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Tellurure de gallium

Chemical Name:
Tellurure de gallium
Formula:
Ga2Te3
Product No.:
315201
CAS No.:
12024-27-0
EINECS No.:
234-694-3
Form:
Poudre
HazMat:
Class 8 / UN1759 / PG III
Product ID Formula Purity Dimension Inquiry
315201PD001 Ga2Te3 99.999% -160 Mesh Inquire
Product ID
315201PD001
Formula
Ga2Te3
Purity
99.999%
Dimension
-160 Mesh

 Présentation de la poudre de tellurure de gallium

La poudre
de tellurure de gallium
est une poudre semi-conductrice composée III-VI composée d’éléments de gallium et de tellure. Ce produit est une poudre cristalline noire présentant des propriétés semi-conductrices à bande interdite étroite, une structure cristalline en couches et des caractéristiques optoélectroniques et thermoélectriques uniques. Il sert de matériau de base essentiel pour la fabrication de dispositifs optoélectroniques avancés, d’équipements de stockage et de conversion d’énergie à haut rendement et de capteurs innovants.

Nous proposons une poudre de tellurure de gallium de haute qualité dans plusieurs degrés de pureté et spécifications de taille de particules, avec un conditionnement professionnel personnalisé disponible en quantités allant du gramme au kilogramme. Contactez-nous
pour obtenir la documentation sur le produit.

Points forts du produit

Matériau semi-conducteur de haute pureté
Bande interdite étroite avec d’excellentes propriétés infrarouges
Structure cristalline en couches (bidimensionnelle)
Performances de conversion thermoélectrique supérieures
Potentiel catalytique et de détection de pointe

Applications de la poudre de tellurure de gallium

Optoélectronique
et technologie infrarouge : fabrication de photodétecteurs infrarouges, de diodes laser et de cellules solaires en raison de sa haute sensibilité à la lumière infrarouge.
Nouvelles énergies et stockage : en tant que matériau d’anode potentiel pour les batteries lithium-ion haute performance, offrant une capacité spécifique élevée et d’excellentes performances de cyclage.
Détection et catalyse : utilisé dans les capteurs de gaz (par exemple, pour détecter H₂O, NH₃, NO₂) ou comme matériau électrocatalytique/photocatalytique pour des applications environnementales et énergétiques.
Recherche scientifique de pointe : en tant que matériau semi-conducteur stratifié bidimensionnel, il est utilisé dans la recherche fondamentale et le développement de la nanoélectronique, de la photonique quantique et de nouveaux dispositifs fonctionnels.

FAQ

Q1 : Quelle est la stabilité de la poudre de tellurure de gallium ? Comment doit-elle être stockée ?
A1 : Ce produit peut subir une oxydation lente à l’air. Il doit être stocké dans un environnement sec, frais et inerte, strictement isolé de l’humidité.

Q2 : Quelles précautions de sécurité faut-il prendre lors de son utilisation ?
R2 : Les composés du tellure sont toxiques. Évitez d’inhaler la poussière ou tout contact avec la peau lors de la manipulation. Portez un équipement de protection dans un endroit bien ventilé.

Q3 : Comment choisir la pureté ? Quelles sont les exigences pour les différentes applications ?
R3 : Cela dépend de l’utilisation finale. Pour la recherche fondamentale et les additifs, la pureté 4N (99,99 %) est appropriée ; pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs haute performance, une pureté de 5N (99,999 %) ou supérieure est recommandée.

Q4 : Qu’est-ce qui distingue le tellurure de gallium (Ga₂Te₃) du monoteluride de gallium (GaTe) ?
A4 : La différence fondamentale réside dans la stœchiométrie et les propriétés. Le Ga₂Te₃ est un composé riche en tellure qui met l’accent sur les performances thermoélectriques ; le GaTe est un composé 1:1 qui sert de semi-conducteur à bande interdite directe, plus couramment utilisé dans les dispositifs optoélectroniques.

Rapport

Chaque lot est fourni avec :
Certificat d’analyse (COA)

Fiche technique (TDS)

Fiche de données de sécurité (MSDS)
Rapports d’essais effectués par des tiers disponibles sur demande

Pourquoi nous choisir ?

Nous sommes spécialisés dans la fourniture de poudres semi-conductrices spécialisées de haute pureté et aux performances stables, soutenues par un support technique expert pour vous permettre de mener à bien vos activités de R&D de pointe et vos applications innovantes.

Formule moléculaire : Ga₂Te₃
Poids moléculaire : 583,92 g/mol
Aspect : Poudre noire grisâtre
Densité : Environ 5,57 g/cm³ : Environ 5,57 g/cm³
Point de fusion : Environ 824 °C
Structure cristalline : Blende de zinc défectueuse, système cristallin cubique

Mention d’avertissement :
Danger
Mentions de danger :
H290 : Peut être corrosif pour les métaux.
H301 : Toxique en cas d’ingestion.
H314 : Provoque des brûlures graves de la peau et des lésions oculaires.
H317 : Peut provoquer une réaction allergique cutanée.
H332 : Nocif par inhalation.
H335 : Peut provoquer une irritation des voies respiratoires.
H360 : Peut nuire à la fertilité ou au fœtus.
H412 : Nocif pour les organismes aquatiques, entraîne des effets néfastes à long terme.

Emballage intérieur : sacs en plastique à double couche scellés ou sacs en feuille d’aluminium pour protéger contre l’humidité et les fuites.
Emballage extérieur : fût en fer ou en fibre, selon le poids, avec couvercle scellé renforcé.
Emballage pour matières dangereuses : emballage certifié UN conforme à la réglementation sur le transport des matières dangereuses.

Documents

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