Óxido de indio-galio-zinc (IGZO)

Visión general de los cátodos para sputtering de óxido de indio-galio-zinc

Óxido de indio-galio-zinc (In2O3-Ga2O3-ZnO) es un material semiconductor de óxido transparente de gran pureza ampliamente utilizado en transistores de película fina (TFT), pantallas planas y dispositivos optoelectrónicos. Con un excelente rendimiento eléctrico, alta movilidad y composición uniforme, los cátodos para sputtering IGZO son esenciales para las tecnologías avanzadas de visualización, como los OLED y LCD, así como para la investigación en dispositivos semiconductores. Nuestros cátodos garantizan una pureza del 99,99% (4N), una estructura densa y un rendimiento estable para aplicaciones industriales y de investigación.

Suministramos cátodos para sputtering de óxido de indio-galio-zinc de alta calidad para fabricantes e instituciones de investigación. Contacte con nosotros para obtener el mejor precio y asistencia técnica.

Características de los cátodos para sputtering In2O3-Ga2O3-ZnO

Pureza superior: La pureza del 99,99% (4N) cumple los estrictos requisitos para semiconductores de óxido y dispositivos de película fina.
Alto rendimiento: Excelente conductividad eléctrica, movilidad de electrones y transparencia óptica.
Material estable: La estructura densa, el bajo contenido de impurezas y la composición uniforme garantizan resultados reproducibles en películas finas.
Tamaños flexibles: Disponible en varias dimensiones para adaptarse a diferentes sistemas de deposición.

Aplicaciones de los cátodos para sputtering IGZO de alta calidad

Transistores de película fina (TFT): Aplicados en pantallas LCD y OLED de matriz activa de alto rendimiento.
Pantallas planas: Utilizados en placas base, paneles táctiles y pantallas flexibles.
Dispositivos optoelectrónicos Optoelectrónicos: Adecuados para fotodetectores, sensores de infrarrojos y electrónica transparente.
Investigación y desarrollo: Ampliamente utilizado en laboratorios para la ciencia de materiales y la investigación de dispositivos.
Dispositivos energéticos: Aplicado en películas conductoras transparentes para aplicaciones de conversión y almacenamiento de energía.

¿Por qué elegirnos?

Experiencia en la industria: Especializados en cátodos para sputtering de semiconductores de óxido de gran pureza.
Soluciones personalizadas: Flexibilidad en la composición, las dimensiones y la selección de la placa de soporte.
Calidad fiable: El estricto control de impurezas, la estructura densa y la composición uniforme garantizan un rendimiento estable.
Entrega mundial: Envío rápido y seguro a todo el mundo con embalaje protector.
Asistencia técnica: Un equipo profesional proporciona documentación técnica completa y asesoramiento.

Preguntas frecuentes

F1. ¿Cuál es la pureza de los cátodos para sputtering In2O3-Ga2O3-ZnO?
A1. Nuestros cátodos IGZO tienen una pureza estándar del 99,99% (4N), garantizando un rendimiento fiable para aplicaciones TFT y de capa fina.

F2. ¿Se puede personalizar la relación In:Ga:Zn o el tamaño del cátodo?
A2. Sí, ofrecemos relaciones de composición y dimensiones de cátodos flexibles según los requisitos de su sistema de deposición.

F3. ¿Cómo deben almacenarse y manipularse los cátodos IGZO?
A3. Almacenar en un ambiente fresco y seco en contenedores sellados. Evite la humedad, el polvo y la contaminación durante la manipulación.

F4. ¿Qué industrias utilizan cátodos para sputtering IGZO?
A4. Ampliamente utilizados en placas base TFT, pantallas OLED/LCD, paneles táctiles, dispositivos optoelectrónicos y laboratorios de investigación.

F5. ¿Hay informes técnicos disponibles para fines industriales o de investigación?
A5. Sí, cada lote se suministra con informes de impurezas COA, TDS, MSDS e ICP-MS. Los informes de pruebas de terceros están disponibles previa solicitud.

Informes

Cada lote de productos se suministra con
Certificado de análisis (COA)
Hoja de datos técnicos (TDS)
Hoja de datos de seguridad del material (MSDS)
Los informes de pruebas de terceros están disponibles previa solicitud para cumplir las normas industriales y de investigación.