Nitrure de gallium

Présentation des plaquettes en nitrure de gallium

Les plaquettes
en nitrure de gallium
sont des disques de substrat standardisés fabriqués à partir de monocristaux de nitrure de gallium de haute pureté, découpés, meulés et polis avec précision. Matériau de base essentiel pour les semi-conducteurs à large bande interdite de troisième génération, elles héritent parfaitement des caractéristiques du GaN : haute fréquence, haute efficacité, haute tension et haute température. Ils constituent un modèle cristallin idéal pour la croissance de films épitaxiaux GaN de haute qualité et servent de base physique à la fabrication de tous les dispositifs optoélectroniques et électroniques de puissance GaN haut de gamme.

Nous proposons des substrats monocristallins GaN et des plaquettes épitaxiales de différentes tailles, orientations cristallines, épaisseurs et types de conductivité. Contactez-nous
pour obtenir des solutions personnalisées.

Points forts du produit

Substrat semi-conducteur à large bande interdite de troisième génération
Densité de défauts de dislocation extrêmement faible
Conductivité thermique élevée et excellente stabilité chimique
Technologie de plaquettes de grande taille
Plusieurs orientations cristallines et options de résistivité disponibles

Applications des plaquettes GaN

Optoélectronique et affichage : sert de substrat épitaxial pour la croissance de la couche épitaxiale centrale dans les LED bleues/vertes/blanches, les diodes laser (LD) et les puces d’affichage Micro-LED.
Communications RF et micro-ondes : utilisé pour fabriquer des puces RF haute fréquence et haute puissance et des amplificateurs de puissance pour les stations de base de communication 5G/6G, les communications par satellite et les systèmes radar.
Électronique de puissance : en tant que substrats pour la fabrication de dispositifs électroniques de puissance à haut rendement et à haute densité de puissance utilisés dans les véhicules à énergie nouvelle, les centres de données et les applications de recharge rapide.
Domaines émergents et pionniers : pour le développement de détecteurs UV, de capteurs haute température, de dispositifs de communication quantique et de circuits intégrés de puissance à haut rendement de nouvelle génération.

FAQ

Q1 : Qu’est-ce qui distingue les plaquettes de GaN des plaquettes de SiC ?
R1 : Elles diffèrent par leurs systèmes de matériaux et leurs applications principales. Les plaquettes GaN offrent une plus grande mobilité des électrons, ce qui les rend idéales pour les dispositifs RF et optoélectroniques à haute fréquence ; les plaquettes SiC offrent une conductivité thermique supérieure, ce qui les rend prioritaires pour les dispositifs de puissance à très haute tension.

Q2 : Pourquoi les plaquettes épitaxiales GaN-sur-Si sont-elles plus courantes ?
R2 : Les principales raisons sont les avantages en termes de coût et de taille. La croissance épitaxiale du GaN sur des substrats de silicium peu coûteux permet de fabriquer des dispositifs à plus grande échelle et à moindre coût, même si la qualité cristalline est inférieure à celle de l’homoépitaxie GaN sur GaN.

Q3 : Pourquoi les plaquettes GaN sont-elles si chères ?
R3 : Principalement en raison des défis extrêmes que pose leur fabrication. Les monocristaux de GaN de haute qualité doivent être développés à haute température et sous haute pression, ce qui présente des obstacles techniques importants, une consommation d’énergie élevée et des taux de rendement faibles, ce qui entraîne des coûts bien supérieurs à ceux des substrats en silicium.

Q4 : Comment les plaquettes doivent-elles être stockées et manipulées ?
A4 : Elles doivent être stockées et manipulées dans des bateaux à plaquettes spécialisés dans des environnements ultra-propres. Leur manipulation nécessite un soin extrême afin d’éviter tout dommage aux bords et toute contamination de la surface, car elles sont fragiles et exigent des normes de propreté exceptionnellement élevées.

Rapport

Chaque lot est fourni avec :
Certificat d’analyse (COA)

Fiche technique (TDS)

Fiche de données de sécurité (MSDS)
Rapports d’essais effectués par des tiers disponibles sur demande

Pourquoi nous choisir ?

Forts de notre expertise technique approfondie dans le domaine des matériaux semi-conducteurs à large bande interdite, nous fournissons des substrats GaN de haute qualité et haute performance, ainsi que des solutions épitaxiales professionnelles et fiables.