Oxyde de gallium

Cibles de pulvérisation en oxyde de gallium Présentation

Les cibles de pulvérisation
en oxyde de gallium
sont des cibles céramiques denses fabriquées à partir de poudre d’oxyde de gallium de haute pureté grâce à des processus avancés de formage et de frittage. Composées principalement de la phase β la plus stable, elles servent de matériau de base pour le dépôt de films minces d’oxyde de gallium dans les processus de dépôt physique en phase vapeur. En tant que semi-conducteur à bande interdite ultra-large de nouvelle génération, les films déposés à l’aide de cette cible constituent la base de la fabrication de dispositifs électroniques de puissance à très haute tension et de dispositifs optoélectroniques à ultraviolet profond de nouvelle génération.

Nous proposons des cibles de pulvérisation en céramique Ga2O3 de haute pureté dans plusieurs tailles, principalement en phase β. Des services de collage
professionnels sont également disponibles. Contactez-nous
pour obtenir les listes de spécifications et des solutions personnalisées.

Points forts du produit

Ultra-haute pureté
Haute densité et faible porosité
Structure en phase β stable
Excellente uniformité microstructurale
Contrôle dimensionnel précis Services
de collage
disponibles

Applications des cibles de pulvérisation Ga2O3

Dispositifs à semi-conducteurs de puissance : dépose de films de Ga₂O₃ pour la fabrication de diodes Schottky et de transistors à effet de champ ultra-haute tension, utilisés dans les véhicules à énergie nouvelle et les réseaux intelligents.
Dispositifs optoélectroniques à ultraviolets profonds : utilisés pour fabriquer des photodétecteurs UV insensibles à la lumière du jour et des films conducteurs transparents pour les communications UV, les systèmes d’alerte précoce et les applications de détection.
Revêtements protecteurs et fonctionnels : utilisés comme revêtements durs résistants à l’usure et à la corrosion ou comme couches isolantes pour les outils de précision et les surfaces des composants électroniques.

FAQ

Q1 : Quels sont les avantages des cibles GaO par rapport aux cibles SiC et GaN ?
R1 : Une bande interdite plus large et une tension de claquage théorique plus élevée. Ils offrent un plus grand potentiel pour la fabrication de dispositifs de puissance à très haute tension (>1200 V), promettant des pertes d’énergie plus faibles.

Q2 : Quel niveau de pureté est requis ?
R2 : Cela dépend de l’application. La R&D et les dispositifs haut de gamme nécessitent généralement une pureté de 99,99 % (4N) ou plus pour garantir des performances électriques optimales du film mince.

Q3 : Proposez-vous des services de collage ? Pourquoi est-ce nécessaire ?
A3 : Oui. Le collage sur une plaque de support métallique (par exemple en cuivre) permet une dissipation efficace de la chaleur et un montage sûr, empêchant les cibles céramiques fragiles de se fissurer pendant la pulvérisation.

Q4 : Comment les cibles doivent-elles être stockées et entretenues ?
A4 : Stockez-les dans des conteneurs hermétiques et étanches à l’humidité, dans un environnement sec et propre. Nettoyez la surface de la cible après utilisation pour éviter toute contamination et tout impact physique.

Rapport

Chaque lot est fourni avec :
Certificat d’analyse (COA)

Fiche technique (TDS)

Fiche de données de sécurité (MSDS)
Rapports d’essais effectués par des tiers disponibles sur demande

Pourquoi nous choisir ?

Nous fournissons une solution complète, allant des poudres de haute pureté à la fabrication de cibles de précision et aux essais de collage, et sommes votre partenaire fiable dans le développement des technologies de semi-conducteurs de quatrième génération.