 mm

Cibles de pulvérisation en carbure de silicium Présentation

Les cibles de pulvérisation
en carbure de silicium
sont des cibles céramiques adaptées à la préparation de films minces hautement stables, possédant une excellente résistance aux températures élevées, à l’usure et une grande stabilité chimique. Elles sont principalement utilisées pour la préparation de revêtements protecteurs, de films minces fonctionnels et de structures à films minces liés aux dispositifs électroniques.

Nous pouvons fournir des cibles de pulvérisation en carbure de silicium compatibles avec les processus et prendre en charge
l’intégration technique
entre les structures des cibles et les conditions de dépôt. Contactez-nous
dès maintenant !

Points forts du produit

Composition stable du film
Forte adaptabilité aux conditions de température élevée
Excellente résistance à l’usure et à la corrosion
Bonne stabilité du processus de pulvérisation
Adapté à divers processus de dépôt

Applications des cibles de pulvérisation en carbure de silicium

Revêtements protecteurs et résistants à l’usure :
les cibles en carbure de silicium sont couramment utilisées pour préparer des films minces protecteurs à haute dureté, améliorant la résistance à l’usure de la surface et la durée de vie.
Films minces électroniques et fonctionnels :
adaptés au dépôt de dispositifs électroniques et de films minces fonctionnels, répondant aux exigences des applications à haute température et à haute puissance.
Ingénierie optique et fonctionnelle des surfaces :
dans l’ingénierie fonctionnelle des surfaces, les films minces en carbure de silicium offrent des propriétés physiques et chimiques stables.
Recherche et développement de processus :
largement utilisés dans les phases de R&D en laboratoire et de validation des processus, ils permettent l’optimisation des paramètres de processus.

FAQ

Q1 : Quels processus de dépôt conviennent aux cibles de pulvérisation en carbure de silicium ?
A1 : Couramment utilisées dans les processus de dépôt de films minces tels que la pulvérisation magnétron, elles répondent à diverses exigences de processus.

Q2 : Comment les cibles en carbure de silicium se comportent-elles dans le dépôt à haute température ?
R2 : Elles conservent une bonne stabilité structurelle et une bonne cohérence de pulvérisation, même dans des conditions de température élevée.

Q3 : Quels sont les principaux avantages des films minces en SiC ?
R3 : Ils se traduisent principalement par une dureté élevée, une résistance à l’usure, une résistance à la corrosion et une bonne stabilité thermique.

Q4 : La structure de la cible a-t-elle une incidence sur la stabilité du pulvérisation ?
A4 : Une structure de cible bien conçue contribue à améliorer la stabilité du processus de pulvérisation et l’uniformité du film mince.

Rapport

Chaque lot est fourni avec :
Certificat d’analyse (COA)

Fiche technique (TDS)

Fiche de données de sécurité (MSDS)
Rapport d’inspection des dimensions
Rapports d’essais effectués par des tiers disponibles sur demande

Pourquoi nous choisir ?

Nous disposons de capacités d’approvisionnement continu et de compréhension des processus dans le domaine des cibles de pulvérisation céramiques, ce qui nous permet de fournir des cibles de pulvérisation en carbure de silicium stables et traçables, aidant ainsi nos clients à obtenir des résultats fiables en matière de dépôt de films minces pendant les phases de R&D et d’application.

Formule moléculaire : SiC
Poids moléculaire : 52.11 g/mol
Aspect : Bloc cible noir et dense
Densité : 3,21-3,22 g/cm³ (cible frittée) : 3,21-3,22 g/cm³ (cible frittée)
Point de fusion : 2730 °C (se décompose)
Structure cristalline : Hexagonale (α-SiC) ; Cubique (β-SiC)

Emballage intérieur : sacs sous vide et boîtes afin d’éviter toute contamination et humidité.

Emballage extérieur : cartons ou caisses en bois sélectionnés en fonction de la taille et du poids.

Documents

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