{"id":32428,"date":"2025-12-18T15:37:34","date_gmt":"2025-12-18T07:37:34","guid":{"rendered":"https:\/\/ulpmat.com\/product\/zink-tellurid\/"},"modified":"2025-12-18T15:37:34","modified_gmt":"2025-12-18T07:37:34","slug":"zink-tellurid","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/ulpmat.com\/de\/produkt\/zink-tellurid\/","title":{"rendered":"Zink-Tellurid"},"content":{"rendered":"<h2><span style=\"font-size: 14pt;\">\u00dcbersicht \u00fcber Zink-Tellurid-Sputter-Targets<\/span><\/h2>\n<p><span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/search\/?type=name&#038;keyword=Zinc+telluride\">Zink-Tellurid<\/a><\/span><br \/>\n-Sputter-Targets sind funktionelle Targets, die aus hochreinem ZnTe-Pulver durch fortschrittliche Keramikverarbeitung hergestellt werden. Sie vereinen die herausragenden optoelektronischen Eigenschaften, die Infrarotempfindlichkeit und das thermoelektrische Potenzial von ZnTe als Halbleiter mit direkter Bandl\u00fccke (ca. 2,26 eV) und dienen als wichtiges Ausgangsmaterial f\u00fcr die Abscheidung hochwertiger ZnTe-D\u00fcnnschichten in physikalischen Gasphasenabscheidungsverfahren. Solche Schichten spielen eine zentrale Rolle bei der Infrarotdetektion, in hocheffizienten Photovoltaikanlagen und in neuartigen optoelektronischen Bauelementen.<\/p>\n<p>Wir bieten hochwertige ZnTe-Sputter-Targets in verschiedenen Reinheitsgraden und Abmessungen sowie mit optionalen <span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/service\/ziel-bindung\/\">Bonding<\/a><\/span><br \/>\n-Dienstleistungen an. <span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/kontakt-us\/\">Kontaktieren Sie uns<\/a><\/span><br \/>\nf\u00fcr ma\u00dfgeschneiderte L\u00f6sungen.<\/p>\n<h2><span style=\"font-size: 14pt;\">Produkt-Highlights<\/span><\/h2>\n<p>Eigenschaften eines Halbleiters mit direkter Bandl\u00fccke<br \/>\nHervorragende optoelektronische Leistung im Infrarotbereich<br \/>\nHohe Reinheit und pr\u00e4zise St\u00f6chiometrie<br \/>\nHohe Dichte, geringe Porosit\u00e4t<br \/>\nProfessionelle Bonding-Dienstleistungen verf\u00fcgbar<\/p>\n<h2><span style=\"font-size: 14pt;\">Anwendungen von Zinktellurid-Sputter-Targets<\/span><\/h2>\n<p>Infrarot-Fotodetektion: Deponiert kernempfindliche Schichten f\u00fcr leistungsstarke Infrarot-Fotodetektoren und photoleitende Ger\u00e4te.<br \/>\nHocheffiziente D\u00fcnnschicht-<span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/anwendung\/photovoltaische-solaranlagen\/\">Solar<\/a><\/span><br \/>\nzellen: Dient als Absorber- oder Pufferschichtmaterial in neuartigen D\u00fcnnschicht-Solarzellen wie Cadmiumtellurid oder Kupfer-Zink-Zinn-Selenid.<br \/>\nThermoelektrische und Energieumwandlungsger\u00e4te: Abscheidung von d\u00fcnnschichtigen thermoelektrischen Materialien f\u00fcr die Herstellung von miniaturisierten thermoelektrischen Stromerzeugungs- oder K\u00fchlmodulen.<\/p>\n<h2><span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/unternehmen\/faqs\/\"><span style=\"font-size: 14pt;\">H\u00e4ufig gestellte Fragen<\/span><\/a><\/span><\/h2>\n<p>F1: Was sind die Hauptanwendungsbereiche von ZnTe-Targetmaterialien?<br \/>\nA1: Sie werden in erster Linie f\u00fcr die Abscheidung wichtiger Funktionsschichten in Infrarotdetektorfilmen und D\u00fcnnschicht-Solarzellen verwendet, wobei ihre direkte Bandl\u00fccke und ihre optoelektronischen Eigenschaften genutzt werden.<\/p>\n<p>F2: Welche Reinheitsanforderungen gelten f\u00fcr das Targetmaterial?<br \/>\nA2: F\u00fcr hochleistungsf\u00e4hige optoelektronische Bauelemente ist in der Regel eine Reinheit von mindestens 99,99 % (4N) erforderlich. Eine hohe Reinheit ist grundlegend f\u00fcr die Gew\u00e4hrleistung von defektarmen, hochleistungsf\u00e4higen Filmen.<\/p>\n<p>F3: Warum ist ein Bonding-Service erforderlich?<br \/>\nA3: Die Verbindung mit einer Metalltr\u00e4gerplatte (z. B. Kupfer, Molybd\u00e4n) gew\u00e4hrleistet eine effiziente W\u00e4rmeableitung und eine sichere Befestigung. Dies verhindert thermische Spannungsrisse in Keramik-Targets w\u00e4hrend des Sputterns und verl\u00e4ngert die Lebensdauer.<\/p>\n<p>F4: Wie sollten Targets gelagert und gepflegt werden?<br \/>\nA4: Lagern Sie sie in versiegelten, feuchtigkeitsbest\u00e4ndigen Beh\u00e4ltern in einer trockenen, sauberen Umgebung. Aufgrund der Empfindlichkeit von Tellurid gegen\u00fcber Luft wird die Lagerung in Inertgas empfohlen. Vermeiden Sie eine Verunreinigung der Target-Oberfl\u00e4che w\u00e4hrend der Handhabung.<\/p>\n<h2><span style=\"font-size: 14pt;\">Bericht<\/span><\/h2>\n<p>Jede Charge wird geliefert mit:<br \/>\n<span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/dokumente\/zertifikat-der-analyse\/\"><u>Analysezertifikat (COA)<\/u><\/a><\/span><\/p>\n<p><span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/dokumente\/technisches-datenblatt\/\"><u>Technisches Datenblatt (TDS)<\/u><\/a><\/span><\/p>\n<p><span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/dokumente\/sicherheitsdatenblatt\/\"><u>Sicherheitsdatenblatt (MSDS)<\/u><\/a><\/span><br \/>\nPr\u00fcfberichte von Drittanbietern sind auf Anfrage erh\u00e4ltlich<\/p>\n<h2><span style=\"font-size: 14pt;\">Warum sollten Sie sich f\u00fcr uns entscheiden?<\/span><\/h2>\n<p>Wir bieten hochwertige ZnTe-Targets mit stabiler Leistung und umfassenden Spezifikationen, gepaart mit professionellen Bonding-Dienstleistungen. Wir sind Ihr zuverl\u00e4ssiger Partner f\u00fcr die Entwicklung fortschrittlicher optoelektronischer und energetischer D\u00fcnnschichtger\u00e4te.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>\u00dcbersicht \u00fcber Zink-Tellurid-Sputter-Targets Zink-Tellurid -Sputter-Targets sind funktionelle Targets, die aus hochreinem ZnTe-Pulver durch fortschrittliche Keramikverarbeitung hergestellt werden. Sie vereinen die herausragenden optoelektronischen Eigenschaften, die Infrarotempfindlichkeit und das thermoelektrische Potenzial von ZnTe als Halbleiter mit direkter Bandl\u00fccke (ca. 2,26 eV) und dienen als wichtiges Ausgangsmaterial f\u00fcr die Abscheidung hochwertiger ZnTe-D\u00fcnnschichten in physikalischen Gasphasenabscheidungsverfahren. 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