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Oxyde de bismuth et de germanium (BGO)

Chemical Name:
Oxyde de bismuth et de germanium (BGO)
Formula:
Bi4Ge3O12
Product No.:
83320800
CAS No.:
12233-56-6
EINECS No.:
235-457-7
Form:
Cible de pulvérisation
HazMat:
Product ID Formula Purity Dimension Inquiry
83320800ST001 Bi4Ge3O12 99.99% Ø 50.8 mm x 3.175 mm Inquire
83320800ST002 Bi4Ge3O12 99.99% Ø 50.8 mm x 6.35 mm Inquire
83320800ST003 Bi4Ge3O12 99.99% Ø 76.2 mm x 3.175 mm Inquire
83320800ST004 Bi4Ge3O12 99.99% Ø 101.6 mm x 3.175 mm Inquire
Product ID
83320800ST001
Formula
Bi4Ge3O12
Purity
99.99%
Dimension
Ø 50.8 mm x 3.175 mm
Product ID
83320800ST002
Formula
Bi4Ge3O12
Purity
99.99%
Dimension
Ø 50.8 mm x 6.35 mm
Product ID
83320800ST003
Formula
Bi4Ge3O12
Purity
99.99%
Dimension
Ø 76.2 mm x 3.175 mm
Product ID
83320800ST004
Formula
Bi4Ge3O12
Purity
99.99%
Dimension
Ø 101.6 mm x 3.175 mm

Vue d’ensemble des cibles de pulvérisation d’oxyde de bismuth et de germanium

Les cibles de pulvérisation d’oxyde de bismuth et de germanium sont des matériaux de haute performance conçus pour les processus de dépôt de couches minces ferroélectriques, optoélectroniques et fonctionnelles. Le matériau est structurellement stable, chimiquement uniforme et présente une densité et une pureté excellentes, ce qui garantit une composition de film cohérente, une forte adhérence et une qualité de film élevée.

Nous proposons des cibles de pulvérisation d’oxyde de bismuth et de germanium de différentes formes et tailles, y compris rondes et rectangulaires, et nous pouvons les personnaliser en fonction de vos besoins spécifiques. Nous fournissons également un service après-vente complet. Si vous avez des questions concernant l’utilisation, n’hésitez pas à nous contacter.

Points forts du produit

Pureté : 99,99 %
Structure céramique à haute densité pour un dépôt stable
Taille et forme taille et forme
Service de fixation de cibles disponible
Excellente uniformité et adhérence du film
Applicable à une variété de domaines de préparation de films minces fonctionnels

Applications de la cible de pulvérisation d’oxyde de bismuth et de germanium

Mémoire ferroélectrique : Bi₄Ti₃O₁₂ est un matériau ferroélectrique classique qui peut être utilisé pour le dépôt de couches ferroélectriques dans les mémoires non volatiles (FeRAM).
Dispositifs optoélectroniques : Utilisé pour préparer des films d’oxyde multifonctionnels avec des caractéristiques photoréceptives pour la conversion photoélectrique et les capteurs.
Matériaux piézoélectriques et diélectriques : peuvent être utilisés comme couches fonctionnelles dans les condensateurs céramiques et les composants multicouches des puces, avec de bonnes propriétés diélectriques.
Films pour dispositifs intégrés : films fonctionnels utilisés dans les circuits intégrés, tels que les condensateurs ferroélectriques auto-polarisés.

Rapports

Nous fournissons un certificat d’analyse (COA) complet, une fiche de données de sécurité (MSDS) et des rapports d’essais de composants pertinents pour chaque lot de cibles de pulvérisation d’oxyde de bismuth et de germanium. Nous pouvons également fournir des rapports d’essai de tiers à la demande du client pour renforcer la confiance dans la qualité du matériau.

Formule moléculaire : Bi₄Ge₃O₁₂
Poids moléculaire : 1 017,8 g/mol
Aspect : Cible céramique blanc cassé ou jaune clair avec une surface plane et dense.
Densité : Environ 7,1 g/cm³ (proche de la densité théorique)
Point de fusion : Environ 930 °C (relativement bas, adapté aux applications sensibles à la chaleur)
Structure cristalline : système cubique (structure centrée sur le corps, bonne isotropie)

Emballage intérieur : Sacs scellés sous vide et emballage pour éviter la contamination et l’humidité.

Emballage extérieur : Cartons ou caisses en bois sélectionnés en fonction de la taille et du poids.

UGS 83320800ST Catégorie Marque :

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