Titane Carbure de silicium

 Cibles de pulvérisation en carbure de silicium et titane Présentation

Les cibles de pulvérisation
en carbure de silicium et titane
sont des cibles céramiques fonctionnelles basées sur une structure MAX, combinant la conductivité des métaux et la résistance aux températures élevées de la céramique. Ces cibles sont principalement utilisées pour préparer des films minces fonctionnels nécessitant une résistance aux températures élevées, une conductivité et une stabilité structurelle.

Nous proposons des cibles de pulvérisation Ti3SiC2 de composition uniforme et de structure stable, adaptées aux processus de pulvérisation magnétron CC ou RF. Différentes tailles et formes structurelles peuvent être fournies pour répondre aux exigences des équipements. Veuillez nous contacter
pour obtenir les paramètres techniques et des suggestions d’application.

Points forts du produit

Structure cristalline en couches
de phase MAX

Bonne conductivité électrique, adaptée à la pulvérisation magnétron
Excellente stabilité thermique et résistance aux chocs thermiques
Composition stable et bonne répétabilité pendant le pulvérisation
Convient aux environnements de dépôt à haute température et sous vide
Peut être utilisé pour préparer des films minces fonctionnels et structurels

Applications des cibles de pulvérisation en carbure de silicium et de titane

Dépôt de films minces fonctionnels :
utilisé pour préparer des films minces fonctionnels à la fois conducteurs et résistants aux températures élevées, adaptés aux applications de dispositifs fonctionnels haut de gamme.
Résistance aux températures élevées et revêtements protecteurs :
les films minces Ti₃SiC₂ présentent une bonne stabilité structurelle dans des conditions de température élevée et peuvent être utilisés pour la protection contre les températures élevées et les revêtements structurels.
Recherche en semi-conducteurs et microélectronique :
convient au dépôt de couches fonctionnelles dans la recherche sur les dispositifs à semi-conducteurs, les MEMS et les matériaux connexes.
Recherche scientifique et développement de matériaux :
largement utilisé dans la recherche sur les films minces en phase MAX, les mécanismes de croissance et les nouveaux matériaux en couches.

FAQ

Q1 : À quelle méthode de pulvérisation la cible de pulvérisation Ti3SiC2 est-elle adaptée ?
A1 : Cette cible présente une bonne conductivité et peut être utilisée pour la pulvérisation magnétron CC, ainsi que pour les systèmes de pulvérisation magnétron RF.

Q2 : La composition de la cible Ti3SiC2 est-elle stable pendant la pulvérisation ?
R2 : Dans des conditions de processus raisonnables, cette cible de pulvérisation peut maintenir une bonne cohérence de composition, ce qui la rend adaptée au dépôt de films minces avec des exigences de répétabilité élevées.

Q3 : La cible de pulvérisation Ti3SiC2 est-elle adaptée aux processus de dépôt à haute température ?
R3 : Oui, ce matériau cible possède une excellente stabilité thermique et une excellente résistance aux chocs thermiques, ce qui le rend adapté aux conditions de pulvérisation à haute température ou à long terme.

Q4 : Dans quels domaines de recherche le film mince Ti3SiC2 est-il généralement utilisé ?
A4 : Il est principalement utilisé dans les films minces MAX Phase, la recherche sur les matériaux biocompatibles, les revêtements résistants à l’usure et aux températures élevées, et les films minces céramiques conducteurs.

Rapport

Chaque lot est fourni avec :
Certificat d’analyse (COA)

Fiche technique (TDS)

Fiche de données de sécurité (MSDS)
Rapport d’inspection des dimensions
Rapports d’essais effectués par des tiers disponibles sur demande

Pourquoi nous choisir ?

Nous sommes spécialisés dans la recherche et la fourniture de céramiques fonctionnelles et de matériaux cibles avancés, offrant des solutions stables et fiables pour le contrôle de la structure des matériaux, la densification des cibles et l’adaptation des applications, afin de répondre aux besoins de la recherche et du dépôt de films minces de qualité industrielle.