ULPMAT

Oxyde d’indium et oxyde de gallium

Chemical Name:
Oxyde d'indium et oxyde de gallium
Formula:
In2O3-Ga2O3
Product No.:
4908310800
CAS No.:
EINECS No.:
Form:
Cible de pulvérisation
HazMat:
Product ID Formula Purity Dimension Inquiry
4908310800ST001 In2O3-Ga2O3 99.99% Ø 25.4 mm x 3.175 mm Inquire
4908310800ST002 In2O3-Ga2O3 99.99% Ø 50.8 mm x 6.35 mm Inquire
4908310800ST003 In2O3-Ga2O3 99.99% Ø 76.2 mm x 3.175 mm Inquire
Product ID
4908310800ST001
Formula
In2O3-Ga2O3
Purity
99.99%
Dimension
Ø 25.4 mm x 3.175 mm
Product ID
4908310800ST002
Formula
In2O3-Ga2O3
Purity
99.99%
Dimension
Ø 50.8 mm x 6.35 mm
Product ID
4908310800ST003
Formula
In2O3-Ga2O3
Purity
99.99%
Dimension
Ø 76.2 mm x 3.175 mm

Vue d’ensemble des cibles de pulvérisation d’oxyde d’indium et d’oxyde de gallium

La cible de pulvérisation d’oxyde d’indium et d’oxyde de gallium (In2O3-Ga2O3) est un matériau céramique de haute pureté largement utilisé dans l’électronique transparente, les dispositifs optoélectroniques et la recherche sur les semi-conducteurs avancés. Avec une excellente transparence optique, une conductivité électrique stable et des propriétés thermiques supérieures, la cible In2O3-Ga2O3 est idéale pour le dépôt de couches minces dans les technologies d’affichage, l’électronique de puissance et les composants optoélectroniques de la prochaine génération.

Nos cibles de pulvérisation In2O3-Ga2O3 sont fabriquées avec une pureté de 99,99 % (4N), une densité élevée et une microstructure uniforme, ce qui garantit une performance et une reproductibilité constantes des couches minces pour les applications industrielles et universitaires.

Points forts des cibles de pulvérisation d’oxyde d’indium et d’oxyde de gallium

Grande pureté : 99,99 % (4N) pour des performances optiques et électroniques fiables.
Microstructure stable : Dense et uniforme pour une meilleure efficacité de pulvérisation.
Excellente transparence : Convient aux films minces conducteurs et fonctionnels transparents.
Stabilité thermique : Résiste aux processus de dépôt de films minces à haute température.
Spécifications flexibles : Formes rondes, rectangulaires ou personnalisées disponibles.

Applications de la cible de pulvérisation In2O3-Ga2O3

Électronique transparente : Utilisée dans les couches conductrices transparentes et les dispositifs à couche mince.
Dispositifs optoélectroniques Optoélectroniques : Appliqués dans les capteurs, les détecteurs et les revêtements optiques avancés.
Transistors à couche mince (TFT) : Couches fonctionnelles pour les fonds de panier des écrans.
Électronique de puissance : Ga₂O₃ améliore les performances à haute tension et à haute fréquence.
Matériaux de R&D : Largement utilisés dans les laboratoires pour la recherche sur les semi-conducteurs et la science des matériaux.

Pourquoi choisir les États-Unis ?

Fabrication professionnelle : Nous nous concentrons sur la fourniture de cibles de pulvérisation d’oxyde et de semi-conducteur de haute pureté.
Sur mesure Personnalisées : Prise en charge de la personnalisation de la taille, de la pureté et des rapports de composition des cibles.
Contrôle strict de la qualité : Utilisation de l’analyse ICP-MS des impuretés pour garantir des niveaux d’impureté faibles.
Livraison mondiale : Emballage sécurisé et services logistiques rapides.
Assistance technique : Chaque lot de produits est accompagné d’un COA complet, d’un TDS, d’une MSDS et d’un rapport d’analyse des impuretés.

FAQ (Foire aux questions)

F1. Quel niveau de pureté proposez-vous pour les cibles de pulvérisation d’oxyde d’indium et d’oxyde de gallium ?
A1. La pureté standard est de 99,99 % (4N). Des degrés de pureté plus élevés sont disponibles sur demande.

F2. Pouvez-vous fournir des formes et des dimensions différentes ?
A2. Oui, nous fournissons des cibles circulaires, rectangulaires et de forme personnalisée selon les besoins du client.

F3. Quelles sont les options disponibles pour les plaques d’appui ?
A3. Nous proposons des plaques de support en Cu, Mo et Al en fonction des exigences de dépôt.

F4. Comment les cibles sont-elles emballées ?
A4. Les cibles sont scellées sous vide et protégées par un emballage antichoc pour garantir une livraison en toute sécurité.

F5. Quelles sont les industries qui utilisent principalement les cibles In2O3-Ga2O3 ?
A5. Elles sont utilisées dans les films conducteurs transparents, l’optoélectronique, les écrans TFT et la recherche en électronique de puissance.

Rapports

Chaque lot est fourni avec
Un certificat d’analyse (COA)
Fiche technique (TDS)
Fiche de données de sécurité (FDS)
Des rapports d’essais par des tiers sont disponibles sur demande.

Formule moléculaire : In₂O₃-Ga₂O₃
Aspect : Cible céramique dense de couleur blanc cassé ou gris clair
Structure cristalline : Cubique (phase primaire In₂O₃), Monoclinique/Orthorhombique (phase Ga₂O₃)
Méthode de liaison : Disponible en version non collée, collée In₂O₃ ou fixée mécaniquement
Options de plaques d’appui : Cuivre (Cu), molybdène (Mo), aluminium (Al), personnalisable sur demande

Emballage intérieur : Sacs scellés sous vide et boîtes pour éviter la contamination et l’humidité.

Emballage extérieur : Cartons ou caisses en bois sélectionnés en fonction de la taille et du poids.

UGS 4908310800ST Catégorie Marque :

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