{"id":33943,"date":"2025-12-09T15:51:20","date_gmt":"2025-12-09T07:51:20","guid":{"rendered":"https:\/\/ulpmat.com\/product\/gallium-phosphid\/"},"modified":"2025-12-09T15:51:20","modified_gmt":"2025-12-09T07:51:20","slug":"gallium-phosphid","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/ulpmat.com\/de\/produkt\/gallium-phosphid\/","title":{"rendered":"Gallium-Phosphid"},"content":{"rendered":"<h2><span style=\"font-size: 14pt;\">\u00dcbersicht \u00fcber Galliumphosphid-Sputtertargets<\/span><\/h2>\n<p><span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/search\/?type=name&#038;keyword=Gallium+phosphide\">Galliumphosphid<\/a><\/span><br \/>\n-Sputtertargets sind funktionelle Keramiktargets, die aus hochreinem Galliumphosphidmaterial mittels fortschrittlicher Pulvermetallurgie oder Schmelzverfahren hergestellt werden. Als klassischer III-V-Verbindungshalbleiter besitzt Galliumphosphid eine indirekte Bandl\u00fccke von etwa 2,26 eV. Dieses speziell f\u00fcr physikalische Gasphasenabscheidungsprozesse (PVD) entwickelte Targetmaterial erm\u00f6glicht die Abscheidung hochwertiger GaP-Schichten. Es dient als Kernmaterial f\u00fcr die Herstellung von optoelektronischen Bauelementen mit spezifischer Wellenl\u00e4nge, Hochgeschwindigkeits-Elektronikkomponenten und speziellen Funktionsbeschichtungen.<\/p>\n<p>Wir bieten hochwertige GaP-Keramik-Sputtertargets in verschiedenen Reinheitsgraden und Abmessungen sowie mit optionalen Bonding-Dienstleistungen an. <span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/kontakt-us\/\">Kontaktieren Sie uns.<\/a><\/span><\/p>\n<h2><span style=\"font-size: 14pt;\">Produkt-Highlights<\/span><\/h2>\n<p>Hohe Reinheit und pr\u00e4zise St\u00f6chiometrie<br \/>\nKlassisches III-V-Halbleitermaterial<br \/>\nHervorragende Gleichm\u00e4\u00dfigkeit der Filmabscheidung<br \/>\nHohe Dichte und geringe Porosit\u00e4t<br \/>\nProfessionelle Bonding-Dienstleistungen verf\u00fcgbar<\/p>\n<h2><span style=\"font-size: 14pt;\">Anwendungen von Galliumphosphid-Sputter-Targets<\/span><\/h2>\n<p>Spezialisierte optoelektronische Bauelemente: Wird f\u00fcr die D\u00fcnnschichtabscheidung zur Herstellung von roten, gelb-gr\u00fcnen Leuchtdioden (LEDs) oder Photodetektoren mit spezifischer Wellenl\u00e4nge verwendet.<br \/>\nHochgeschwindigkeits-Elektronikger\u00e4te: Dient als D\u00fcnnschichtmaterial f\u00fcr Funktions- oder Pufferschichten in bestimmten Hochfrequenz-Elektronikkomponenten.<br \/>\nOptische und Schutzbeschichtungen: Nutzt seine physikalisch-chemische Stabilit\u00e4t, um verschlei\u00dffeste, korrosionsbest\u00e4ndige Funktionsbeschichtungen oder optische Filme aufzubringen.<br \/>\nPionierforschung im Bereich Materialien: Dient als Quelle f\u00fcr die GaP-D\u00fcnnschichtabscheidung f\u00fcr die Grundlagen- und angewandte Forschung zu neuartigen Hetero\u00fcberg\u00e4ngen, niedrigdimensionalen Materialien und Ger\u00e4tephysik.<\/p>\n<h2><span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/unternehmen\/faqs\/\"><span style=\"font-size: 14pt;\">H\u00e4ufig gestellte Fragen<\/span><\/a><\/span><\/h2>\n<p>F1: Was sind die Hauptanwendungsbereiche von GaP-Target-Materialien?<br \/>\nA1: Sie werden in erster Linie f\u00fcr die Abscheidung von GaP-D\u00fcnnschichten zur Herstellung von Emittern f\u00fcr sichtbares Licht bei bestimmten Wellenl\u00e4ngen und bestimmten Hochgeschwindigkeits-Elektronikger\u00e4ten verwendet.<\/p>\n<p>F2: Welche Reinheitsanforderungen gelten f\u00fcr Target-Materialien?<br \/>\nA2: Um die Leistungsf\u00e4higkeit der Schicht zu gew\u00e4hrleisten, ist in der Regel eine Reinheit von 99,99 % (4N) oder h\u00f6her erforderlich, abh\u00e4ngig von den Leistungsspezifikationen des Bauelements.<\/p>\n<p>F3: Was ist bei der Auswahl von GaP-Targetmaterialien zu beachten?<br \/>\nA3: Achten Sie auf die Genauigkeit der st\u00f6chiometrischen Verh\u00e4ltnisse, die Dichte des Targetmaterials und darauf, ob Bindungsdienstleistungen angeboten werden, die mit Ihrer Ausr\u00fcstung kompatibel sind.<\/p>\n<p>F4: Wie sollten Targets gewartet und gelagert werden?<br \/>\nA4: Lagern Sie sie versiegelt in einer trockenen, sauberen Umgebung. Behandeln Sie sie vorsichtig, um St\u00f6\u00dfe zu vermeiden. Halten Sie die Target-Oberfl\u00e4che nach dem Gebrauch sauber.<\/p>\n<h2><span style=\"font-size: 14pt;\">Bericht<\/span><\/h2>\n<p>Jede Charge wird geliefert mit:<br \/>\n<span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/dokumente\/zertifikat-der-analyse\/\"><u>Analysezertifikat (COA)<\/u><\/a><\/span><\/p>\n<p><span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/dokumente\/technisches-datenblatt\/\"><u>Technisches Datenblatt (TDS)<\/u><\/a><\/span><\/p>\n<p><span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/dokumente\/sicherheitsdatenblatt\/\"><u>Sicherheitsdatenblatt (MSDS)<\/u><\/a><\/span><br \/>\nTestberichte von Drittanbietern sind auf Anfrage erh\u00e4ltlich<\/p>\n<h2><span style=\"font-size: 14pt;\"><strong>Warum sollten Sie sich f\u00fcr uns entscheiden?<\/strong><\/span><\/h2>\n<p>Dank unserer Expertise im Bereich der Verbindungshalbleiter-Targets bieten wir stabile, zuverl\u00e4ssige und hochwertige GaP-Targets sowie ma\u00dfgeschneiderte L\u00f6sungen.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>\u00dcbersicht \u00fcber Galliumphosphid-Sputtertargets Galliumphosphid -Sputtertargets sind funktionelle Keramiktargets, die aus hochreinem Galliumphosphidmaterial mittels fortschrittlicher Pulvermetallurgie oder Schmelzverfahren hergestellt werden. 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