{"id":42961,"date":"2026-01-23T13:27:58","date_gmt":"2026-01-23T05:27:58","guid":{"rendered":"https:\/\/ulpmat.com\/product\/titansilicid\/"},"modified":"2026-01-23T13:27:58","modified_gmt":"2026-01-23T05:27:58","slug":"titansilicid","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/ulpmat.com\/de\/produkt\/titansilicid\/","title":{"rendered":"Titansilicid"},"content":{"rendered":"

\u00dcbersicht \u00fcber Titansilicid-Sputter-Targets<\/span><\/h2>\n

Titansilicid<\/a><\/span>
\n-Sputter-Targets sind hochleistungsf\u00e4hige metallische Silicid-Keramik-Targets, die in erster Linie zur Abscheidung von Titansilicid-Schichten mit niedrigem Widerstand und hoher thermischer Stabilit\u00e4t verwendet werden. Dieses Produkt findet breite Anwendung bei der Herstellung von Kontaktdurchkontaktierungen, Verbindungen und Gates f\u00fcr integrierte Halbleiterschaltungen und ist ein unverzichtbarer Schl\u00fcsselwerkstoff in der modernen Chipfertigung.<\/p>\n

Wir bieten TiSi\u2082-Sputtertargets in verschiedenen Spezifikationen mit hoher Reinheit und Dichte an. Je nach Ihren Ger\u00e4teanforderungen bieten wir professionelle Bonding<\/a><\/span>
\n-Dienstleistungen f\u00fcr verschiedene Substratmaterialien (z. B. Kupfer, Aluminium, Molybd\u00e4n) an.<\/p>\n

Produkt-Highlights<\/span><\/h2>\n

Hohe Reinheit
\nAu\u00dfergew\u00f6hnlich hohe Dichte
\nPr\u00e4zises st\u00f6chiometrisches Si\/Ti-Verh\u00e4ltnis
\nGleichm\u00e4\u00dfige Mikrostruktur mit stabiler Sputterleistung
\nFilmcharakteristik mit niedrigem spezifischen Widerstand<\/p>\n

Anwendungen von Titansilicid-Sputter-Targets<\/span><\/h2>\n

Halbleiterkontakte und Verbindungen:<\/strong>
\nDeponiert Titansilicid-Filme mit niedrigem Widerstand (C54-Phase TiSi\u2082) auf Siliziumwafern, um ohmsche Kontakte f\u00fcr Transistor-Source\/Drain- und Gate-Anschl\u00fcsse sowie lokale Verbindungen zu bilden, wodurch die Schaltungsverz\u00f6gerung erheblich reduziert wird.
\nBarriere-<\/a> <\/span>und Haftschichten:<\/strong>
\nIn mehrschichtigen Verbindungsstrukturen dienen TiSi\u2082-Filme als wirksame Barriere- und Haftschichten, die die Interdiffusion zwischen Metallverbindungen und dem Siliziumsubstrat verhindern und so die Zuverl\u00e4ssigkeit der Bauelemente verbessern.
\nSilizium-basierte Solar<\/a><\/span>zellen:<\/strong>
\nWird zur Herstellung von R\u00fcckelektroden und Kontaktschichten in hocheffizienten kristallinen Silizium-Solarzellen verwendet, um die Ladungstr\u00e4ger-Sammeleffizienz zu verbessern.
\nSpezialisierte Funktionsbeschichtungen:<\/strong>
\nAufgrund seiner hohen H\u00e4rte und ausgezeichneten chemischen Tr\u00e4gheit kann es f\u00fcr verschlei\u00dffeste und korrosionsbest\u00e4ndige Beschichtungen auf Werkzeug- und Formoberfl\u00e4chen verwendet werden.<\/p>\n

H\u00e4ufig gestellte Fragen<\/span><\/a><\/span><\/h2>\n

F1: Wie gew\u00e4hrleistet das Titansilizid-Target die Phasenzusammensetzung und den niedrigen spezifischen Widerstand beim Sputtern?
\nA1: Wir erreichen eine nahezu ideale Phasenzusammensetzung, indem wir die chemische Zusammensetzung des Targets pr\u00e4zise steuern und eine dichte, gleichm\u00e4\u00dfige Mikrostruktur sicherstellen. Das anschlie\u00dfende schnelle thermische Ausgl\u00fchen (RTA) erleichtert die Phasenumwandlung von hochohmigem C49 zu niederohmigem C54 und liefert die gew\u00fcnschten Eigenschaften.<\/p>\n

F2: Was ist der Hauptunterschied zwischen C49-Phasen- und C54-Phasen-TiSi\u2082-Filmen?
\nA2: Die C49-Phase weist einen h\u00f6heren spezifischen Widerstand auf und ist die Anfangsphase nach der Filmabscheidung. Nach einer geeigneten Temperbehandlung wandelt sie sich in die C54-Phase mit extrem niedrigem spezifischem Widerstand um, die die tats\u00e4chlich in Ger\u00e4ten verwendete Funktionsphase ist.<\/p>\n

F3: Warum ist die Targetsdichte so wichtig?
\nA3: Eine hohe Dichte verhindert wirksam Partikelverspritzen und abnormale Entladungen w\u00e4hrend des Sputterns und gew\u00e4hrleistet so die Stabilit\u00e4t der Abscheidung. Dies f\u00fchrt zu gleichm\u00e4\u00dfigen, dichten Filmen mit weniger Defekten und verl\u00e4ngert gleichzeitig die Lebensdauer des Targets.<\/p>\n

F4: F\u00fcr welche Sputteranlagen ist Titansilicid-Targetmaterial geeignet?
\nA4: Geeignet f\u00fcr DC-Magnetron-Sputteranlagen und RF-Magnetron-Sputteranlagen. Wir bieten Standardgr\u00f6\u00dfen in runder und rechteckiger Form an, wobei auch Sondergr\u00f6\u00dfen f\u00fcr verschiedene Sputterkathodenmodelle erh\u00e4ltlich sind.<\/p>\n

Bericht<\/span><\/h2>\n

Jede Charge wird geliefert mit:
\nAnalysezertifikat (COA)<\/u><\/a><\/span><\/p>\n

Technisches Datenblatt (TDS)<\/u><\/a><\/span><\/p>\n

Sicherheitsdatenblatt (MSDS)<\/u><\/a><\/span>
\nGr\u00f6\u00dfenpr\u00fcfbericht
\nPr\u00fcfberichte von Drittanbietern sind auf Anfrage erh\u00e4ltlich<\/p>\n

. Warum sollten Sie sich f\u00fcr uns entscheiden?<\/span><\/h2>\n

Als spezialisierter Anbieter von fortschrittlichen elektronischen Materialien wissen wir um die entscheidende Rolle von TiSi\u2082-Targets in der Mikro-\/Nanofabrikation. Wir bieten nicht nur hochwertige Targets, die den SEMI-Standards entsprechen, sondern legen auch Wert auf Chargenkonsistenz und ein breites Prozessfenster.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

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