ULPMAT

Oxyde de bismuth et de titane

Chemical Name:
Oxyde de bismuth et de titane
Formula:
Bi4Ti3O12
Product No.:
83220800
CAS No.:
12010-77-4
EINECS No.:
234-564-6
Form:
Cible de pulvérisation
HazMat:
Product ID Formula Purity Dimension Inquiry
83220800ST001 Bi4Ti3O12 99.999% Ø 50.8 mm x 3.175 mm Inquire
83220800ST002 Bi4Ti3O12 99.999% Ø 50.8 mm x 6.35 mm Inquire
83220800ST003 Bi4Ti3O12 99.999% Ø 76.2 mm x 3.175 mm Inquire
Product ID
83220800ST001
Formula
Bi4Ti3O12
Purity
99.999%
Dimension
Ø 50.8 mm x 3.175 mm
Product ID
83220800ST002
Formula
Bi4Ti3O12
Purity
99.999%
Dimension
Ø 50.8 mm x 6.35 mm
Product ID
83220800ST003
Formula
Bi4Ti3O12
Purity
99.999%
Dimension
Ø 76.2 mm x 3.175 mm

Vue d’ensemble des cibles de pulvérisation d’oxyde de bismuth et de titane

Les cibles de pulvérisation d’oxyde de bismuth et de titane sont des matériaux de haute performance développés pour les applications de dépôt de couches minces de céramiques fonctionnelles. Connus pour leur excellente stabilité chimique et leurs propriétés ferroélectriques, ces matériaux conviennent à la préparation de dispositifs avancés tels que les couches minces à haute constante diélectrique, piézoélectriques, optoélectroniques et à mémoire non volatile.

Nous fournissons des cibles de pulvérisation d’oxyde de bismuth et de titane de différentes formes et tailles, y compris rondes, rectangulaires, etc., qui peuvent être personnalisées en fonction des exigences spécifiques du client. Nous proposons également une gamme complète de services après-vente après-vente et des suggestions d’application, n’hésitez pas à n’hésitez pas à nous consulter.

Points forts du produit

Pureté : 99,999 %
Structure céramique dense, adaptée à la pulvérisation à haute stabilité
Taille et forme personnalisables
Convient à la préparation de couches minces de dispositifs ferroélectriques, piézoélectriques et optoélectroniques

Applications de la cible de pulvérisation de l’oxyde de bismuth et de titane

Mémoire ferroélectrique (FeRAM) : Bi4Ti3O12 est un matériau ferroélectrique typique de la phase Aurivillius, largement utilisé dans les mémoires non volatiles, avec d’excellentes performances de rétention de la polarisation.
Dispositifs piézoélectriques : peut être utilisé comme couche de commande piézoélectrique dans les systèmes microélectromécaniques (MEMS), avec un bon coefficient de couplage électromécanique.
Dispositifs optoélectroniques à couche mince : utilisés pour les dispositifs optiques intégrés ou les couches de modulation multifonctionnelles, avec des effets optiques non linéaires et électro-optiques.
Films à haut diélectrique : conviennent pour les condensateurs, les couches diélectriques DRAM et les films de contrôle des signaux.

Rapports

Nous fournissons des certificats d’analyse (COA) détaillés, des fiches de données de sécurité (MSDS) et des rapports d’essais XRD, SEM ou de densité pour chaque lot de produits. Nous invitons également nos clients à désigner des agences de test tierces pour la vérification afin de garantir conjointement une livraison de haute qualité.

Formule moléculaire : Bi₄Ti₃O₁₂
Poids moléculaire : 1092,38 g/mol
Aspect : Cible céramique blanc cassé ou jaune clair, surface lisse.
Densité : environ 8,1 g/cm³ (proche de la densité théorique)
Point de fusion : environ 1 000 °C
Structure cristalline : structure de pérovskite en couches, système orthorhombique

Emballage intérieur : Sacs scellés sous vide et emballage pour éviter la contamination et l’humidité.

Emballage extérieur : Cartons ou caisses en bois sélectionnés en fonction de la taille et du poids.

Documents

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