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Dioxyde de silicium

Chemical Name:
Dioxyde de silicium
Formula:
SiO2
Product No.:
140801
CAS No.:
14808-60-7
EINECS No.:
238-878-4
Form:
Cible de l'anneau
HazMat:
Product ID Formula Purity Dimension Inquiry
140801RT001 SiO2 99.99% OD355.6mm x ID203.2mm x 6.35mm Inquire
140801RT002 SiO2 99.99% OD304.8mm x ID22.86mm x9.525mm Inquire
Product ID
140801RT001
Formula
SiO2
Purity
99.99%
Dimension
OD355.6mm x ID203.2mm x 6.35mm
Product ID
140801RT002
Formula
SiO2
Purity
99.99%
Dimension
OD304.8mm x ID22.86mm x9.525mm

Cible annulaire en dioxyde de silicium Présentation

La cible annulaire
en dioxyde de silicium
est une cible annulaire en céramique de haute pureté spécialement conçue pour les systèmes de pulvérisation magnétron par centrifugation, garantissant l’uniformité et la stabilité du processus de dépôt de couches minces. Elle est largement utilisée dans la préparation de couches minces optiques
, de dispositifs électroniques et de revêtements protecteurs.

Nous proposons des cibles annulaires en SiO2 compatibles avec divers systèmes de pulvérisation par centrifugation et assurons l’intégration technique pour la taille, la structure et les paramètres de dépôt des cibles. Contactez-nous
dès maintenant !

Points forts du produit

Conception en anneau, adaptée aux systèmes de pulvérisation par centrifugation
Haute stabilité thermique
Grande uniformité de dépôt des couches minces
Forte compatibilité avec les processus
Lots stables, bonne cohérence

Applications de la cible annulaire en dioxyde de silicium

Dépôt de couches minces optiques :
les cibles annulaires en SiO₂ peuvent être utilisées pour préparer des films transparents, des films antireflets et d’autres films minces optiquement fonctionnels.
Couches fonctionnelles pour dispositifs électroniques :
convient au dépôt de couches fonctionnelles dans les semi-conducteurs et les dispositifs électroniques, améliorant la cohérence des performances des dispositifs.
Revêtements protecteurs :
utilisé pour préparer des films minces résistants à la corrosion et protecteurs, améliorant les propriétés de surface des matériaux.
Recherche et optimisation des processus :
prend en charge la recherche sur les nouveaux processus de films minces et l’optimisation et la vérification des paramètres de pulvérisation par centrifugation.

FAQ

Q1 : Quelles applications de pulvérisation conviennent aux cibles annulaires en SiO₂ ?
R1 : Elles sont principalement utilisées pour le dépôt par pulvérisation par centrifugation de films minces optiques, de couches fonctionnelles pour dispositifs électroniques et de revêtements protecteurs.

Q2 : Quels sont les avantages des cibles annulaires par rapport aux cibles planes ?
R2 : La conception des cibles annulaires est adaptée aux systèmes de pulvérisation par centrifugation, améliorant l’uniformité de l’épaisseur du film et l’utilisation des matériaux.

Q3 : Les cibles annulaires en SiO₂ sont-elles stables pendant le dépôt à haute température ?
R3 : Le matériau céramique de haute pureté garantit la stabilité structurelle et de dépôt de la cible dans des conditions de température élevée.

Q4 : La conception de la cible annulaire a-t-elle une incidence sur les performances du film ?
R4 : Une forme annulaire bien conçue contribue à un dépôt uniforme, améliorant l’épaisseur du film et la cohérence de la composition.

Rapports

Chaque lot est fourni avec :
Certificat d’analyse (COA)

Fiche technique (TDS)

Fiche de données de sécurité (MSDS)
Rapport d’inspection des dimensions
Rapports d’essais effectués par des tiers disponibles sur demande

Pourquoi nous choisir ?

Nous disposons d’une expérience technique et d’un approvisionnement éprouvés dans le domaine des cibles rotatives en céramique, et pouvons fournir des cibles annulaires en dioxyde de silicium stables et traçables afin d’aider nos clients à obtenir une uniformité et une fiabilité élevées du dépôt de couches minces dans les systèmes de pulvérisation cathodique rotatifs.

Formule moléculaire : SiO2
Poids moléculaire : 60.08 g/mol
Aspect : Cible blanche en forme d’anneau
Densité : 2,2-2,65 g/cm³ (cible frittée)
Point de fusion : 1710 °C
Point d’ébullition : 2230 °C
Structure cristalline : Tétragonal/Hexagonal (quartz) ; Amorphe (cible frittée)

Emballage intérieur : sacs sous vide et boîtes afin d’éviter toute contamination et humidité.

Emballage extérieur : cartons ou caisses en bois sélectionnés en fonction de la taille et du poids.

Documents

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