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Carbure de silicium

Chemical Name:
Carbure de silicium
Formula:
SiC
Product No.:
140600
CAS No.:
409-21-2
EINECS No.:
206-991-8
Form:
Plaquette
HazMat:
Product ID Formula Purity Dimension Inquiry
140600WF001 SiC 99.5% 25.4mm x 25.4mm x0.35 mm th. Inquire
Product ID
140600WF001
Formula
SiC
Purity
99.5%
Dimension
25.4mm x 25.4mm x0.35 mm th.

Présentation des plaquettes en carbure de silicium

Les plaquettes
en carbure de silicium
sont des matériaux semi-conducteurs à large bande interdite conçus pour les dispositifs électroniques haute puissance, haute fréquence et haute température. Elles présentent une excellente conductivité thermique et une grande stabilité électrique. Elles sont largement utilisées dans les dispositifs de puissance, les dispositifs RF et les systèmes électroniques à haute fiabilité.

Nous pouvons fournir des plaquettes en carbure de silicium pour les processus de fabrication de dispositifs adaptateurs et prendre en charge
l’intégration technique
pour l’orientation cristalline, les états de surface et les paramètres d’application. Contactez-nous
dès maintenant !

Points forts du produit

Matériau semi-conducteur à large bande interdite
Haute conductivité thermique
Champ électrique de claquage élevé
Convient aux applications à haute température et haute puissance
Bonne compatibilité avec les processus des dispositifs

Applications des plaquettes en carbure de silicium

Dispositifs semi-conducteurs de puissance :
les plaquettes en carbure de silicium sont largement utilisées dans la fabrication de dispositifs de puissance tels que les MOSFET et les diodes Schottky, améliorant ainsi leur efficacité et leur fiabilité.
Électronique RF et haute fréquence : dans
les dispositifs de communication haute fréquence et RF, les substrats en carbure de silicium contribuent à réduire la consommation d’énergie et à améliorer la stabilité des dispositifs.
Véhicules à énergie nouvelle et électronique de puissance :
utilisés dans les modules de puissance et les systèmes de conversion de puissance de qualité automobile, ils prennent en charge les environnements de fonctionnement à haute température et haute tension.
Électronique industrielle et aérospatiale à haute fiabilité :
systèmes électroniques et composants critiques adaptés au fonctionnement dans des environnements difficiles.

FAQ

Q1 : Pourquoi les plaquettes en carbure de silicium sont-elles adaptées aux applications à haute puissance ?
A1 : Leur champ électrique de claquage élevé et leur excellente conductivité thermique permettent un fonctionnement stable des dispositifs dans des conditions de haute puissance.

Q2 : Comment les plaquettes SiC se comportent-elles dans des environnements à haute température ?
A2 : Elles conservent une bonne stabilité électrique et structurelle dans des conditions de haute température.

Q3 : Quels sont les matériaux traditionnels que les plaquettes en carbure de silicium remplacent principalement ?
R3 : Dans les applications à haute puissance et à haut rendement, elles sont souvent utilisées pour remplacer les substrats traditionnels à base de silicium.

Q4 : L’état de la surface des plaquettes est-il important pour les processus de fabrication des dispositifs ?
R4 : Des conditions de surface stables et contrôlables contribuent à améliorer la cohérence des processus d’épitaxie et de fabrication des dispositifs qui suivent.

Rapport

Chaque lot est fourni avec :
Certificat d’analyse (COA)

Fiche technique (TDS)

Fiche de données de sécurité (MSDS)
Rapport d’inspection des dimensions
Rapports d’essais effectués par des tiers disponibles sur demande

Pourquoi nous choisir ?

Nous comprenons les exigences en matière de cohérence et de contrôlabilité des matériaux dans les processus de fabrication des dispositifs en carbure de silicium. Nous pouvons fournir des plaquettes en carbure de silicium stables et traçables afin d’aider nos clients à obtenir des performances fiables pour leurs dispositifs pendant les phases de R&D et d’application.

Formule moléculaire : SiC
Poids moléculaire : 52.11 g/mol
Aspect : Plaquette noire
Densité : 3,21-3,22 g/cm³ : 3,21-3,22 g/cm³
Point de fusion : 2730 °C (se décompose)
Structure cristalline : Hexagonale (α-SiC) ; Cubique (β-SiC)

Emballage intérieur : sacs sous vide et boîtes afin d’éviter toute contamination et humidité.

Emballage extérieur : cartons ou caisses en bois sélectionnés en fonction de la taille et du poids.

UGS 140600WF Catégorie Tags : Marque :

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