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Nitrure de gallium

Chemical Name:
Nitrure de gallium
Formula:
GaN
Product No.:
310700
CAS No.:
25617-97-4
EINECS No.:
247-129-0
Form:
Poudre
HazMat:
Product ID Formula Purity Dimension Inquiry
310700PD001 GaN 99.99% -100 Mesh Inquire
310700PD002 GaN 99.999% -100 Mesh Inquire
Product ID
310700PD001
Formula
GaN
Purity
99.99%
Dimension
-100 Mesh
Product ID
310700PD002
Formula
GaN
Purity
99.999%
Dimension
-100 Mesh

Présentation de la poudre de nitrure de gallium

La poudre
de nitrure de gallium
est un matériau semi-conducteur à large bande interdite de troisième génération et de haute pureté, dont la formule chimique est GaN. Ce produit se présente généralement sous la forme d’une poudre ultrafine gris-noir ou jaune pâle, caractérisée par une large bande interdite directe d’environ 3,4 eV, une conductivité thermique exceptionnellement élevée et une stabilité chimique remarquable. Il sert de matériau de base essentiel pour la fabrication de cibles céramiques GaN haute performance, de corps frittés, de matériaux composites et permet une croissance épitaxiale avancée. Ce matériau trouve de nombreuses applications dans les secteurs de l’optoélectronique, des radiofréquences et des dispositifs de puissance de nouvelle génération.

Nous proposons une gamme diversifiée de poudres de GaN de haute qualité, caractérisées par une pureté ultra-élevée, des tailles de particules et des phases cristallines sélectionnables, ainsi que des solutions d’emballage personnalisées professionnelles. Contactez-nous
pour obtenir des échantillons.

Points forts du produit

Pureté ultra-élevée
Propriétés semi-conductrices à large bande interdite
Taille et morphologie des particules contrôlables
Excellente stabilité thermique et chimique
Facilité de dispersion et de mélange

Applications de la poudre de nitrure de gallium

Céramiques avancées et cibles : sert de matériau principal pour le frittage à chaud afin de produire des cibles de pulvérisation céramiques GaN à haute densité ou des composants structurels résistants à l’usure.
Revêtements et ingénierie des surfaces : utilisé pour préparer des revêtements par projection thermique ou à froid haute performance, améliorant la résistance à l’usure et les propriétés protectrices des composants dans des environnements à haute température et corrosifs.
Composites et additifs : sert de phase de renforcement ou de charge fonctionnelle pour la fabrication de composites polymères à haute conductivité thermique ou de céramiques spécialisées.
Recherche et développement de dispositifs : sert de poudre précurseur pour les nouvelles techniques épitaxiales, la synthèse de nanomatériaux et les études de pointe en photocatalyse/électrocatalyse.

FAQ

Q1 : Comment choisir la taille de particules de poudre appropriée ?
R1 : Cela dépend du processus. Des poudres plus fines sont nécessaires pour la fabrication de céramiques denses ; des distributions granulométriques spécifiques peuvent être choisies pour la projection thermique ; des poudres ultrafines à l’échelle nanométrique sont nécessaires pour les précurseurs de croissance épitaxiale.

Q2 : La poudre de GaN est-elle sûre à utiliser ?
R2 : Une manipulation appropriée est essentielle. Évitez d’inhaler la poussière ; portez des équipements de protection tels que des masques pendant l’utilisation et travaillez dans un endroit bien ventilé.

Q3 : Comment la poudre doit-elle être stockée ?
A3 : Stockez-la dans des conteneurs hermétiques, secs et protégés de la lumière. Conservez-la dans une atmosphère inerte sèche ou dans un environnement sous vide pour éviter l’absorption d’humidité et l’oxydation.

Q4 : Quelles sont les principales différences entre la poudre de GaN et la poudre de silicium ?
A4 : Un écart de performance significatif. Le GaN est un matériau à large bande interdite offrant une résistance supérieure à la haute tension, une tolérance aux températures élevées et des caractéristiques de fréquence comparables à celles du silicium. Il sert de matériau de base pour les semi-conducteurs de nouvelle génération.

Rapport

Chaque lot est fourni avec :
Certificat d’analyse (COA)

Fiche technique (TDS)

Fiche de données de sécurité (MSDS)
Rapports d’essais effectués par des tiers disponibles sur demande

Pourquoi nous choisir ?

Grâce à notre expertise dans le domaine des matériaux en poudre semi-conducteurs
de troisième génération et à notre contrôle qualité rigoureux, nous fournissons une poudre de nitrure de gallium hautement performante et très homogène, ainsi que des solutions personnalisées.

Formule moléculaire : GaN
Poids moléculaire : 83,73 g/mol
Aspect : Poudre jaune pâle à grise
Densité : 6.15 g/cm³
Point de fusion : Environ 2 497 °C (avant décomposition)
Structure cristalline : Hexagonale ou cubique

Emballage intérieur : sacs sous vide et boîtes afin d’éviter toute contamination et humidité.

Emballage extérieur : cartons ou caisses en bois sélectionnés en fonction de la taille et du poids.

UGS 310700PD Catégorie Tags : Marque :

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