ULPMAT

Phosphure d’indium

Chemical Name:
Phosphure d'indium
Formula:
InP
Product No.:
491500
CAS No.:
22398-80-7
EINECS No.:
244-959-5
Form:
Cible de pulvérisation
HazMat:
Product ID Formula Purity Dimension Inquiry
491500ST001 InP 99.99% Ø 50.8 mm x 6.35 mm Inquire
491500ST002 InP 99.99% Ø 76.2 mm x 3.175 mm Inquire
491500ST003 InP 99.99% Ø 101.6 mm x 3.175 mm Inquire
Product ID
491500ST001
Formula
InP
Purity
99.99%
Dimension
Ø 50.8 mm x 6.35 mm
Product ID
491500ST002
Formula
InP
Purity
99.99%
Dimension
Ø 76.2 mm x 3.175 mm
Product ID
491500ST003
Formula
InP
Purity
99.99%
Dimension
Ø 101.6 mm x 3.175 mm

Vue d’ensemble des cibles de pulvérisation de phosphure d’indium

La cible depulvérisation dephosphure d’indium (InP) est un matériau semi-conducteur composé de haute pureté connu pour ses excellentes propriétés électroniques et optoélectroniques. Il est largement utilisé dans les dispositifs électroniques à grande vitesse, les composants photoniques, les diodes laser et le dépôt de couches minces de pointe. Avec une mobilité supérieure des porteurs, une large bande interdite et une grande stabilité thermique, les cibles de pulvérisation InP sont idéales pour produire des films semi-conducteurs de haute performance dans les systèmes de communication et les systèmes photoniques.

Nos cibles de pulvérisation InP sont fabriquées à partir de phosphure d’indium de haute pureté (99,99 %) et présentent une microstructure dense, un contrôle précis de la composition et une excellente uniformité, ce qui garantit des performances de pulvérisation stables pour la recherche et le développement ainsi que pour la production à l’échelle industrielle.

Caractéristiques des cibles de pulvérisation de phosphure d’indium (InP)

Grande pureté : 99,99 % de pureté pour des films minces de haute qualité avec peu de défauts.

Densité uniforme : Pressé à chaud sous vide et traité HIP pour une structure de grain fine et une faible porosité.

Excellentes propriétés électriques et optiques : Semi-conducteur à bande interdite directe adapté aux applications optoélectroniques.

Performance de pulvérisation stable : Épaisseur de film uniforme et composition cohérente.

Dimensions personnalisables : Disponibles en diamètres, épaisseurs et configurations (planaires ou rotatives) standard et personnalisés.

Applications de la cible de pulvérisation de phosphure d’indium (InP)

Dispositifsoptoélectroniques : Pour les diodes laser, les photodétecteurs et les composants de communication optique.

Électronique haute fréquence : Utilisé dans les HEMT, les circuits intégrés et les transistors à grande vitesse.

Dépôt de couches minces : Convient aux systèmes de revêtement par pulvérisation magnétron et par évaporation.

Recherche sur lessemi-conducteurs: Matériau de base pour la recherche sur les semi-conducteurs composés III-V et le développement de nanostructures.

Pourquoi nous choisir ?

Fabricant professionnel : Spécialisé dans les cibles de pulvérisation de haute pureté et les matériaux semi-conducteurs.

Garantie de haute pureté : Produites à l’aide de procédés de synthèse et de fusion par zone raffinés.

Options personnalisables : Diverses formes (disque, rectangle, anneau) et services de collage disponibles.

Contrôle strict de la qualité : La pureté et la cohérence des phases sont vérifiées par ICP-MS et XRD.

Approvisionnement mondial : Emballage sécurisé, logistique mondiale et assistance technique pour les clients internationaux.

Documentation complète : COA, TDS et MSDS fournis avec chaque lot.

FAQ (Foire aux questions)

F1. Quelle est la pureté standard de votre cible de pulvérisation InP ?
A1. La pureté standard est de 99,999 % (5N). Des qualités supérieures et des spécifications personnalisées sont disponibles sur demande.

F2. Quelles sont les tailles et les formes disponibles ?
A2. Nous proposons des cibles planaires (circulaires ou rectangulaires) et rotatives, dont la taille et l’épaisseur peuvent être adaptées à votre équipement.

F3. Pouvez-vous fournir des services de collage ?
A3. Oui, nous pouvons coller de l’indium ou de l’élastomère sur les plaques de support, sur demande.

F4. Quelles sont les méthodes de dépôt compatibles avec les cibles InP ?
A4. Convient à la pulvérisation magnétron DC/RF et aux systèmes d’évaporation sous vide.

F5. Quelles sont les recommandations en matière de stockage ?
A5. Stocker dans une atmosphère sèche et inerte ou dans un emballage scellé sous vide pour éviter l’oxydation et l’exposition à l’humidité.

Rapports

Chaque lot est fourni avec :
Un certificat d’analyse (COA)
Fiche technique (TDS)
Fiche de données de sécurité (FDS)
Des rapports d’essais par des tiers sont disponibles sur demande.

Formule chimique : InP
Poids moléculaire : 283,81 g/mol
Pureté : 99.99% (personnalisable)
Aspect : poudre métallique ou cible grise à noire : Poudre métallique grise à noire ou cible
Densité : ~4,8 g/cm³
Point de fusion : ~700°C
Point d’ébullition : ~2000°C
Structure cristalline : Zinc blende (structure cristalline cubique)
Méthode de pulvérisation : Pulvérisation DC

Emballage intérieur : Sacs scellés sous vide et emballage pour éviter la contamination et l’humidité.

Emballage extérieur : Cartons ou caisses en bois sélectionnés en fonction de la taille et du poids.

UGS 491500ST Catégorie Marque :

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