{"id":57705,"date":"2026-01-20T13:46:07","date_gmt":"2026-01-20T05:46:07","guid":{"rendered":"https:\/\/ulpmat.com\/product\/silizium-2\/"},"modified":"2026-01-20T13:46:07","modified_gmt":"2026-01-20T05:46:07","slug":"silizium-2","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/ulpmat.com\/de\/produkt\/silizium-2\/","title":{"rendered":"Silizium"},"content":{"rendered":"

Silizium <\/a><\/span>Rotationstargets sind zylindrische Sputtermaterialien, die f\u00fcr Magnetron-Sputteranlagen und die Abscheidung gro\u00dffl\u00e4chiger D\u00fcnnschichten entwickelt wurden. Im Vergleich zu herk\u00f6mmlichen planaren Silizium-Targets bieten Rotations-Targets eine h\u00f6here Materialausnutzung, einen stabileren Dauerbetrieb und eignen sich f\u00fcr industrielle Beschichtungsanwendungen, darunter optische Beschichtungen, Photovoltaik-Technologien, Halbleiterforschung und fortschrittliche D\u00fcnnschichtanwendungen.<\/p>\n

Wir k\u00f6nnen Silizium-Rotations-Targets mit unterschiedlichen Strukturen und Gr\u00f6\u00dfen entsprechend den Anlagenanforderungen liefern und unterst\u00fctzen dabei die Prozesskommunikation sowie die technische Integration. Bitte kontaktieren Sie uns<\/a><\/span> direkt, um L\u00f6sungen zu erhalten.<\/p>\n

\u00dcbersicht \u00fcber Silizium-Rotationstargets<\/span><\/h2>\n

Silizium<\/a><\/span> (Si)-Rotationstargets sind hochreine, zylindrische Sputtertargets, die in Magnetron-Sputteranlagen f\u00fcr physikalische Gasphasenabscheidungsverfahren (PVD) eingesetzt werden. Silizium ist aufgrund seiner hervorragenden elektrischen Eigenschaften, optischen Merkmale und chemischen Stabilit\u00e4t ein weit verbreiteter Halbleiter und Funktionswerkstoff. Bei Sputteranwendungen werden Silizium-Targets \u00fcblicherweise zur Abscheidung von D\u00fcnnschichten auf Siliziumbasis f\u00fcr elektronische Bauelemente, optische Beschichtungen, Solarenergietechnologien und Forschungsanwendungen eingesetzt.<\/p>\n

Im Vergleich zu herk\u00f6mmlichen planaren Silizium-Target bieten Rotations-Target eine verbesserte Targetausnutzung und l\u00e4ngere Betriebszyklen, wodurch sie sich f\u00fcr Beschichtungsprozesse mit hohem Durchsatz eignen. ULPMAT liefert hochreine Silizium-Rotations-Target mit kundenspezifischen Spezifikationen, einschlie\u00dflich Reinheitsgrad, Abmessungen, Anforderungsanforderungen an die Anbindung und Verpackungsoptionen.<\/p>\n

Wichtige Spezifikationen des rotierenden Silizium-Targets<\/span><\/h2>\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Parameter<\/strong><\/td>\nSpezifikation<\/strong><\/td>\n<\/tr>\n
Material<\/td>\nSilizium (Si)<\/td>\n<\/tr>\n
Chemische Formel<\/td>\nSi<\/td>\n<\/tr>\n
CAS-Nummer<\/td>\n7440-21-3<\/td>\n<\/tr>\n
Reinheit<\/td>\n99,999 % \/ 99,95 % (Die Reinheit wird durch das Verfahren bestimmt.)<\/td>\n<\/tr>\n
Zieltyp<\/td>\nRotations<\/td>\n<\/tr>\n
Form<\/td>\nZylindrisch<\/td>\n<\/tr>\n
Verfahren<\/td>\nMagnetron-Sputtern<\/td>\n<\/tr>\n
Verbindung<\/td>\nAuf Anfrage erh\u00e4ltlich<\/td>\n<\/tr>\n
Sonderabmessungen<\/td>\nVerf\u00fcgbar<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n
\n
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Vorteile von Silizium-Rotationstargets<\/span><\/h2>\n

Hohe Materialausnutzung:<\/strong> Rotierende Targets bieten im Vergleich zu planaren Targets in der Regel eine h\u00f6here Ausnutzungseffizienz, da die Erosion kontinuierlich entlang der zylindrischen Oberfl\u00e4che erfolgt. Dies tr\u00e4gt dazu bei, die H\u00e4ufigkeit des Targetwechsels zu reduzieren und die Produktionseffizienz bei lang andauernden Sputterprozessen zu verbessern.<\/p>\n

Stabile D\u00fcnnschichtabscheidung:<\/strong> Die zylindrische Geometrie von Rotationstargets erm\u00f6glicht eine stabile Plasmaverteilung und ein gleichm\u00e4\u00dfiges Erosionsverhalten, was dazu beitr\u00e4gt, eine gleichbleibende D\u00fcnnschichtqualit\u00e4t w\u00e4hrend kontinuierlicher Beschichtungsvorg\u00e4nge aufrechtzuerhalten.<\/p>\n

Geeignet f\u00fcr gro\u00dffl\u00e4chige Beschichtungen:<\/strong> Silizium-Rotationstargets eignen sich besonders f\u00fcr gro\u00dffl\u00e4chige Beschichtungssysteme, bei denen eine gleichm\u00e4\u00dfige Abscheidung und ein l\u00e4ngerer Betrieb erforderlich sind.<\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n

Anwendungen von Silizium-Rotationstargets<\/span><\/h2>\n

Gro\u00dffl\u00e4chige D\u00fcnnschichtabscheidung:<\/strong> Geeignet f\u00fcr D\u00fcnnschichtabscheidungsprozesse auf gro\u00dffl\u00e4chigen Substraten, wodurch die Schichtgleichm\u00e4\u00dfigkeit und die Prozessstabilit\u00e4t verbessert werden.
\nBeschichtungsprozesse f\u00fcr Displays und Photovoltaik:<\/strong><\/a><\/span> Bei der Herstellung von Displaypanels und D\u00fcnnschicht-Photovoltaikmodulen kann die rotierende Targetstruktur die Anforderungen der kontinuierlichen Produktion hinsichtlich der Abscheidungskonsistenz erf\u00fcllen.
\nHerstellung funktionaler Beschichtungen:<\/strong> Geeignet f\u00fcr die Herstellung elektrischer, optische<\/a><\/span>oder sch\u00fctzende funktionale D\u00fcnnschichten geeignet und erf\u00fcllt die Leistungsanforderungen verschiedener Anwendungsszenarien.
\nF&E und Prozessvalidierung:<\/strong> Weit verbreitet zur Optimierung neuer Prozessparameter und zur Untersuchung des Materialverhaltens; erm\u00f6glicht stabile Tests unter Spinning-Sputter-Bedingungen.<\/p>\n

Rotierendes Silizium-Target im Vergleich zu einem planaren Silizium-Target<\/span><\/h2>\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Merkmal<\/strong><\/td>\nRotierendes Silizium-Target<\/strong><\/td>\nPlanares Silizium-Target<\/strong><\/td>\n<\/tr>\n
Targetausnutzung<\/td>\nH\u00f6her<\/td>\nNiedriger<\/td>\n<\/tr>\n
Dauerbetrieb<\/td>\nHervorragend<\/td>\nEingeschr\u00e4nkt<\/td>\n<\/tr>\n
Gro\u00dffl\u00e4chenbeschichtung<\/td>\nGeeignet<\/td>\nGeeignet<\/td>\n<\/tr>\n
Ersatzintervall<\/td>\nNiedriger<\/td>\nH\u00f6her<\/td>\n<\/tr>\n
Abscheidung im industriellen Ma\u00dfstab<\/td>\nBevorzugt<\/td>\nEingeschr\u00e4nkt<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Verf\u00fcgbare Anpassungsm\u00f6glichkeiten<\/span><\/h2>\n

ULPMAT bietet Silizium-Rotationstargets mit kundenspezifischen Spezifikationen gem\u00e4\u00df den Anforderungen des Kunden an.<\/p>\n

Zu den verf\u00fcgbaren Optionen geh\u00f6ren:<\/p>\n