ULPMAT

Tellurure de gallium

Chemical Name:
Tellurure de gallium
Formula:
Ga2Te3
Product No.:
315201
CAS No.:
12024-27-0
EINECS No.:
234-694-3
Form:
Cible de pulvérisation
HazMat:
Product ID Formula Purity Dimension Inquiry
315201ST001 Ga2Te3 99.999% Ø 50.8 mm x 6.35 mm Inquire
Product ID
315201ST001
Formula
Ga2Te3
Purity
99.999%
Dimension
Ø 50.8 mm x 6.35 mm

Présentation des cibles de pulvérisation en tellurure de gallium

Les cibles de pulvérisation
en tellurure de gallium
sont des cibles céramiques fonctionnelles fabriquées à partir de poudre de tellurure de gallium de haute pureté grâce à des procédés avancés de formage et de frittage. Combinant les propriétés optoélectroniques infrarouges des semi-conducteurs à bande interdite étroite avec une excellente capacité de dépôt de couches minces, elles constituent le matériau de base pour le dépôt de films de tellurure de gallium dans les procédés de dépôt physique en phase vapeur (PVD). Elles trouvent de nombreuses applications dans la détection infrarouge avancée, la conversion thermoélectrique et les dispositifs électroniques de pointe.

Nous proposons des cibles de pulvérisation en céramique Ga2Te3 de haute qualité dans plusieurs puretés, spécifications et options de collage. Contactez-nous
pour obtenir une solution personnalisée.

Points forts du produit

Haute pureté avec une stœchiométrie précise
Haute densité, faible porosité
Excellente uniformité de dépôt du film
Collage professionnel de la plaque de support disponible
Dimensions et spécifications personnalisées

Applications des cibles de pulvérisation en tellurure de gallium

Technologie et détection infrarouge : dépose des couches sensibles pour les photodétecteurs infrarouges et les capteurs d’imagerie thermique.
Dispositifs de conversion thermoélectrique : sert de source de dépôt pour les matériaux thermoélectriques en couche mince dans la fabrication de modules miniatures de production d’énergie thermoélectrique ou de refroidissement.
Matériaux pour mémoires à changement de phase : utilisés pour le dépôt de films fonctionnels dans les mémoires à accès aléatoire à changement de phase (PCRAM), tirant parti de leur transition réversible rapide entre les états cristallin et amorphe.
Dispositifs et recherche de pointe : fonctionnent comme source de couches minces semi-conductrices à bande interdite étroite pour les nouveaux dispositifs électroniques, les capteurs et les études fondamentales sur les propriétés des matériaux.

FAQ

Q1 : Quelle est la différence entre les cibles Ga2Te3 et GeSbTe ?
R1 : Ils diffèrent par leur composition et leur domaine d’application. Le Ga₂Te₃ est un composé binaire principalement utilisé pour les applications infrarouges et thermoélectriques ; le GeSbTe est un matériau de mémoire à changement de phase ternaire mature spécialement conçu pour le stockage de données.

Q2 : Les cibles contiennent du tellure. Est-ce sans danger ?
R2 : Les cibles à l’état solide sont stables, mais doivent être manipulées avec précaution. Évitez d’inhaler la poussière générée lors du traitement ; portez des équipements de protection et suivez les consignes de la fiche de données de sécurité (FDS) pendant l’utilisation.

Q3 : Comment choisir la pureté de la cible ?
A3 : Cela dépend des performances requises pour le film mince. La pureté 4N (99,99 %) convient pour la R&D de base ; une pureté 5N (99,999 %) ou supérieure est recommandée pour la fabrication de dispositifs haute performance.

Q4 : Pourquoi un service de collage est-il nécessaire ?
A4 : Pour assurer la dissipation de la chaleur et un montage sûr. Le collage sur une plaque de support métallique (par exemple en cuivre) dissipe efficacement la chaleur de pulvérisation, empêche la fissuration due à la contrainte thermique dans les cibles en céramique et facilite l’installation.

Rapport

Chaque lot est fourni avec :
Certificat d’analyse (COA)

Fiche technique (TDS)

Fiche de données de sécurité (MSDS)
Rapports d’essais effectués par des tiers disponibles sur demande

Pourquoi nous choisir ?

Nous sommes spécialisés dans la fourniture de cibles céramiques spécialisées hautement stables et personnalisables, répondant à vos besoins en matériaux dans les domaines technologiques de pointe avec des solutions professionnelles.

Formule moléculaire : Ga₂Te₃
Poids moléculaire : 583,92 g/mol
Aspect : Matériau cible dense gris foncé
Densité : Environ 5,57 g/cm³
Point de fusion : Environ 824 °C
Structure cristalline : Blende de zinc défectueuse, système cristallin cubique

Emballage intérieur : sacs sous vide et boîtes afin d’éviter toute contamination et humidité.

Emballage extérieur : cartons ou caisses en bois sélectionnés en fonction de la taille et du poids.

Documents

No PDF files found.

Contactez nous

Si vous avez besoin d'un service, veuillez nous contacter

Plus d'informations

plus de produits

CONTACTEZ-NOUS

CONTACTEZ-NOUS

Pulvérisation thermique

Notre site web a été entièrement mis à jour